Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey

• Veröffentlicht in: Физическая инженерия поверхности
• Datum: 2013
• Hauptverfasser: Гулямов, Г., Шарибаев, Н.Ю., Эркабоев, У.И.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2013
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99825
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев, У.И. Эркабоев // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 195–198. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Исследовано влияние изменения эффективной массы носителей зарядов на температурную
 зависимость ширины запрещенной зоны в полупроводниках. С помощью численных экспериментов, с использованием экспериментальных результатов получены графики температурной
 зависимости ширины запрещенной зоны. Досліджено вплив зміни ефективної маси носіїв зарядів на температурну залежність ширини
 забороненої зони в напівпровідниках. За допомогою чисельних експериментів, з використанням
 експериментальних результатів отримані графіки температурної залежності ширини забороненої
 зони. It is investigated influences of change of effective mass of carriers of charges on temperature dependence
 of width of the band gaps in semiconductors. By means of numerical experiments, with use
 of experimental results of a temperature drawing of temperature dependence of width of the band
 gaps.