Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения

• Published in: Физическая инженерия поверхности
• Date: 2012
• Main Authors: Абдулхаев, О.А., Гиясова, Ф.А., Ёдгорова, Д.М., Каманов, Б.М., Каримов, А.В.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2012
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98964
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения / О.А. Абдулхаев, Ф.А. Гиясова, Д.М. Ёдгорова, Б.М. Каманов, А.В. Каримов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 2. — С. 230–235. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Проведены исследования функциональных характеристик полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах и схемах включения. Экспериментально установлено, что максимальные значения токов стока при соединении двух транзисторов от интенсивности излучения изменяются по квадратичному з...