Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал

Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал

Представлено результати дослідження характеристик селеніду галію з впровадженим між його шари сегнетоелектричним рідким кристалом (segnRK), що складається з ахірального смектика (похіднафенілбензоату) та хіральної компоненти. Встановлено характер змін частотної поведінки питомого імпедансу, ді...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физическая инженерия поверхности
Datum:2013
Hauptverfasser: Біщанюк, Т.М., Балабан, О.В., Григорчак, І.І., Фечан, А.В.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2013
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99812
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал / Т.М. Біщанюк, О.В. Балабан, І.І. Григорчак, А.В. Фечан // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 1. — С. 91–96. — Бібліогр.: 12 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-99812
record_format dspace
spelling Біщанюк, Т.М.
Балабан, О.В.
Григорчак, І.І.
Фечан, А.В.
2016-05-03T15:11:02Z
2016-05-03T15:11:02Z
2013
Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал / Т.М. Біщанюк, О.В. Балабан, І.І. Григорчак, А.В. Фечан // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 1. — С. 91–96. — Бібліогр.: 12 назв. — укр.
1999-8074
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99812
621.315.562
Представлено результати дослідження характеристик селеніду галію з впровадженим між його шари сегнетоелектричним рідким кристалом (segnRK), що складається з ахірального смектика (похіднафенілбензоату) та хіральної компоненти. Встановлено характер змін частотної поведінки питомого імпедансу, діелектричної проникності та тангенса кута втрат при різних температурах та після ультразвукового опромінення протягом 5 та 15 хвилин. З’ясовано відмінність між впливом поля акустичної хвилі і температури на властивості наноструктури GaSe<segnRK>.
Представлены результаты исследования характеристик селенида галлия с введенным между его слои сегнетоэлектрическим жидким кристаллом (segnRK), состоящего из ахирального смектика (производная фенилбензоата) и хиральной компоненты. Установлен характер изменений частотного поведения удельного импеданса, диэлектрической проницаемости и тангенса угла потерь при разных температурах и после ультразвукового облучения на протяжении 5 и 15 минут. Выяснено отличие между влиянием поля акустической волны и температуры на свойства наноструктуры GaSe<segnRK>.
The results of the research of characteristics of gallium selenide with intercalated between the layers ferroelectric liquid crystals (segnRK) which consisted of an achiral smektyk (derivative of phenyl benzoate) and a chiral component were presented. The character of frequency behavior change of specific impedance, dielectric permittivity and tangent of angle’s loss at different temperatures and after ultrasonic irradiation for 5 and 15 minutes was established. The difference between the influence of acoustic wave field and temperature for properties of nanostructure GaSe<segnRK> was revealed
uk
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Физическая инженерия поверхности
Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал
Формирование и свойства интеркалатных наноструктур конфигурации неорганический полупроводник/сегнетоэлектрический жидкий кристалл
Formation and properties of intercalated nanostructures of configuration nonorganic semiconductor/ferroelectric liquid crystal
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал
spellingShingle Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал
Біщанюк, Т.М.
Балабан, О.В.
Григорчак, І.І.
Фечан, А.В.
title_short Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал
title_full Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал
title_fullStr Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал
title_full_unstemmed Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал
title_sort формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал
author Біщанюк, Т.М.
Балабан, О.В.
Григорчак, І.І.
Фечан, А.В.
author_facet Біщанюк, Т.М.
Балабан, О.В.
Григорчак, І.І.
Фечан, А.В.
publishDate 2013
language Ukrainian
container_title Физическая инженерия поверхности
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
format Article
title_alt Формирование и свойства интеркалатных наноструктур конфигурации неорганический полупроводник/сегнетоэлектрический жидкий кристалл
Formation and properties of intercalated nanostructures of configuration nonorganic semiconductor/ferroelectric liquid crystal
description Представлено результати дослідження характеристик селеніду галію з впровадженим між його шари сегнетоелектричним рідким кристалом (segnRK), що складається з ахірального смектика (похіднафенілбензоату) та хіральної компоненти. Встановлено характер змін частотної поведінки питомого імпедансу, діелектричної проникності та тангенса кута втрат при різних температурах та після ультразвукового опромінення протягом 5 та 15 хвилин. З’ясовано відмінність між впливом поля акустичної хвилі і температури на властивості наноструктури GaSe<segnRK>. Представлены результаты исследования характеристик селенида галлия с введенным между его слои сегнетоэлектрическим жидким кристаллом (segnRK), состоящего из ахирального смектика (производная фенилбензоата) и хиральной компоненты. Установлен характер изменений частотного поведения удельного импеданса, диэлектрической проницаемости и тангенса угла потерь при разных температурах и после ультразвукового облучения на протяжении 5 и 15 минут. Выяснено отличие между влиянием поля акустической волны и температуры на свойства наноструктуры GaSe<segnRK>. The results of the research of characteristics of gallium selenide with intercalated between the layers ferroelectric liquid crystals (segnRK) which consisted of an achiral smektyk (derivative of phenyl benzoate) and a chiral component were presented. The character of frequency behavior change of specific impedance, dielectric permittivity and tangent of angle’s loss at different temperatures and after ultrasonic irradiation for 5 and 15 minutes was established. The difference between the influence of acoustic wave field and temperature for properties of nanostructure GaSe<segnRK> was revealed
issn 1999-8074
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99812
citation_txt Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал / Т.М. Біщанюк, О.В. Балабан, І.І. Григорчак, А.В. Фечан // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 1. — С. 91–96. — Бібліогр.: 12 назв. — укр.
work_keys_str_mv AT bíŝanûktm formuvannâtavlastivostíínterkalatnihnanostrukturkonfíguracííneorganíčniinapívprovídniksegnetoelektričniirídkiikristal
AT balabanov formuvannâtavlastivostíínterkalatnihnanostrukturkonfíguracííneorganíčniinapívprovídniksegnetoelektričniirídkiikristal
AT grigorčakíí formuvannâtavlastivostíínterkalatnihnanostrukturkonfíguracííneorganíčniinapívprovídniksegnetoelektričniirídkiikristal
AT fečanav formuvannâtavlastivostíínterkalatnihnanostrukturkonfíguracííneorganíčniinapívprovídniksegnetoelektričniirídkiikristal
AT bíŝanûktm formirovanieisvoistvainterkalatnyhnanostrukturkonfiguraciineorganičeskiipoluprovodniksegnetoélektričeskiižidkiikristall
AT balabanov formirovanieisvoistvainterkalatnyhnanostrukturkonfiguraciineorganičeskiipoluprovodniksegnetoélektričeskiižidkiikristall
AT grigorčakíí formirovanieisvoistvainterkalatnyhnanostrukturkonfiguraciineorganičeskiipoluprovodniksegnetoélektričeskiižidkiikristall
AT fečanav formirovanieisvoistvainterkalatnyhnanostrukturkonfiguraciineorganičeskiipoluprovodniksegnetoélektričeskiižidkiikristall
AT bíŝanûktm formationandpropertiesofintercalatednanostructuresofconfigurationnonorganicsemiconductorferroelectricliquidcrystal
AT balabanov formationandpropertiesofintercalatednanostructuresofconfigurationnonorganicsemiconductorferroelectricliquidcrystal
AT grigorčakíí formationandpropertiesofintercalatednanostructuresofconfigurationnonorganicsemiconductorferroelectricliquidcrystal
AT fečanav formationandpropertiesofintercalatednanostructuresofconfigurationnonorganicsemiconductorferroelectricliquidcrystal
first_indexed 2025-11-30T22:37:20Z
last_indexed 2025-11-30T22:37:20Z
_version_ 1850858584281186304

Ähnliche Einträge