Функціоналізація і наноструктурування поверхневих шарів поруватого кремнію
Показана можливість створення багатошарових покрить шляхом модифікування методики
 електролітичного травлення поверхні монокристалічного кремнію. При травленні використовували добавки HСl і HBr. Методами електронної мікроскопії, рентгенофазового аналізу
 встановлено, що варіювання ск...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2013 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2013
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99822 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Функціоналізація і наноструктурування поверхневих шарів поруватого кремнію / Є.І. Зубко // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 154–159. — Бібліогр.: 17 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862673424685465600 |
|---|---|
| author | Зубко, Є.І. |
| author_facet | Зубко, Є.І. |
| citation_txt | Функціоналізація і наноструктурування поверхневих шарів поруватого кремнію / Є.І. Зубко // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 154–159. — Бібліогр.: 17 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | Показана можливість створення багатошарових покрить шляхом модифікування методики
електролітичного травлення поверхні монокристалічного кремнію. При травленні використовували добавки HСl і HBr. Методами електронної мікроскопії, рентгенофазового аналізу
встановлено, що варіювання складом електроліту і густиною струму приводить до наноструктурування поверхні кремнію в виді шарів різної товщини (200 – 400 нм), морфології і поруватого кремнію.
Показана возможность создания многослойных покрытий путем модифицирования методики
электролитического травления поверхности монокристаллического кремния. При травлении
использовали добавки HCl и HBr. Методами электронной микроскопии, рентгенофазового
анализа установлено, что варьирование составом электролита и плотностью тока приводит к
наноструктурированию поверхности кремния в виде слоев разной толщины (200 – 400 нм),
морфологии и пористости.
The possibility of creating multilayer coatings by modifying the method of electrolytic etching of single
crystal silicon. Additives used in etching and HCl HBr. By electron microscopy, X-ray diffraction
analysis showed that the variation in the composition of the electrolyte and the current density results
in a nanostructured surface of silicon in the form of layers of different thickness (200 – 400 nm),
morphology and porosity.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:37:43Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-99822 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T15:37:43Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Зубко, Є.І. 2016-05-04T15:17:49Z 2016-05-04T15:17:49Z 2013 Функціоналізація і наноструктурування поверхневих шарів поруватого кремнію / Є.І. Зубко // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 154–159. — Бібліогр.: 17 назв. — укр. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99822 669.782 Показана можливість створення багатошарових покрить шляхом модифікування методики
 електролітичного травлення поверхні монокристалічного кремнію. При травленні використовували добавки HСl і HBr. Методами електронної мікроскопії, рентгенофазового аналізу
 встановлено, що варіювання складом електроліту і густиною струму приводить до наноструктурування поверхні кремнію в виді шарів різної товщини (200 – 400 нм), морфології і поруватого кремнію. Показана возможность создания многослойных покрытий путем модифицирования методики
 электролитического травления поверхности монокристаллического кремния. При травлении
 использовали добавки HCl и HBr. Методами электронной микроскопии, рентгенофазового
 анализа установлено, что варьирование составом электролита и плотностью тока приводит к
 наноструктурированию поверхности кремния в виде слоев разной толщины (200 – 400 нм),
 морфологии и пористости. The possibility of creating multilayer coatings by modifying the method of electrolytic etching of single
 crystal silicon. Additives used in etching and HCl HBr. By electron microscopy, X-ray diffraction
 analysis showed that the variation in the composition of the electrolyte and the current density results
 in a nanostructured surface of silicon in the form of layers of different thickness (200 – 400 nm),
 morphology and porosity. uk Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Функціоналізація і наноструктурування поверхневих шарів поруватого кремнію Функционализация и наноструктурирование поверхностных слоев пористого кремния Functionalization and nanostructurization porous silicon surface layers Article published earlier |
| spellingShingle | Функціоналізація і наноструктурування поверхневих шарів поруватого кремнію Зубко, Є.І. |
| title | Функціоналізація і наноструктурування поверхневих шарів поруватого кремнію |
| title_alt | Функционализация и наноструктурирование поверхностных слоев пористого кремния Functionalization and nanostructurization porous silicon surface layers |
| title_full | Функціоналізація і наноструктурування поверхневих шарів поруватого кремнію |
| title_fullStr | Функціоналізація і наноструктурування поверхневих шарів поруватого кремнію |
| title_full_unstemmed | Функціоналізація і наноструктурування поверхневих шарів поруватого кремнію |
| title_short | Функціоналізація і наноструктурування поверхневих шарів поруватого кремнію |
| title_sort | функціоналізація і наноструктурування поверхневих шарів поруватого кремнію |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99822 |
| work_keys_str_mv | AT zubkoêí funkcíonalízacíâínanostrukturuvannâpoverhnevihšarívporuvatogokremníû AT zubkoêí funkcionalizaciâinanostrukturirovaniepoverhnostnyhsloevporistogokremniâ AT zubkoêí functionalizationandnanostructurizationporoussiliconsurfacelayers |