Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал
Представлено результати дослідження характеристик селеніду галію з впровадженим між його
 шари сегнетоелектричним рідким кристалом (segnRK), що складається з ахірального смектика
 (похіднафенілбензоату) та хіральної компоненти. Встановлено характер змін частотної поведінки
...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2013 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2013
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99812 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал / Т.М. Біщанюк, О.В. Балабан, І.І. Григорчак, А.В. Фечан // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 1. — С. 91–96. — Бібліогр.: 12 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862637229813268480 |
|---|---|
| author | Біщанюк, Т.М. Балабан, О.В. Григорчак, І.І. Фечан, А.В. |
| author_facet | Біщанюк, Т.М. Балабан, О.В. Григорчак, І.І. Фечан, А.В. |
| citation_txt | Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал / Т.М. Біщанюк, О.В. Балабан, І.І. Григорчак, А.В. Фечан // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 1. — С. 91–96. — Бібліогр.: 12 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | Представлено результати дослідження характеристик селеніду галію з впровадженим між його
шари сегнетоелектричним рідким кристалом (segnRK), що складається з ахірального смектика
(похіднафенілбензоату) та хіральної компоненти. Встановлено характер змін частотної поведінки
питомого імпедансу, діелектричної проникності та тангенса кута втрат при різних температурах
та після ультразвукового опромінення протягом 5 та 15 хвилин. З’ясовано відмінність між впливом
поля акустичної хвилі і температури на властивості наноструктури GaSe<segnRK>.
Представлены результаты исследования характеристик селенида галлия с введенным между
его слои сегнетоэлектрическим жидким кристаллом (segnRK), состоящего из ахирального
смектика (производная фенилбензоата) и хиральной компоненты. Установлен характер
изменений частотного поведения удельного импеданса, диэлектрической проницаемости и
тангенса угла потерь при разных температурах и после ультразвукового облучения на протяжении
5 и 15 минут. Выяснено отличие между влиянием поля акустической волны и температуры на
свойства наноструктуры GaSe<segnRK>.
The results of the research of characteristics of gallium selenide with intercalated between the layers
ferroelectric liquid crystals (segnRK) which consisted of an achiral smektyk (derivative of phenyl
benzoate) and a chiral component were presented. The character of frequency behavior change of
specific impedance, dielectric permittivity and tangent of angle’s loss at different temperatures and
after ultrasonic irradiation for 5 and 15 minutes was established. The difference between the influence
of acoustic wave field and temperature for properties of nanostructure GaSe<segnRK> was revealed
|
| first_indexed | 2025-11-30T22:37:20Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-99812 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-11-30T22:37:20Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Біщанюк, Т.М. Балабан, О.В. Григорчак, І.І. Фечан, А.В. 2016-05-03T15:11:02Z 2016-05-03T15:11:02Z 2013 Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал / Т.М. Біщанюк, О.В. Балабан, І.І. Григорчак, А.В. Фечан // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 1. — С. 91–96. — Бібліогр.: 12 назв. — укр. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99812 621.315.562 Представлено результати дослідження характеристик селеніду галію з впровадженим між його
 шари сегнетоелектричним рідким кристалом (segnRK), що складається з ахірального смектика
 (похіднафенілбензоату) та хіральної компоненти. Встановлено характер змін частотної поведінки
 питомого імпедансу, діелектричної проникності та тангенса кута втрат при різних температурах
 та після ультразвукового опромінення протягом 5 та 15 хвилин. З’ясовано відмінність між впливом
 поля акустичної хвилі і температури на властивості наноструктури GaSe<segnRK>. Представлены результаты исследования характеристик селенида галлия с введенным между
 его слои сегнетоэлектрическим жидким кристаллом (segnRK), состоящего из ахирального
 смектика (производная фенилбензоата) и хиральной компоненты. Установлен характер
 изменений частотного поведения удельного импеданса, диэлектрической проницаемости и
 тангенса угла потерь при разных температурах и после ультразвукового облучения на протяжении
 5 и 15 минут. Выяснено отличие между влиянием поля акустической волны и температуры на
 свойства наноструктуры GaSe<segnRK>. The results of the research of characteristics of gallium selenide with intercalated between the layers
 ferroelectric liquid crystals (segnRK) which consisted of an achiral smektyk (derivative of phenyl
 benzoate) and a chiral component were presented. The character of frequency behavior change of
 specific impedance, dielectric permittivity and tangent of angle’s loss at different temperatures and
 after ultrasonic irradiation for 5 and 15 minutes was established. The difference between the influence
 of acoustic wave field and temperature for properties of nanostructure GaSe<segnRK> was revealed uk Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал Формирование и свойства интеркалатных наноструктур конфигурации неорганический полупроводник/сегнетоэлектрический жидкий кристалл Formation and properties of intercalated nanostructures of configuration nonorganic semiconductor/ferroelectric liquid crystal Article published earlier |
| spellingShingle | Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал Біщанюк, Т.М. Балабан, О.В. Григорчак, І.І. Фечан, А.В. |
| title | Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал |
| title_alt | Формирование и свойства интеркалатных наноструктур конфигурации неорганический полупроводник/сегнетоэлектрический жидкий кристалл Formation and properties of intercalated nanostructures of configuration nonorganic semiconductor/ferroelectric liquid crystal |
| title_full | Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал |
| title_fullStr | Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал |
| title_full_unstemmed | Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал |
| title_short | Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал |
| title_sort | формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99812 |
| work_keys_str_mv | AT bíŝanûktm formuvannâtavlastivostíínterkalatnihnanostrukturkonfíguracííneorganíčniinapívprovídniksegnetoelektričniirídkiikristal AT balabanov formuvannâtavlastivostíínterkalatnihnanostrukturkonfíguracííneorganíčniinapívprovídniksegnetoelektričniirídkiikristal AT grigorčakíí formuvannâtavlastivostíínterkalatnihnanostrukturkonfíguracííneorganíčniinapívprovídniksegnetoelektričniirídkiikristal AT fečanav formuvannâtavlastivostíínterkalatnihnanostrukturkonfíguracííneorganíčniinapívprovídniksegnetoelektričniirídkiikristal AT bíŝanûktm formirovanieisvoistvainterkalatnyhnanostrukturkonfiguraciineorganičeskiipoluprovodniksegnetoélektričeskiižidkiikristall AT balabanov formirovanieisvoistvainterkalatnyhnanostrukturkonfiguraciineorganičeskiipoluprovodniksegnetoélektričeskiižidkiikristall AT grigorčakíí formirovanieisvoistvainterkalatnyhnanostrukturkonfiguraciineorganičeskiipoluprovodniksegnetoélektričeskiižidkiikristall AT fečanav formirovanieisvoistvainterkalatnyhnanostrukturkonfiguraciineorganičeskiipoluprovodniksegnetoélektričeskiižidkiikristall AT bíŝanûktm formationandpropertiesofintercalatednanostructuresofconfigurationnonorganicsemiconductorferroelectricliquidcrystal AT balabanov formationandpropertiesofintercalatednanostructuresofconfigurationnonorganicsemiconductorferroelectricliquidcrystal AT grigorčakíí formationandpropertiesofintercalatednanostructuresofconfigurationnonorganicsemiconductorferroelectricliquidcrystal AT fečanav formationandpropertiesofintercalatednanostructuresofconfigurationnonorganicsemiconductorferroelectricliquidcrystal |