Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения
Проведены исследования функциональных характеристик полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах и схемах включения. Экспериментально установлено, что максимальные значения токов стока при соединении двух транзисторов от интенсивности излучения изменяются по квадратичному з...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2012 |
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2012
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98964 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения / О.А. Абдулхаев, Ф.А. Гиясова, Д.М. Ёдгорова, Б.М. Каманов, А.В. Каримов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 2. — С. 230–235. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862714951835058176 |
|---|---|
| author | Абдулхаев, О.А. Гиясова, Ф.А. Ёдгорова, Д.М. Каманов, Б.М. Каримов, А.В. |
| author_facet | Абдулхаев, О.А. Гиясова, Ф.А. Ёдгорова, Д.М. Каманов, Б.М. Каримов, А.В. |
| citation_txt | Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения / О.А. Абдулхаев, Ф.А. Гиясова, Д.М. Ёдгорова, Б.М. Каманов, А.В. Каримов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 2. — С. 230–235. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | Проведены исследования функциональных характеристик полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах и схемах включения. Экспериментально установлено, что максимальные значения токов стока при соединении двух транзисторов от интенсивности излучения изменяются по квадратичному закону, а фоточувствительность становится больше по сравнению с дискретной структурой. При этом максимальные значения
токов стока соответствующие световым токам дискретных транзисторов от прямосмещающего напряжения изменяются по квадратичному закону и являются продолжением темновой
передаточной характеристики, что делает возможным их использование в качестве фотоприемников в электронных схемах. В последовательно соединенных полевых транзисторах
модулируемый переход, как и в двухбарьерных структурах, управляет параметрами второго
перехода за счет перераспределения напряжения приложенного от внешнего источника питания.
Проведено дослідження функціональних характеристик польового транзистора з керуючим
р-n-переходом при різних режимах і схемах включення. Експериментально встановлено, що
максимальні значення струмів стоку при сполуці двох транзисторів від інтенсивності випромінювання змінюються за квадратичним законом, а фоточутливість стає більшою в порівнянні, с дискретною структурою. При цьому максимальнізначення струмів стоку відповідним
світловим струмам дискретних транзисторів від прямозміщеної напруги змінюються за квадратичним законом і є продовженням темнової передатної характеристики, що уможливлює їхнє використання як фотоприймачів у електронних схемах. У послідовно з’єднаних польових
транзисторах моделюючий перехід, як і у двохбар’єрних структурах, управляє параметрами
другого переходу за рахунок перерозподілу напруги прикладеного від зовнішнього джерела
живлення.
The functional characteristics of junction field-effect transistor were researched at different bias
polarities and schemes of inclusion. It was established experimentally that the maximum value of
drain current when two transistors were connected varies in a quadratic law with the radiation intensity,
and photosensitivity becomes more than in a discrete structure. In this case the maximum values of
drain current corresponding to the light currents of discrete transistors by forward voltage vary in a
quadratic law and they are a continuation of the transfer characteristics in dark, which makes possible
their use as photodetectors in electronic circuits. In the series-connected field-effect transistors
modulated junction, as in the two-barrier structures, controls the parameters of the second junction
due to redistribution of the voltage applied from an external power source.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:53:54Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98964 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:53:54Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Абдулхаев, О.А. Гиясова, Ф.А. Ёдгорова, Д.М. Каманов, Б.М. Каримов, А.В. 2016-04-19T16:43:49Z 2016-04-19T16:43:49Z 2012 Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения / О.А. Абдулхаев, Ф.А. Гиясова, Д.М. Ёдгорова, Б.М. Каманов, А.В. Каримов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 2. — С. 230–235. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98964 Проведены исследования функциональных характеристик полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах и схемах включения. Экспериментально установлено, что максимальные значения токов стока при соединении двух транзисторов от интенсивности излучения изменяются по квадратичному закону, а фоточувствительность становится больше по сравнению с дискретной структурой. При этом максимальные значения
 токов стока соответствующие световым токам дискретных транзисторов от прямосмещающего напряжения изменяются по квадратичному закону и являются продолжением темновой
 передаточной характеристики, что делает возможным их использование в качестве фотоприемников в электронных схемах. В последовательно соединенных полевых транзисторах
 модулируемый переход, как и в двухбарьерных структурах, управляет параметрами второго
 перехода за счет перераспределения напряжения приложенного от внешнего источника питания. Проведено дослідження функціональних характеристик польового транзистора з керуючим
 р-n-переходом при різних режимах і схемах включення. Експериментально встановлено, що
 максимальні значення струмів стоку при сполуці двох транзисторів від інтенсивності випромінювання змінюються за квадратичним законом, а фоточутливість стає більшою в порівнянні, с дискретною структурою. При цьому максимальнізначення струмів стоку відповідним
 світловим струмам дискретних транзисторів від прямозміщеної напруги змінюються за квадратичним законом і є продовженням темнової передатної характеристики, що уможливлює їхнє використання як фотоприймачів у електронних схемах. У послідовно з’єднаних польових
 транзисторах моделюючий перехід, як і у двохбар’єрних структурах, управляє параметрами
 другого переходу за рахунок перерозподілу напруги прикладеного від зовнішнього джерела
 живлення. The functional characteristics of junction field-effect transistor were researched at different bias
 polarities and schemes of inclusion. It was established experimentally that the maximum value of
 drain current when two transistors were connected varies in a quadratic law with the radiation intensity,
 and photosensitivity becomes more than in a discrete structure. In this case the maximum values of
 drain current corresponding to the light currents of discrete transistors by forward voltage vary in a
 quadratic law and they are a continuation of the transfer characteristics in dark, which makes possible
 their use as photodetectors in electronic circuits. In the series-connected field-effect transistors
 modulated junction, as in the two-barrier structures, controls the parameters of the second junction
 due to redistribution of the voltage applied from an external power source. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения Article published earlier |
| spellingShingle | Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения Абдулхаев, О.А. Гиясова, Ф.А. Ёдгорова, Д.М. Каманов, Б.М. Каримов, А.В. |
| title | Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения |
| title_full | Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения |
| title_fullStr | Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения |
| title_full_unstemmed | Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения |
| title_short | Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения |
| title_sort | функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98964 |
| work_keys_str_mv | AT abdulhaevoa funkcionalʹnyeharakteristikipolevogotranzistorasupravlâûŝimrnperehodomprirazličnyhrežimahvklûčeniâ AT giâsovafa funkcionalʹnyeharakteristikipolevogotranzistorasupravlâûŝimrnperehodomprirazličnyhrežimahvklûčeniâ AT edgorovadm funkcionalʹnyeharakteristikipolevogotranzistorasupravlâûŝimrnperehodomprirazličnyhrežimahvklûčeniâ AT kamanovbm funkcionalʹnyeharakteristikipolevogotranzistorasupravlâûŝimrnperehodomprirazličnyhrežimahvklûčeniâ AT karimovav funkcionalʹnyeharakteristikipolevogotranzistorasupravlâûŝimrnperehodomprirazličnyhrežimahvklûčeniâ |