Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника

• Veröffentlicht in: Физическая инженерия поверхности
• Datum: 2013
• Hauptverfasser: Мирсагатов, Ш.А., Атабоев, О.К., Заверюхин, Б.Н.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2013
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99816
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника / Ш.А. Мирсагатов, О.К. Атабоев, Б.Н. Заверюхин // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 1. — С. 122–128. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

На основе соединений A²B⁶ создана пленочная In-n⁺(CdS)-n(CdSx Te1-x)-p(Znx Cd1-xTe)-Mo-структура фоточувствительная в диапазоне длин волн λ = 0,49–0,855 мкм при комнатных температурах. Новизной в устройстве является наличие твердых растворов соединений A²B⁶, что позволяет расширить диапазон...