Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника
На основе соединений A²B⁶ создана пленочная In-n⁺(CdS)-n(CdSx
 Te1-x)-p(Znx
 Cd1-xTe)-Mo-структура фоточувствительная в диапазоне длин волн λ = 0,49–0,855 мкм при комнатных
 температурах. Новизной в устройстве является наличие твердых растворов соединений
 A²B⁶,...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2013 |
| Автори: | Мирсагатов, Ш.А., Атабоев, О.К., Заверюхин, Б.Н. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2013
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99816 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника / Ш.А. Мирсагатов, О.К. Атабоев, Б.Н. Заверюхин // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 1. — С. 122–128. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода
за авторством: Сапаев, И.Б., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Сапаев, И.Б., та інші
Опубліковано: (2014)
The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n+CdS heterostructures
за авторством: I. B. Sapaev
Опубліковано: (2013)
за авторством: I. B. Sapaev
Опубліковано: (2013)
The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures
за авторством: Sapaev, I.B.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Sapaev, I.B.
Опубліковано: (2013)
Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
за авторством: Zagoruiko, Yu. A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Zagoruiko, Yu. A., та інші
Опубліковано: (2011)
Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
за авторством: Загоруйко, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Загоруйко, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2011)
Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки
за авторством: Мирсагатов, Ш.А., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Мирсагатов, Ш.А., та інші
Опубліковано: (2013)
Influence of the ultrasonic irradiation on properties of the injection sensor based on pSi-nCdS-n+CdS — structure and surface states density pSi-nCdS — heterojunction
за авторством: I. B. Sapaev, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: I. B. Sapaev, та інші
Опубліковано: (2014)
Spectral Properties of Mn+CdS-nCdShTe1-x-pZnhCd1-xTe-Mo structures for an injection photodetector
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2013)
Сублинейные обратные ВАХ толстых пленочных структур на основе CdTe
за авторством: Мирсагатов, Ш.А., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Мирсагатов, Ш.А., та інші
Опубліковано: (2014)
Screen-printed p-CdTe layers for CdS/CdTe solar cells
за авторством: Klad'ko, V.P., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Klad'ko, V.P., та інші
Опубліковано: (2005)
Electrical and photoelectric properties of MoN/p-CdTe and MoN/n-CdTe heterojunctions
за авторством: T. T. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: T. T. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2021)
Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
за авторством: Kovaliuk, Taras, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Kovaliuk, Taras, та інші
Опубліковано: (2021)
The technology of obtaining and studying heterostructural solar cells based on n-CdS/p-CdTe
за авторством: Sh. B. Karimov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Sh. B. Karimov, та інші
Опубліковано: (2015)
Interaction of HNO₃-HI-citric acid aqueous solutions with CdTe, Zn₀.₀₄Cd₀.₉₆Te, Zn₀.₁Cd₀.₉Te and Cd₀.₂Hg₀.₈Te semiconductors
за авторством: Hvozdiyevskyi, Ye.Ye., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Hvozdiyevskyi, Ye.Ye., та інші
Опубліковано: (2018)
Structure and optical properties of CdS polycrystalline layers for solar cells based on CdS/CdTe
за авторством: Khrypunov, G.S., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Khrypunov, G.S., та інші
Опубліковано: (2019)
Electrical and photoelectric properties of heterostructures NiO/p-CdTe and NiO/n-CdTe
за авторством: G. P. Parkhomenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: G. P. Parkhomenko, та інші
Опубліковано: (2016)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
Electrical properties of n-SnS₂/n-CdIn₂Te₄ heterostructure
за авторством: Gorley, P.M., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Gorley, P.M., та інші
Опубліковано: (2010)
Температурная зависимость обратной ветви ВАХ Al-p-CdTe-Mo структуры
за авторством: Ачилов, А.С., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ачилов, А.С., та інші
Опубліковано: (2015)
Thin film solar cells on CdS/CdTe/ITO base
за авторством: Khrypunov, G.S.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Khrypunov, G.S.
Опубліковано: (2005)
ZnO as a conductive layer prepared by ALD for solar cells based on n-CdS/n-CdTe/p-Cu1. 8S heterostructure
за авторством: T. V. Semikina, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: T. V. Semikina, та інші
Опубліковано: (2013)
Electrical properties of Sis heterostructures n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe
за авторством: I. H. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: I. H. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2019)
Electrical properties of Sis heterostructures n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe
за авторством: I. G. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: I. G. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2019)
Електричні властивості НДН-гетероструктур n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe
за авторством: Orletskyi, I. G., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Orletskyi, I. G., та інші
Опубліковано: (2019)
Гетероструктури n-ZnO:Al/porous-CdTe/p-CdTe в якості фотоелектричних перетворювачів
за авторством: Дяденчук, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Дяденчук, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2017)
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
Application of CdTe (CdZnTe) detectors for radioactive waste characterization
за авторством: Dovbnya, N.A., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Dovbnya, N.A., та інші
Опубліковано: (2002)
Anisotropy of ultrasonic waves propagation velocities in CdHgTe/CdTe
за авторством: Lysiuk, I.O., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Lysiuk, I.O., та інші
Опубліковано: (1999)
Temperature dependences of the heat capacity of sphalerite crystals of CdS, CdSe, CdTe cadmium chalcogenides
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2015)
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
за авторством: Parkhomenko, H. P., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Parkhomenko, H. P., та інші
Опубліковано: (2016)
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
за авторством: Пархоменко, Г.П., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Пархоменко, Г.П., та інші
Опубліковано: (2016)
Development of back contact for CdS/CdTe thin-film solar cells
за авторством: Khrypunov, G., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Khrypunov, G., та інші
Опубліковано: (2010)
Взаимодействие твердых растворов ZnxCd1-xTe и Cd₀,₂Hg₀,₈Te с травителями системы NaNО₂–НІ–молочная кислота
за авторством: Денисюк, Р.А., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Денисюк, Р.А., та інші
Опубліковано: (2016)
Influence of radiation-induced defects on CdTe and CdZnTe detectors properties
за авторством: Kondrik, A.I.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kondrik, A.I.
Опубліковано: (2015)
ZnO as a conductive layer prepared by ALD for solar cells based on n-CdS/n-CdTe/p-Cu₁.₈S heterostructure
за авторством: Semikina, T.V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Semikina, T.V., та інші
Опубліковано: (2013)
Fabrication of CdS/CdTe solar cells by quasiclosed space technology and research of their properties
за авторством: T. V. Semikina
Опубліковано: (2018)
за авторством: T. V. Semikina
Опубліковано: (2018)
Fabrication of CdS/CdTe solar cells by quasiclosed space technology and research of their properties
за авторством: T. V. Semikina
Опубліковано: (2018)
за авторством: T. V. Semikina
Опубліковано: (2018)
Пленочные солнечные элементы ITO/SnO₂/CdS/CdTe/Cu/Au
за авторством: Хрипунов, Г.С., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Хрипунов, Г.С., та інші
Опубліковано: (2014)
Influence of impurities and structural defects on electrophysical and detector properties of CdTe and CdZnTe
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2019)
Схожі ресурси
-
Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода
за авторством: Сапаев, И.Б., та інші
Опубліковано: (2014) -
The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n+CdS heterostructures
за авторством: I. B. Sapaev
Опубліковано: (2013) -
The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures
за авторством: Sapaev, I.B.
Опубліковано: (2013) -
Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
за авторством: Zagoruiko, Yu. A., та інші
Опубліковано: (2011) -
Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
за авторством: Загоруйко, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2011)