Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал

• Опубліковано в: : Физическая инженерия поверхности
• Дата: 2013
• Автори: Біщанюк, Т.М., Балабан, О.В., Григорчак, І.І., Фечан, А.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Українська
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2013
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99812
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал / Т.М. Біщанюк, О.В. Балабан, І.І. Григорчак, А.В. Фечан // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 1. — С. 91–96. — Бібліогр.: 12 назв. — укр.

Представлено результати дослідження характеристик селеніду галію з впровадженим між його шари сегнетоелектричним рідким кристалом (segnRK), що складається з ахірального смектика (похіднафенілбензоату) та хіральної компоненти. Встановлено характер змін частотної поведінки питомого імпедансу, діелектричної проникності та тангенса кута втрат при різних температурах та після ультразвукового опромінення протягом 5 та 15 хвилин. З’ясовано відмінність між впливом поля акустичної хвилі і температури на властивості наноструктури GaSe<segnRK>. Представлены результаты исследования характеристик селенида галлия с введенным между его слои сегнетоэлектрическим жидким кристаллом (segnRK), состоящего из ахирального смектика (производная фенилбензоата) и хиральной компоненты. Установлен характер изменений частотного поведения удельного импеданса, диэлектрической проницаемости и тангенса угла потерь при разных температурах и после ультразвукового облучения на протяжении 5 и 15 минут. Выяснено отличие между влиянием поля акустической волны и температуры на свойства наноструктуры GaSe<segnRK>. The results of the research of characteristics of gallium selenide with intercalated between the layers ferroelectric liquid crystals (segnRK) which consisted of an achiral smektyk (derivative of phenyl benzoate) and a chiral component were presented. The character of frequency behavior change of specific impedance, dielectric permittivity and tangent of angle’s loss at different temperatures and after ultrasonic irradiation for 5 and 15 minutes was established. The difference between the influence of acoustic wave field and temperature for properties of nanostructure GaSe<segnRK> was revealed