Structural transformation in C/Si multilayer after annealing

• Published in: Физическая инженерия поверхности
• Date: 2012
• Main Authors: Zhuravel, I.O., Bugayev, Ye.A., Konotopsky, L.E., Zubarev, E.M., Sevryukova, V.A., Kondratenko, V.V.
• Format: Article
• Language: English
• Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2012
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98978
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Structural transformation in C/Si multilayer after annealing / I.O. Zhuravel, Ye.A. Bugayev, L.E. Konotopsky, E.M. Zubarev, V.A. Sevryukova, V.V. Kondratenko // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 3. — С. 314–318. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.

Amorphous C/Si multilayers were prepared by DC magnetron sputtering technique and investigated by transmission electron microscopy and low-angle x-ray diffraction methods after annealing at 650 and 950 °C. The amorphous interlayers of 0.5 − 0.6 nm thick were found at C/Si and Si/C interfaces being of different density and composition. Amorphous structure of the multilayer is stable up to 950 °C when crystallization of α-SiC occurs and voids form in α-Si layer. Изготовленные методом прямоточного магнетронного распыления аморфные многослойные композиции C/Si были исследованы методами просвечивающей электронной микроскопии и малоугловой рентгеновской дифракции после отжигов при температуре 650 и 950 °C. На границах раздела C/Si и Si/C обнаружены аморфные перемешанные зоны толщиной 0.5 – 0.6 нм c различными плотностью и составом. Аморфная структура многослойной композиции стабильна вплоть до 950 °C, когда наблюдается формирование пор в слоях α-Si и кристаллизация α-SiC. Виготовлені методом прямоточногомагнетронного розпилення аморфні багатошарові композиції C/Si було досліджено методами просвічувальної електронної мікроскопії та малокутової рентгенівської дифракції після відпалу при температурі 650 і 950 °C. На межах поділу C/Si та Si/C виявлені аморфні перемішані зони різної густини та складу завтовшки 0.5 – 0.6 нм. Аморфна структура багатошарової композиції є стабільною до 950 °C, коли спостерігається формування пор у шарах α-Si у та кристалізація α-SiC.