Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника
На основе соединений A²B⁶ создана пленочная In-n⁺(CdS)-n(CdSx
 Te1-x)-p(Znx
 Cd1-xTe)-Mo-структура фоточувствительная в диапазоне длин волн λ = 0,49–0,855 мкм при комнатных
 температурах. Новизной в устройстве является наличие твердых растворов соединений
 A²B⁶,...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2013 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2013
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99816 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника / Ш.А. Мирсагатов, О.К. Атабоев, Б.Н. Заверюхин // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 1. — С. 122–128. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862667351891116032 |
|---|---|
| author | Мирсагатов, Ш.А. Атабоев, О.К. Заверюхин, Б.Н. |
| author_facet | Мирсагатов, Ш.А. Атабоев, О.К. Заверюхин, Б.Н. |
| citation_txt | Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника / Ш.А. Мирсагатов, О.К. Атабоев, Б.Н. Заверюхин // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 1. — С. 122–128. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | На основе соединений A²B⁶ создана пленочная In-n⁺(CdS)-n(CdSx
Te1-x)-p(Znx
Cd1-xTe)-Mo-структура фоточувствительная в диапазоне длин волн λ = 0,49–0,855 мкм при комнатных
температурах. Новизной в устройстве является наличие твердых растворов соединений
A²B⁶, что позволяет расширить диапазон спектральной чувствительности. При пропускном
направлении тока (когда положительный потенциал “+V” приложен к Мо-контакту) структура
ведет себя как фотоприемник с инверсией знака фототока I(λ) способного без помех эффективно
регистрировать длины волн видимой области спектра. При обратных направлениях фототока
структура работает в режиме внутреннего усиления первичного фототока и представляет собой
основу для создания инжекционного фотоприемника с высокой спектральной фоточувствительностью в видимой области спектра. Выявлены механизмы усиления и инверсии фототока.
На основіз’єднань A²B⁶ створена плівкова Іn-n⁺ (CdS)-n(CdSx
Te1-x)-p(Znx
Cd1-xTe)-Mo-структура
фоточутлива в діапазоні довжин хвиль λ = 0,49-0,855 напівтемних при кімнатних температурах.
Новизною в пристрої є наявність твердих розчинів з’єднань A²B⁶, що дозволяє розширити діапазон
спектральної чутливості. При пропускному напрямку струму (коли позитивний потенціал “+V”
прикладений до Мо-контакту) структура поводиться як фотоприймач із інверсією знака
фотоструму I(λ) здатного без перешкод ефективно реєструвати довжини хвиль видимої області
спектра. При зворотних напрямках фотоструму структура працює в режимі внутрішнього
посилення первинного фотоструму і являє собою основу для створення инжекционного фотоприймача з високою спектральною фоточутливістю у видимій області спектра. Виявлено
механізми посилення й інверсії фотоструму.
Photosensitive film structure of A²B⁶
compounds In-n⁺(CdS)-n(CdSx
Te1-x)-p(Znx
Cd1-xTe)-Mois
created for wave range λ = 0,49-0,855 јm and for work at room temperatures. Novelty of the
de-vice is presence of solid solutions A²B⁶, that allows to expand its spectral sensitivity range.
The structure behaves as the photoreceivers with inversion of mark of photocurrent I(λ) if positive
potential “+V” is enclosed to Мо- to contact. The inversion structure capable effectively to register
without handicapes different waves of the visible spectral range. The structure increases
a primary photocurrent at reverse bias, when potential “−V” is applied to Mo- contact. In this
case the structure is a basis for creation of injection photoreceiver, which has high spectral photosensitivity
in the visible spectral range.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:21:44Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-99816 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T15:21:44Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Мирсагатов, Ш.А. Атабоев, О.К. Заверюхин, Б.Н. 2016-05-03T15:56:26Z 2016-05-03T15:56:26Z 2013 Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника / Ш.А. Мирсагатов, О.К. Атабоев, Б.Н. Заверюхин // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 1. — С. 122–128. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99816 53.043;53.023;539.234 На основе соединений A²B⁶ создана пленочная In-n⁺(CdS)-n(CdSx
 Te1-x)-p(Znx
 Cd1-xTe)-Mo-структура фоточувствительная в диапазоне длин волн λ = 0,49–0,855 мкм при комнатных
 температурах. Новизной в устройстве является наличие твердых растворов соединений
 A²B⁶, что позволяет расширить диапазон спектральной чувствительности. При пропускном
 направлении тока (когда положительный потенциал “+V” приложен к Мо-контакту) структура
 ведет себя как фотоприемник с инверсией знака фототока I(λ) способного без помех эффективно
 регистрировать длины волн видимой области спектра. При обратных направлениях фототока
 структура работает в режиме внутреннего усиления первичного фототока и представляет собой
 основу для создания инжекционного фотоприемника с высокой спектральной фоточувствительностью в видимой области спектра. Выявлены механизмы усиления и инверсии фототока. На основіз’єднань A²B⁶ створена плівкова Іn-n⁺ (CdS)-n(CdSx
 Te1-x)-p(Znx
 Cd1-xTe)-Mo-структура
 фоточутлива в діапазоні довжин хвиль λ = 0,49-0,855 напівтемних при кімнатних температурах.
 Новизною в пристрої є наявність твердих розчинів з’єднань A²B⁶, що дозволяє розширити діапазон
 спектральної чутливості. При пропускному напрямку струму (коли позитивний потенціал “+V”
 прикладений до Мо-контакту) структура поводиться як фотоприймач із інверсією знака
 фотоструму I(λ) здатного без перешкод ефективно реєструвати довжини хвиль видимої області
 спектра. При зворотних напрямках фотоструму структура працює в режимі внутрішнього
 посилення первинного фотоструму і являє собою основу для створення инжекционного фотоприймача з високою спектральною фоточутливістю у видимій області спектра. Виявлено
 механізми посилення й інверсії фотоструму. Photosensitive film structure of A²B⁶
 compounds In-n⁺(CdS)-n(CdSx
 Te1-x)-p(Znx
 Cd1-xTe)-Mois
 created for wave range λ = 0,49-0,855 јm and for work at room temperatures. Novelty of the
 de-vice is presence of solid solutions A²B⁶, that allows to expand its spectral sensitivity range.
 The structure behaves as the photoreceivers with inversion of mark of photocurrent I(λ) if positive
 potential “+V” is enclosed to Мо- to contact. The inversion structure capable effectively to register
 without handicapes different waves of the visible spectral range. The structure increases
 a primary photocurrent at reverse bias, when potential “−V” is applied to Mo- contact. In this
 case the structure is a basis for creation of injection photoreceiver, which has high spectral photosensitivity
 in the visible spectral range. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника Спектральні властивості М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структури для інжекційоного фотоприймача Spectral properties of М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-structure for injection photoreceiver Article published earlier |
| spellingShingle | Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника Мирсагатов, Ш.А. Атабоев, О.К. Заверюхин, Б.Н. |
| title | Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника |
| title_alt | Спектральні властивості М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структури для інжекційоного фотоприймача Spectral properties of М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-structure for injection photoreceiver |
| title_full | Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника |
| title_fullStr | Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника |
| title_full_unstemmed | Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника |
| title_short | Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника |
| title_sort | спектральные свойства м-n⁺cds-ncdsхte1-х-pznхcd1-хte-mо-структуры для инжекционного фотоприемника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99816 |
| work_keys_str_mv | AT mirsagatovša spektralʹnyesvoistvamncdsncdshte1hpznhcd1htemostrukturydlâinžekcionnogofotopriemnika AT ataboevok spektralʹnyesvoistvamncdsncdshte1hpznhcd1htemostrukturydlâinžekcionnogofotopriemnika AT zaverûhinbn spektralʹnyesvoistvamncdsncdshte1hpznhcd1htemostrukturydlâinžekcionnogofotopriemnika AT mirsagatovša spektralʹnívlastivostímncdsncdshte1hpznhcd1htemostrukturidlâínžekcíionogofotopriimača AT ataboevok spektralʹnívlastivostímncdsncdshte1hpznhcd1htemostrukturidlâínžekcíionogofotopriimača AT zaverûhinbn spektralʹnívlastivostímncdsncdshte1hpznhcd1htemostrukturidlâínžekcíionogofotopriimača AT mirsagatovša spectralpropertiesofmncdsncdshte1hpznhcd1htemostructureforinjectionphotoreceiver AT ataboevok spectralpropertiesofmncdsncdshte1hpznhcd1htemostructureforinjectionphotoreceiver AT zaverûhinbn spectralpropertiesofmncdsncdshte1hpznhcd1htemostructureforinjectionphotoreceiver |