Зображення обкладинки

Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения

Проведены исследования функциональных характеристик полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах и схемах включения. Экспериментально установлено, что максимальные значения токов стока при соединении двух транзисторов от интенсивности излучения изменяются по квадратичному з...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Физическая инженерия поверхности
Дата:	2012
Автори:	Абдулхаев, О.А., Гиясова, Ф.А., Ёдгорова, Д.М., Каманов, Б.М., Каримов, А.В.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2012
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98964
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения / О.А. Абдулхаев, Ф.А. Гиясова, Д.М. Ёдгорова, Б.М. Каманов, А.В. Каримов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 2. — С. 230–235. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
за авторством: Ёдгорова, Д.М.
Опубліковано: (2006)

Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2015)

Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
за авторством: Yodgorova, D. M.
Опубліковано: (2006)

Исследование эффекта насыщения тока стока полевого транзистора с последовательно соединенными каналами
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода
за авторством: Ёдгорова, Д.М.
Опубліковано: (2005)

Фототранзистор составной на полевых транзисторах
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора
за авторством: Ёдгорова, Д.М.
Опубліковано: (2006)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре
за авторством: Абдулхаев, О.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Модель алмазного транзистора
за авторством: Алтухов, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Ионный инжектор полевого типа
за авторством: Возный, В.И., та інші
Опубліковано: (2010)

Модель алмазного транзистора
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2008)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2008)

Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2007)

Когнитивная фразеология: опыт полевого анализа
за авторством: Эмирова, А.М.
Опубліковано: (2002)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора
за авторством: Yodgorova, D. М.
Опубліковано: (2006)

Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2014)

Физические явления в тонкобазовых транзисторных структурах
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2015)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Збудження ядер електронним переходом
за авторством: Dzyublik, A. Ya.
Опубліковано: (2018)

Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2013)

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)

Комплексная оценка поврежденности пластичных материалов при различных режимах нагружения
за авторством: Чаусов, Н.Г., та інші
Опубліковано: (2004)

Кинетика накопления повреждений теплоустойчивых сталей при различных режимах нагружения
за авторством: Гигиняк, Ф.Ф., та інші
Опубліковано: (2010)

Принципы полнофакторного численно-полевого анализа режима нагрузки турбогенератора
за авторством: Милых, В.И., та інші
Опубліковано: (2009)

Уроки тяжелых аварий применительно к информационным и управляющим системам АЭС Украины
за авторством: Ястребенецкий, М.А., та інші
Опубліковано: (2016)

СИЛОВЫЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ В ТУРБОГЕНЕРАТОРЕ В РАЗЛИЧНЫХ СТАЦИОНАРНЫХ РЕЖИМАХ РАБОТЫ
за авторством: Милых , В.И., та інші
Опубліковано: (2013)

Силовые взаимодействия в турбогенераторе в различных стационарных режимах работы
за авторством: Милых, В.И., та інші
Опубліковано: (2013)

Движение жидкости в капилляре при различных режимах ультразвукового воздействия
за авторством: Розина, Е.Ю.
Опубліковано: (2001)

СИЛОВЫЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ В ТУРБОГЕНЕРАТОРЕ В РАЗЛИЧНЫХ СТАЦИОНАРНЫХ РЕЖИМАХ РАБОТЫ
за авторством: Милых , В.И., та інші
Опубліковано: (2013)

Малосигнальная модель транзистора в разработке СВЧ малошумящих усилителей
за авторством: Емцев, П.А.
Опубліковано: (2004)

Автохвилі, спричинені фазовим переходом першого роду
за авторством: Bulavin, L.A., та інші
Опубліковано: (2022)

Полевая ионная микроскопия сплавов в условиях стимулированного полевого испарения
за авторством: Ксенофонтов, В.А., та інші
Опубліковано: (2006)

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Дифференциальные включения с производной Хукухары
за авторством: Комлева, Т.А., та інші
Опубліковано: (2007)

Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора
за авторством: Леонов, Н.И., та інші
Опубліковано: (2006)

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
за авторством: Абдулхаев, О.А., та інші
Опубліковано: (2015)