Structural transformation in C/Si multilayer after annealing
Amorphous C/Si multilayers were prepared by DC magnetron sputtering technique and investigated by transmission electron microscopy and low-angle x-ray diffraction methods after annealing at 650 and 950 °C. The amorphous interlayers of 0.5 − 0.6 nm thick were found at C/Si and Si/C interfaces bein...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2012
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98978 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Structural transformation in C/Si multilayer after annealing / I.O. Zhuravel, Ye.A. Bugayev, L.E. Konotopsky, E.M. Zubarev, V.A. Sevryukova, V.V. Kondratenko // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 3. — С. 314–318. — Бібліогр.: 13 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859892624967598080 |
|---|---|
| author | Zhuravel, I.O. Bugayev, Ye.A. Konotopsky, L.E. Zubarev, E.M. Sevryukova, V.A. Kondratenko, V.V. |
| author_facet | Zhuravel, I.O. Bugayev, Ye.A. Konotopsky, L.E. Zubarev, E.M. Sevryukova, V.A. Kondratenko, V.V. |
| citation_txt | Structural transformation in C/Si multilayer after annealing / I.O. Zhuravel, Ye.A. Bugayev, L.E. Konotopsky, E.M. Zubarev, V.A. Sevryukova, V.V. Kondratenko // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 3. — С. 314–318. — Бібліогр.: 13 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | Amorphous C/Si multilayers were prepared by DC magnetron sputtering technique and investigated
by transmission electron microscopy and low-angle x-ray diffraction methods after annealing at 650
and 950 °C. The amorphous interlayers of 0.5 − 0.6 nm thick were found at C/Si and Si/C interfaces
being of different density and composition. Amorphous structure of the multilayer is stable up to
950 °C when crystallization of α-SiC occurs and voids form in α-Si layer.
Изготовленные методом прямоточного магнетронного распыления аморфные многослойные
композиции C/Si были исследованы методами просвечивающей электронной микроскопии и
малоугловой рентгеновской дифракции после отжигов при температуре 650 и 950 °C. На границах
раздела C/Si и Si/C обнаружены аморфные перемешанные зоны толщиной 0.5 – 0.6 нм c различными плотностью и составом. Аморфная структура многослойной композиции стабильна
вплоть до 950 °C, когда наблюдается формирование пор в слоях α-Si и кристаллизация α-SiC.
Виготовлені методом прямоточногомагнетронного розпилення аморфні багатошарові композиції
C/Si було досліджено методами просвічувальної електронної мікроскопії та малокутової рентгенівської дифракції після відпалу при температурі 650 і 950 °C. На межах поділу C/Si та Si/C
виявлені аморфні перемішані зони різної густини та складу завтовшки 0.5 – 0.6 нм. Аморфна
структура багатошарової композиції є стабільною до 950 °C, коли спостерігається формування
пор у шарах α-Si у та кристалізація α-SiC.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:54:05Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98978 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T15:54:05Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Zhuravel, I.O. Bugayev, Ye.A. Konotopsky, L.E. Zubarev, E.M. Sevryukova, V.A. Kondratenko, V.V. 2016-04-19T18:24:46Z 2016-04-19T18:24:46Z 2012 Structural transformation in C/Si multilayer after annealing / I.O. Zhuravel, Ye.A. Bugayev, L.E. Konotopsky, E.M. Zubarev, V.A. Sevryukova, V.V. Kondratenko // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 3. — С. 314–318. — Бібліогр.: 13 назв. — англ. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98978 536.248.1; 539.26; 538.971 Amorphous C/Si multilayers were prepared by DC magnetron sputtering technique and investigated by transmission electron microscopy and low-angle x-ray diffraction methods after annealing at 650 and 950 °C. The amorphous interlayers of 0.5 − 0.6 nm thick were found at C/Si and Si/C interfaces being of different density and composition. Amorphous structure of the multilayer is stable up to 950 °C when crystallization of α-SiC occurs and voids form in α-Si layer. Изготовленные методом прямоточного магнетронного распыления аморфные многослойные композиции C/Si были исследованы методами просвечивающей электронной микроскопии и малоугловой рентгеновской дифракции после отжигов при температуре 650 и 950 °C. На границах раздела C/Si и Si/C обнаружены аморфные перемешанные зоны толщиной 0.5 – 0.6 нм c различными плотностью и составом. Аморфная структура многослойной композиции стабильна вплоть до 950 °C, когда наблюдается формирование пор в слоях α-Si и кристаллизация α-SiC. Виготовлені методом прямоточногомагнетронного розпилення аморфні багатошарові композиції C/Si було досліджено методами просвічувальної електронної мікроскопії та малокутової рентгенівської дифракції після відпалу при температурі 650 і 950 °C. На межах поділу C/Si та Si/C виявлені аморфні перемішані зони різної густини та складу завтовшки 0.5 – 0.6 нм. Аморфна структура багатошарової композиції є стабільною до 950 °C, коли спостерігається формування пор у шарах α-Si у та кристалізація α-SiC. en Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Structural transformation in C/Si multilayer after annealing Article published earlier |
| spellingShingle | Structural transformation in C/Si multilayer after annealing Zhuravel, I.O. Bugayev, Ye.A. Konotopsky, L.E. Zubarev, E.M. Sevryukova, V.A. Kondratenko, V.V. |
| title | Structural transformation in C/Si multilayer after annealing |
| title_full | Structural transformation in C/Si multilayer after annealing |
| title_fullStr | Structural transformation in C/Si multilayer after annealing |
| title_full_unstemmed | Structural transformation in C/Si multilayer after annealing |
| title_short | Structural transformation in C/Si multilayer after annealing |
| title_sort | structural transformation in c/si multilayer after annealing |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98978 |
| work_keys_str_mv | AT zhuravelio structuraltransformationincsimultilayerafterannealing AT bugayevyea structuraltransformationincsimultilayerafterannealing AT konotopskyle structuraltransformationincsimultilayerafterannealing AT zubarevem structuraltransformationincsimultilayerafterannealing AT sevryukovava structuraltransformationincsimultilayerafterannealing AT kondratenkovv structuraltransformationincsimultilayerafterannealing |