Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey
Исследовано влияние изменения эффективной массы носителей зарядов на температурную
 зависимость ширины запрещенной зоны в полупроводниках. С помощью численных экспериментов, с использованием экспериментальных результатов получены графики температурной
 зависимости ширины запрещенно...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2013 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2013
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99825 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев, У.И. Эркабоев // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 195–198. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862605514351837184 |
|---|---|
| author | Гулямов, Г. Шарибаев, Н.Ю. Эркабоев, У.И. |
| author_facet | Гулямов, Г. Шарибаев, Н.Ю. Эркабоев, У.И. |
| citation_txt | Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев, У.И. Эркабоев // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 195–198. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | Исследовано влияние изменения эффективной массы носителей зарядов на температурную
зависимость ширины запрещенной зоны в полупроводниках. С помощью численных экспериментов, с использованием экспериментальных результатов получены графики температурной
зависимости ширины запрещенной зоны.
Досліджено вплив зміни ефективної маси носіїв зарядів на температурну залежність ширини
забороненої зони в напівпровідниках. За допомогою чисельних експериментів, з використанням
експериментальних результатів отримані графіки температурної залежності ширини забороненої
зони.
It is investigated influences of change of effective mass of carriers of charges on temperature dependence
of width of the band gaps in semiconductors. By means of numerical experiments, with use
of experimental results of a temperature drawing of temperature dependence of width of the band
gaps.
|
| first_indexed | 2025-11-28T11:57:30Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-99825 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-28T11:57:30Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Гулямов, Г. Шарибаев, Н.Ю. Эркабоев, У.И. 2016-05-04T15:33:15Z 2016-05-04T15:33:15Z 2013 Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев, У.И. Эркабоев // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 195–198. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99825 539.21: 621.315.592 Исследовано влияние изменения эффективной массы носителей зарядов на температурную
 зависимость ширины запрещенной зоны в полупроводниках. С помощью численных экспериментов, с использованием экспериментальных результатов получены графики температурной
 зависимости ширины запрещенной зоны. Досліджено вплив зміни ефективної маси носіїв зарядів на температурну залежність ширини
 забороненої зони в напівпровідниках. За допомогою чисельних експериментів, з використанням
 експериментальних результатів отримані графіки температурної залежності ширини забороненої
 зони. It is investigated influences of change of effective mass of carriers of charges on temperature dependence
 of width of the band gaps in semiconductors. By means of numerical experiments, with use
 of experimental results of a temperature drawing of temperature dependence of width of the band
 gaps. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey Вплив ефективної маси густини станів на температурну залежність ширини забороненої зони у твердих розчинах p-Bi2-xSbxTe3-ySey Influence effective mass density of states at temperature dependence of band gap in solid solutions p-Bi2-xSbxTe3-ySey Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey Гулямов, Г. Шарибаев, Н.Ю. Эркабоев, У.И. |
| title | Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey |
| title_alt | Вплив ефективної маси густини станів на температурну залежність ширини забороненої зони у твердих розчинах p-Bi2-xSbxTe3-ySey Influence effective mass density of states at temperature dependence of band gap in solid solutions p-Bi2-xSbxTe3-ySey |
| title_full | Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey |
| title_fullStr | Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey |
| title_full_unstemmed | Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey |
| title_short | Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey |
| title_sort | влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-bi2-xsbxte3-ysey |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99825 |
| work_keys_str_mv | AT gulâmovg vliânieéffektivnoimassyplotnostisostoâniinatemperaturnuûzavisimostʹširinyzapreŝennoizonyvtverdyhrastvorahpbi2xsbxte3ysey AT šaribaevnû vliânieéffektivnoimassyplotnostisostoâniinatemperaturnuûzavisimostʹširinyzapreŝennoizonyvtverdyhrastvorahpbi2xsbxte3ysey AT érkaboevui vliânieéffektivnoimassyplotnostisostoâniinatemperaturnuûzavisimostʹširinyzapreŝennoizonyvtverdyhrastvorahpbi2xsbxte3ysey AT gulâmovg vplivefektivnoímasigustinistanívnatemperaturnuzaležnístʹširinizaboronenoízoniutverdihrozčinahpbi2xsbxte3ysey AT šaribaevnû vplivefektivnoímasigustinistanívnatemperaturnuzaležnístʹširinizaboronenoízoniutverdihrozčinahpbi2xsbxte3ysey AT érkaboevui vplivefektivnoímasigustinistanívnatemperaturnuzaležnístʹširinizaboronenoízoniutverdihrozčinahpbi2xsbxte3ysey AT gulâmovg influenceeffectivemassdensityofstatesattemperaturedependenceofbandgapinsolidsolutionspbi2xsbxte3ysey AT šaribaevnû influenceeffectivemassdensityofstatesattemperaturedependenceofbandgapinsolidsolutionspbi2xsbxte3ysey AT érkaboevui influenceeffectivemassdensityofstatesattemperaturedependenceofbandgapinsolidsolutionspbi2xsbxte3ysey |