Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey

Исследовано влияние изменения эффективной массы носителей зарядов на температурную
 зависимость ширины запрещенной зоны в полупроводниках. С помощью численных экспериментов, с использованием экспериментальных результатов получены графики температурной
 зависимости ширины запрещенно...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физическая инженерия поверхности
Datum:2013
Hauptverfasser: Гулямов, Г., Шарибаев, Н.Ю., Эркабоев, У.И.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2013
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99825
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев, У.И. Эркабоев // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 195–198. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862605514351837184
author Гулямов, Г.
Шарибаев, Н.Ю.
Эркабоев, У.И.
author_facet Гулямов, Г.
Шарибаев, Н.Ю.
Эркабоев, У.И.
citation_txt Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев, У.И. Эркабоев // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 195–198. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Физическая инженерия поверхности
description Исследовано влияние изменения эффективной массы носителей зарядов на температурную
 зависимость ширины запрещенной зоны в полупроводниках. С помощью численных экспериментов, с использованием экспериментальных результатов получены графики температурной
 зависимости ширины запрещенной зоны. Досліджено вплив зміни ефективної маси носіїв зарядів на температурну залежність ширини
 забороненої зони в напівпровідниках. За допомогою чисельних експериментів, з використанням
 експериментальних результатів отримані графіки температурної залежності ширини забороненої
 зони. It is investigated influences of change of effective mass of carriers of charges on temperature dependence
 of width of the band gaps in semiconductors. By means of numerical experiments, with use
 of experimental results of a temperature drawing of temperature dependence of width of the band
 gaps.
first_indexed 2025-11-28T11:57:30Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-99825
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1999-8074
language Russian
last_indexed 2025-11-28T11:57:30Z
publishDate 2013
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
record_format dspace
spelling Гулямов, Г.
Шарибаев, Н.Ю.
Эркабоев, У.И.
2016-05-04T15:33:15Z
2016-05-04T15:33:15Z
2013
Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев, У.И. Эркабоев // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 195–198. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
1999-8074
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99825
539.21: 621.315.592
Исследовано влияние изменения эффективной массы носителей зарядов на температурную
 зависимость ширины запрещенной зоны в полупроводниках. С помощью численных экспериментов, с использованием экспериментальных результатов получены графики температурной
 зависимости ширины запрещенной зоны.
Досліджено вплив зміни ефективної маси носіїв зарядів на температурну залежність ширини
 забороненої зони в напівпровідниках. За допомогою чисельних експериментів, з використанням
 експериментальних результатів отримані графіки температурної залежності ширини забороненої
 зони.
It is investigated influences of change of effective mass of carriers of charges on temperature dependence
 of width of the band gaps in semiconductors. By means of numerical experiments, with use
 of experimental results of a temperature drawing of temperature dependence of width of the band
 gaps.
ru
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Физическая инженерия поверхности
Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey
Вплив ефективної маси густини станів на температурну залежність ширини забороненої зони у твердих розчинах p-Bi2-xSbxTe3-ySey
Influence effective mass density of states at temperature dependence of band gap in solid solutions p-Bi2-xSbxTe3-ySey
Article
published earlier
spellingShingle Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey
Гулямов, Г.
Шарибаев, Н.Ю.
Эркабоев, У.И.
title Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey
title_alt Вплив ефективної маси густини станів на температурну залежність ширини забороненої зони у твердих розчинах p-Bi2-xSbxTe3-ySey
Influence effective mass density of states at temperature dependence of band gap in solid solutions p-Bi2-xSbxTe3-ySey
title_full Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey
title_fullStr Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey
title_full_unstemmed Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey
title_short Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey
title_sort влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-bi2-xsbxte3-ysey
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99825
work_keys_str_mv AT gulâmovg vliânieéffektivnoimassyplotnostisostoâniinatemperaturnuûzavisimostʹširinyzapreŝennoizonyvtverdyhrastvorahpbi2xsbxte3ysey
AT šaribaevnû vliânieéffektivnoimassyplotnostisostoâniinatemperaturnuûzavisimostʹširinyzapreŝennoizonyvtverdyhrastvorahpbi2xsbxte3ysey
AT érkaboevui vliânieéffektivnoimassyplotnostisostoâniinatemperaturnuûzavisimostʹširinyzapreŝennoizonyvtverdyhrastvorahpbi2xsbxte3ysey
AT gulâmovg vplivefektivnoímasigustinistanívnatemperaturnuzaležnístʹširinizaboronenoízoniutverdihrozčinahpbi2xsbxte3ysey
AT šaribaevnû vplivefektivnoímasigustinistanívnatemperaturnuzaležnístʹširinizaboronenoízoniutverdihrozčinahpbi2xsbxte3ysey
AT érkaboevui vplivefektivnoímasigustinistanívnatemperaturnuzaležnístʹširinizaboronenoízoniutverdihrozčinahpbi2xsbxte3ysey
AT gulâmovg influenceeffectivemassdensityofstatesattemperaturedependenceofbandgapinsolidsolutionspbi2xsbxte3ysey
AT šaribaevnû influenceeffectivemassdensityofstatesattemperaturedependenceofbandgapinsolidsolutionspbi2xsbxte3ysey
AT érkaboevui influenceeffectivemassdensityofstatesattemperaturedependenceofbandgapinsolidsolutionspbi2xsbxte3ysey