Топологія поверхні тонких оксидних плівок CdO, сформованих на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe ТА GaSe
Методом магнетронного розпилення отримано тонкі плівки CdO на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe та GaSe. Структура плівок досліджена методом рентгеноструктурного аналізу. За допомогою атомно-силовоїмікроскопії проведено дослідження топології
 поверхні отриманих плівок. В...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2013 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2013
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99823 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Топологія поверхні тонких оксидних плівок CdO, сформованих на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe ТА GaSe / З.Р. Кудринський // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 185–190. — Бібліогр.: 13 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862555164318105600 |
|---|---|
| author | Кудринський, З.Р. |
| author_facet | Кудринський, З.Р. |
| citation_txt | Топологія поверхні тонких оксидних плівок CdO, сформованих на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe ТА GaSe / З.Р. Кудринський // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 185–190. — Бібліогр.: 13 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | Методом магнетронного розпилення отримано тонкі плівки CdO на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe та GaSe. Структура плівок досліджена методом рентгеноструктурного аналізу. За допомогою атомно-силовоїмікроскопії проведено дослідження топології
поверхні отриманих плівок. Встановлено, що їх поверхня є наноструктурованою, проте характер
нарощування плівок на підкладках InSe та GaSe відрізняється. На InSe спостерігаються наноутворення у вигляді окремих пагорбів та їх скупчень. Густина таких наноутворень становить
∼2,25⋅10¹⁰ см⁻². Особливістю поверхневої топології плівок CdO на GaSe є те, що наноутворення
розміщені рівномірно та мають куполоподібний вигляд, причому схильність до утворення скупчень у них відсутня. Оцінка густини такого типу наноутворень показує, що вона становить
∼6,4⋅10⁹ см⁻².
Методом магнетронного распыления получены тонкие пленки CdO на ван-дер-ваальсовых
поверхностях слоистых кристаллов InSe и GaSe. Структура пленок исследована методом рентгеноструктурного анализа. С помощью атомно-силовой микроскопии проведено исследование
топологии поверхности полученных пленок. Установлено, что их поверхность является наноструктурированной, однако характер наращивания пленок на подложках InSe и GaSe отличается.
На InSe наблюдаются нанообразования в виде отдельных холмов и их скоплений. Плотность
таких нанообразований составляет ∼2,25⋅10¹⁰ см⁻². Особенностью поверхностной топологии
пленок CdO на GaSe является то, что нанообразования размещены равномерно и имеют куполообразный вид, причем склонность к образованию скоплений у них отсутствует. Оценка плотности
такого типа нанообразований показывает, что она составляет ∼6,4⋅10⁹ см⁻².
Thin films of CdO were fabricated by dc reactive magnetron sputtering onto van der Waals surfaces
of InSe and GaSe layered crystals. The structure of the films was studied by X-ray diffraction method.
Surface topology of the obtained films was investigated by atomic force microscopy. It was established
that the surface is nanostructured, but the growth of the films differs on InSe and GaSe substrates.
On InSe substrate one can observe nanoobjects in the form of separate hills and their clusters. The
density of such nanoobjects is ∼2,25⋅1010 cm–2. The peculiarity of surface topology of CdO films on
GaSe is that the nanoobjects are distributed uniformly and have domelike shape. There is no tendency
to formation of clusters of such nanoobjects. It was estimated that the density of these nanoobjects is ∼2,25⋅10¹⁰ cm⁻².Thin films of CdO were fabricated by dc reactive magnetron sputtering onto van der Waals surfaces
of InSe and GaSe layered crystals. The structure of the films was studied by X-ray diffraction method.
Surface topology of the obtained films was investigated by atomic force microscopy. It was established
that the surface is nanostructured, but the growth of the films differs on InSe and GaSe substrates.
On InSe substrate one can observe nanoobjects in the form of separate hills and their clusters. The
density of such nanoobjects is ∼2,25⋅1010 cm–2. The peculiarity of surface topology of CdO films on
GaSe is that the nanoobjects are distributed uniformly and have domelike shape. There is no tendency
to formation of clusters of such nanoobjects. It was estimated that the density of these nanoobjects is
∼6,4⋅10⁹ cm⁻².
|
| first_indexed | 2025-11-25T22:20:19Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-99823 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-11-25T22:20:19Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Кудринський, З.Р. 2016-05-04T15:29:17Z 2016-05-04T15:29:17Z 2013 Топологія поверхні тонких оксидних плівок CdO, сформованих на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe ТА GaSe / З.Р. Кудринський // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 185–190. — Бібліогр.: 13 назв. — укр. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99823 621.315.592 Методом магнетронного розпилення отримано тонкі плівки CdO на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe та GaSe. Структура плівок досліджена методом рентгеноструктурного аналізу. За допомогою атомно-силовоїмікроскопії проведено дослідження топології
 поверхні отриманих плівок. Встановлено, що їх поверхня є наноструктурованою, проте характер
 нарощування плівок на підкладках InSe та GaSe відрізняється. На InSe спостерігаються наноутворення у вигляді окремих пагорбів та їх скупчень. Густина таких наноутворень становить
 ∼2,25⋅10¹⁰ см⁻². Особливістю поверхневої топології плівок CdO на GaSe є те, що наноутворення
 розміщені рівномірно та мають куполоподібний вигляд, причому схильність до утворення скупчень у них відсутня. Оцінка густини такого типу наноутворень показує, що вона становить
 ∼6,4⋅10⁹ см⁻². Методом магнетронного распыления получены тонкие пленки CdO на ван-дер-ваальсовых
 поверхностях слоистых кристаллов InSe и GaSe. Структура пленок исследована методом рентгеноструктурного анализа. С помощью атомно-силовой микроскопии проведено исследование
 топологии поверхности полученных пленок. Установлено, что их поверхность является наноструктурированной, однако характер наращивания пленок на подложках InSe и GaSe отличается.
 На InSe наблюдаются нанообразования в виде отдельных холмов и их скоплений. Плотность
 таких нанообразований составляет ∼2,25⋅10¹⁰ см⁻². Особенностью поверхностной топологии
 пленок CdO на GaSe является то, что нанообразования размещены равномерно и имеют куполообразный вид, причем склонность к образованию скоплений у них отсутствует. Оценка плотности
 такого типа нанообразований показывает, что она составляет ∼6,4⋅10⁹ см⁻². Thin films of CdO were fabricated by dc reactive magnetron sputtering onto van der Waals surfaces
 of InSe and GaSe layered crystals. The structure of the films was studied by X-ray diffraction method.
 Surface topology of the obtained films was investigated by atomic force microscopy. It was established
 that the surface is nanostructured, but the growth of the films differs on InSe and GaSe substrates.
 On InSe substrate one can observe nanoobjects in the form of separate hills and their clusters. The
 density of such nanoobjects is ∼2,25⋅1010 cm–2. The peculiarity of surface topology of CdO films on
 GaSe is that the nanoobjects are distributed uniformly and have domelike shape. There is no tendency
 to formation of clusters of such nanoobjects. It was estimated that the density of these nanoobjects is ∼2,25⋅10¹⁰ cm⁻².Thin films of CdO were fabricated by dc reactive magnetron sputtering onto van der Waals surfaces
 of InSe and GaSe layered crystals. The structure of the films was studied by X-ray diffraction method.
 Surface topology of the obtained films was investigated by atomic force microscopy. It was established
 that the surface is nanostructured, but the growth of the films differs on InSe and GaSe substrates.
 On InSe substrate one can observe nanoobjects in the form of separate hills and their clusters. The
 density of such nanoobjects is ∼2,25⋅1010 cm–2. The peculiarity of surface topology of CdO films on
 GaSe is that the nanoobjects are distributed uniformly and have domelike shape. There is no tendency
 to formation of clusters of such nanoobjects. It was estimated that the density of these nanoobjects is
 ∼6,4⋅10⁹ cm⁻². uk Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Топологія поверхні тонких оксидних плівок CdO, сформованих на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe ТА GaSe Топология поверхности тонких оксидных пленок CdO, сформированных на ван-дер-ваальсовых поверхностях слоистых кристаллов InSe и GaSe Surface topology of CdO thin oxide films formed on van der waals surfaces of InSe and GaSe layered crystals Article published earlier |
| spellingShingle | Топологія поверхні тонких оксидних плівок CdO, сформованих на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe ТА GaSe Кудринський, З.Р. |
| title | Топологія поверхні тонких оксидних плівок CdO, сформованих на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe ТА GaSe |
| title_alt | Топология поверхности тонких оксидных пленок CdO, сформированных на ван-дер-ваальсовых поверхностях слоистых кристаллов InSe и GaSe Surface topology of CdO thin oxide films formed on van der waals surfaces of InSe and GaSe layered crystals |
| title_full | Топологія поверхні тонких оксидних плівок CdO, сформованих на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe ТА GaSe |
| title_fullStr | Топологія поверхні тонких оксидних плівок CdO, сформованих на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe ТА GaSe |
| title_full_unstemmed | Топологія поверхні тонких оксидних плівок CdO, сформованих на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe ТА GaSe |
| title_short | Топологія поверхні тонких оксидних плівок CdO, сформованих на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe ТА GaSe |
| title_sort | топологія поверхні тонких оксидних плівок cdo, сформованих на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів inse та gase |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99823 |
| work_keys_str_mv | AT kudrinsʹkiizr topologíâpoverhnítonkihoksidnihplívokcdosformovanihnavandervaalʹsovihpoverhnâhšaruvatihkristalívinsetagase AT kudrinsʹkiizr topologiâpoverhnostitonkihoksidnyhplenokcdosformirovannyhnavandervaalʹsovyhpoverhnostâhsloistyhkristallovinseigase AT kudrinsʹkiizr surfacetopologyofcdothinoxidefilmsformedonvanderwaalssurfacesofinseandgaselayeredcrystals |