Функціоналізація і наноструктурування поверхневих шарів поруватого кремнію

• Veröffentlicht in: Физическая инженерия поверхности
• Datum: 2013
• ISSN: 1999-8074
• 1. Verfasser: Зубко, Є.І.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2013
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99822
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Функціоналізація і наноструктурування поверхневих шарів поруватого кремнію / Є.І. Зубко // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 154–159. — Бібліогр.: 17 назв. — укр.

Показана можливість створення багатошарових покрить шляхом модифікування методики
 електролітичного травлення поверхні монокристалічного кремнію. При травленні використовували добавки HСl і HBr. Методами електронної мікроскопії, рентгенофазового аналізу
 встановлено, що варіювання складом електроліту і густиною струму приводить до наноструктурування поверхні кремнію в виді шарів різної товщини (200 – 400 нм), морфології і поруватого кремнію. Показана возможность создания многослойных покрытий путем модифицирования методики
 электролитического травления поверхности монокристаллического кремния. При травлении
 использовали добавки HCl и HBr. Методами электронной микроскопии, рентгенофазового
 анализа установлено, что варьирование составом электролита и плотностью тока приводит к
 наноструктурированию поверхности кремния в виде слоев разной толщины (200 – 400 нм),
 морфологии и пористости. The possibility of creating multilayer coatings by modifying the method of electrolytic etching of single
 crystal silicon. Additives used in etching and HCl HBr. By electron microscopy, X-ray diffraction
 analysis showed that the variation in the composition of the electrolyte and the current density results
 in a nanostructured surface of silicon in the form of layers of different thickness (200 – 400 nm),
 morphology and porosity.