Влияние нейтронного облучения на процессы модуляции базовой области кремниевой p⁺nn⁺-структуры
Приведены результаты исследования влияния нейтронного облучения на характер зависимости
 емкости от запирающего напряжения кремниевой p⁺nn⁺-структуры. Под воздействием
 нейтронного облучения дозой 3⋅10¹⁵ н/см² обнаружено увеличение исходной толщины слоя
 объемного заряда p...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2013 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2013
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99817 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Влияние нейтронного облучения на процессы модуляции базовой области кремниевой p⁺nn⁺-структуры / А.З. Рахматов // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 1. — С. 129–132. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862718958635843584 |
|---|---|
| author | Рахматов, А.З. |
| author_facet | Рахматов, А.З. |
| citation_txt | Влияние нейтронного облучения на процессы модуляции базовой области кремниевой p⁺nn⁺-структуры / А.З. Рахматов // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 1. — С. 129–132. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | Приведены результаты исследования влияния нейтронного облучения на характер зависимости
емкости от запирающего напряжения кремниевой p⁺nn⁺-структуры. Под воздействием
нейтронного облучения дозой 3⋅10¹⁵ н/см² обнаружено увеличение исходной толщины слоя
объемного заряда p⁺n-перехода в два с половиной раза, что объясняется образованием i-слоя
у границы с p⁺n-переходом. При этом достижение заданной напряженности электрического
поля после облучения достигается при напряжениях в два раза больших, в результате
уменьшается емкость структуры и время включения ограничительного диода.
Наведено результати дослідження впливу нейтронного опромінення на характер залежності
ємності від замикаючої напруги кремнієвої p⁺nn⁺-структури. Під впливом нейтронного
опромінення дозою 3⋅10¹⁵ н/см² виявлене збільшення вихідної товщини шару об’ємного заряду
p⁺n-переходу у два з половиною рази, що пояснюється утворенням і-шару в границі з p⁺n-
переходом. При цьому досягнення заданої напруженості електричного поля після опромінення
досягається при напругах у два рази більших, у результаті зменшується ємність структури та
час включення обмежувального діода.
The results of research of the influence of neutron irradiation on the dependence of the capacitance
on the reverse voltage of silicon p⁺nn⁺-structure are given. Under the influence of neutron irradiation
dose of 3·10¹⁵ n/cm²
is found the expansion of initial thickness of the p⁺n-junction’s space charge –
two and a half times, which is explained with formation of i-layer near the border of p⁺n-junction.
While achieving a given electric field strength after exposure achieved with twice higher voltages. As
a result is reduced the capacitance of the structure and turn-on time of the transient voltage suppressor.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:17:19Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-99817 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:17:19Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Рахматов, А.З. 2016-05-03T16:06:02Z 2016-05-03T16:06:02Z 2013 Влияние нейтронного облучения на процессы модуляции базовой области кремниевой p⁺nn⁺-структуры / А.З. Рахматов // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 1. — С. 129–132. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99817 621.315.592 Приведены результаты исследования влияния нейтронного облучения на характер зависимости
 емкости от запирающего напряжения кремниевой p⁺nn⁺-структуры. Под воздействием
 нейтронного облучения дозой 3⋅10¹⁵ н/см² обнаружено увеличение исходной толщины слоя
 объемного заряда p⁺n-перехода в два с половиной раза, что объясняется образованием i-слоя
 у границы с p⁺n-переходом. При этом достижение заданной напряженности электрического
 поля после облучения достигается при напряжениях в два раза больших, в результате
 уменьшается емкость структуры и время включения ограничительного диода. Наведено результати дослідження впливу нейтронного опромінення на характер залежності
 ємності від замикаючої напруги кремнієвої p⁺nn⁺-структури. Під впливом нейтронного
 опромінення дозою 3⋅10¹⁵ н/см² виявлене збільшення вихідної товщини шару об’ємного заряду
 p⁺n-переходу у два з половиною рази, що пояснюється утворенням і-шару в границі з p⁺n-
 переходом. При цьому досягнення заданої напруженості електричного поля після опромінення
 досягається при напругах у два рази більших, у результаті зменшується ємність структури та
 час включення обмежувального діода. The results of research of the influence of neutron irradiation on the dependence of the capacitance
 on the reverse voltage of silicon p⁺nn⁺-structure are given. Under the influence of neutron irradiation
 dose of 3·10¹⁵ n/cm²
 is found the expansion of initial thickness of the p⁺n-junction’s space charge –
 two and a half times, which is explained with formation of i-layer near the border of p⁺n-junction.
 While achieving a given electric field strength after exposure achieved with twice higher voltages. As
 a result is reduced the capacitance of the structure and turn-on time of the transient voltage suppressor. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Влияние нейтронного облучения на процессы модуляции базовой области кремниевой p⁺nn⁺-структуры Вплив нейтронного опромінення на процеси модуляції базової області кремнієвої p⁺nn⁺-структури The influence of neutron irradiation on the processes of modulation in base region of silicon p⁺nn⁺-structure Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние нейтронного облучения на процессы модуляции базовой области кремниевой p⁺nn⁺-структуры Рахматов, А.З. |
| title | Влияние нейтронного облучения на процессы модуляции базовой области кремниевой p⁺nn⁺-структуры |
| title_alt | Вплив нейтронного опромінення на процеси модуляції базової області кремнієвої p⁺nn⁺-структури The influence of neutron irradiation on the processes of modulation in base region of silicon p⁺nn⁺-structure |
| title_full | Влияние нейтронного облучения на процессы модуляции базовой области кремниевой p⁺nn⁺-структуры |
| title_fullStr | Влияние нейтронного облучения на процессы модуляции базовой области кремниевой p⁺nn⁺-структуры |
| title_full_unstemmed | Влияние нейтронного облучения на процессы модуляции базовой области кремниевой p⁺nn⁺-структуры |
| title_short | Влияние нейтронного облучения на процессы модуляции базовой области кремниевой p⁺nn⁺-структуры |
| title_sort | влияние нейтронного облучения на процессы модуляции базовой области кремниевой p⁺nn⁺-структуры |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99817 |
| work_keys_str_mv | AT rahmatovaz vliânieneitronnogooblučeniânaprocessymodulâciibazovoioblastikremnievoipnnstruktury AT rahmatovaz vplivneitronnogoopromínennânaprocesimodulâcííbazovoíoblastíkremníêvoípnnstrukturi AT rahmatovaz theinfluenceofneutronirradiationontheprocessesofmodulationinbaseregionofsiliconpnnstructure |