Влияние дефектов и примесных атомов на физико-механические свойства наноструктурных покрытий в области границ их раздела
С помощью уникальных методов: аннигиляции позитронов, микропучка протонов, Резерфордовского обратного рассеяния (RBS) ионов, микроанализа с помощью EDSX совместно с SEM, дифракции рентгеновских лучей (XRD), рентгеновской тензометрии (α-sin²ψ), тестов на нанотвердость, модуль упругости, индекса пла...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2013 |
| Автори: | , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2013
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99821 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние дефектов и примесных атомов на физико-механические свойства наноструктурных покрытий в области границ их раздела / М.В. Каверин, R. Krause-Rehberg, В.М. Береснев, Б.А. Постольный, Д.А. Колесников, И.В. Якущенко, М.А. Билокур, Б.Р. Жоллыбеков // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 160–184. — Бібліогр.: 46 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | С помощью уникальных методов: аннигиляции позитронов, микропучка протонов, Резерфордовского обратного рассеяния (RBS) ионов, микроанализа с помощью EDSX совместно с SEM,
дифракции рентгеновских лучей (XRD), рентгеновской тензометрии (α-sin²ψ), тестов на нанотвердость, модуль упругости, индекса пластичности и скреч-тестов были исследованы наноструктурные покрытия Ti-Si-N; Ti-Hf-Si-N; (Ti-Hf-Zr-V-Nb)N, выращенные катодным вакуумно-дуговым источником. Были получены профили дефектов по глубине покрытий и изучено влияние
термического отжига до 600 °С (30 мин) на изменение дефектной структуры, упруго-направленного состояния, фазового состава и перераспределения примесных атомов в результате термодиффузии и процессов сегрегации по границам и субграницам нанозерен. Обнаружено увеличение твердости после отжига, уменьшение величины упруго-деформируемого состояния, перераспределение примесных атомов и дефектов.
За допомогою унікальних методів: анігіляції позитронів, мікропучка протонів, Резерфордівського
оберненого розсіювання (RBS) іонів, мікроаналіза за допомогою EDSX разом із SEM, дифракції
рентгенівських променів (XRD), рентгенівської тензометрії (α-sin²ψ), тестів на нанотвердість,
модуль пружності, індекса пластичності та скретч-тестів були досліджені наноструктурні покриття Ti-Si-N; Ti-Hf-Si-N; (Ti-Hf-Zr-V-Nb)N, вирощені катодним вакуумно-дуговим джерелом.
Були отримані профілі дефектів по товщі покриттів, та досліджений вплив термічного відпалювання до 600 °С (30 хв) на зміну дефектної структури, пружньо-фазового стану, фазового складу
та перерозподілу домішкових атомів в результаті термодифузії та процесів сегрегації по межам
та субмежам нанозерен. Знайдено збільшення твердості після відпалювання, зменшення величини пружньо-деформаційного стану, перерозподіл атомів та дефектів.
Using unique methods: positron annihilation, proton microbeam, Rutherford backscattering (RBS) of
ions, microprobe using EDSX with SEM, X-ray diffraction (XRD), X-ray strain measurement
(α-sin²ψ), tests of nanohardness, elastic modulus, index plasticity and scratch tests were investigated
nanostructured coatings Ti-Si-N; Ti-Hf-Si-N; (Ti-Hf-Zr-V-Nb)N, grown by cathodic vacuum arc
source. Defects’ profiles were obtained at all depth of coating, and effect of thermal annealing at
600 °C (30 min) on the change of the defect structure, elastic-directed state, the phase composition
and the redistribution of impurity atoms as a result of thermal diffusion and segregation processes
boundaries and sub-boundaries of nanograins were studied. An increase of hardness after annealing,
decreasing of the elastic-strain state, the redistribution of impurity atoms and defects were observed.
|
|---|---|
| ISSN: | 1999-8074 |