Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey
Исследовано влияние изменения эффективной массы носителей зарядов на температурную
 зависимость ширины запрещенной зоны в полупроводниках. С помощью численных экспериментов, с использованием экспериментальных результатов получены графики температурной
 зависимости ширины запрещенно...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2013 |
| Hauptverfasser: | Гулямов, Г., Шарибаев, Н.Ю., Эркабоев, У.И. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2013
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99825 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев, У.И. Эркабоев // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 195–198. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Тепловое уширение плотности состояний и температурная зависимость ширины запрещенной зоны
von: Гулямов, Г., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Гулямов, Г., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Influence of the effective mass of the state density on the temperature dependence of the band gap in solid solutions p-Bi2-xSbxTe3-ySey
von: G. Guljamov, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: G. Guljamov, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний
von: Гулямов, Г., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Гулямов, Г., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Исследования температурной зависимости ширины запрещенной зоны Si и Ge с помощью модели
von: Шарибаев, Н.Ю.
Veröffentlicht: (2013)
von: Шарибаев, Н.Ю.
Veröffentlicht: (2013)
Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника
von: Гулямов, Г., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Гулямов, Г., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Температурная зависимость плотности энергетических состояний в сильном квантующем магнитном поле
von: Гулямов, Г., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Гулямов, Г., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x
von: Трубаева, О.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Трубаева, О.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Низкочастотные аномалии эффективной массы заряженных кластеров в жидком гелии
von: Шикин, В.
Veröffentlicht: (2013)
von: Шикин, В.
Veröffentlicht: (2013)
Влияние пластической деформации на температурную зависимость термоэдс в меди
von: Светлов, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Светлов, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Температурная зависимость плотности поверхностных состояний, определенная с помощью нестационарной емкостной спектроскопии
von: Гулямов, Г., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Гулямов, Г., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Кристаллическая структура и магнитные взаимодействия в твердых растворах La₁₋₂xSr₂xMn₁₋xSbxO₃ (x ≤ 0,2)
von: Карпинский, Д.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Карпинский, Д.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Конфигурационная перестройка дивакансии: электронные обобщенные уровни в запрещенной зоне кремния
von: Долголенко, А.П.
Veröffentlicht: (2015)
von: Долголенко, А.П.
Veröffentlicht: (2015)
Определение критической ширины угольного целика
von: Звягильский, Е.Л., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Звягильский, Е.Л., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Осцилляции Шубникова-де Гааза проводимости двумерного дырочного газа в квантовых ямах на основе германия и кремния. Определение эффективной массы и g-фактора
von: Беркутов, И.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Беркутов, И.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Photo-thermoinduced changes of transmission spectra of As₄₀-xSbxS₆₀ amorphous layers
von: Rubish, V.M., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Rubish, V.M., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Полуцепные кольца и черепичные порядки ширины два
von: Броницкая, Н.А.
Veröffentlicht: (2009)
von: Броницкая, Н.А.
Veröffentlicht: (2009)
Массы ближайших звезд
von: Захожай, В.А.
Veröffentlicht: (1994)
von: Захожай, В.А.
Veröffentlicht: (1994)
Electrical transport in thin films of glassy Ge₄₀Te₆₀-xSbx alloys
von: Shukla, S., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Shukla, S., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Temperature and concentration dependences of specific heat of Bi₁-xSbx solid solutions
von: Rogacheva, E.I., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Rogacheva, E.I., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Термоэлектрическая эффективность фольг полуметаллических и полупроводниковых сплавов Bi₁₋xSbx
von: Николаева, А., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Николаева, А., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Анализ ширины гравийной обсыпки гравийных фильтров буровых скважин
von: Кожевников, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Кожевников, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Повышение эффективной работы перерабатывающих предприятий АПК
von: Хиврич, Г.М., et al.
Veröffentlicht: (1999)
von: Хиврич, Г.М., et al.
Veröffentlicht: (1999)
Метод эффективной обработки импульсно-модулированных сигналов
von: Сердюков, Ю.П.
Veröffentlicht: (2004)
von: Сердюков, Ю.П.
Veröffentlicht: (2004)
Формирование эффективной бухгалтерской службы на предприятии
von: Золотухина, Н.М.
Veröffentlicht: (2007)
von: Золотухина, Н.М.
Veröffentlicht: (2007)
Формирование эффективной бухгалтерской службы на предприятии
von: Золотухина, Н.М.
Veröffentlicht: (2007)
von: Золотухина, Н.М.
Veröffentlicht: (2007)
Метод эффективной обработки импульсно-модулированных сигналов
von: Serdjukov, Yu. P.
Veröffentlicht: (2004)
von: Serdjukov, Yu. P.
Veröffentlicht: (2004)
Определение эффективной плотности электронных поверхностных состояний в нанокристаллических пленках Bi₂Te₃ – Sb₂Te₃
von: Шамирзаев, С.Х., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Шамирзаев, С.Х., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Влияние структурной релаксации на температурную зависимость псевдощели в монокристаллах YВа₂Сu₃О₇₋δ с различным содержанием кислорода
von: Вовк, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Вовк, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Thermoelectric figure of merit of semimetal and semiconductor Bi1–xSbx alloy foils
von: A. Nikolaeva, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: A. Nikolaeva, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Electronic phase transitions and structural instability in Bi1–xSbx solid solutions
von: E. I. Rogacheva, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: E. I. Rogacheva, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Optimization of parameters of the new thermoelectric material HfNiSn1–xSbx
von: V. A. Romaka, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: V. A. Romaka, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Оптимизация ширины вентиляционного тракта контейнера с отработанным ядерным топливом
von: Алёхина, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Алёхина, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Об одном классе бесконечномерных линейных групп конечной линейной ширины
von: Дашкова, О.Ю.
Veröffentlicht: (2008)
von: Дашкова, О.Ю.
Veröffentlicht: (2008)
Результаты расчета полной логарифмической ширины спектра Фурье для скоростей
von: Ходжаев, А.
Veröffentlicht: (2011)
von: Ходжаев, А.
Veröffentlicht: (2011)
Корпоративные издания как инструмент формирования эффективной коммуникации
von: Савченко, Л.В.
Veröffentlicht: (2004)
von: Савченко, Л.В.
Veröffentlicht: (2004)
Методика определения эффективной площади фоточувствительного элемента фотодиода
von: Butenko, V. K., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Butenko, V. K., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Создание эффективной системы управления затратами на предприятии
von: Ефремова, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Ефремова, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Методика определения эффективной площади фоточувствительного элемента фотодиода
von: Бутенко, В.К., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Бутенко, В.К., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Условия и факторы эффективной деятельности аграрных предприятий
von: Митяй, О.В.
Veröffentlicht: (2013)
von: Митяй, О.В.
Veröffentlicht: (2013)
Electrical transport in thin films of glassy Ge40Te60-xSbx alloys
von: S. Shukla, et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: S. Shukla, et al.
Veröffentlicht: (2010)
Ähnliche Einträge
-
Тепловое уширение плотности состояний и температурная зависимость ширины запрещенной зоны
von: Гулямов, Г., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Influence of the effective mass of the state density on the temperature dependence of the band gap in solid solutions p-Bi2-xSbxTe3-ySey
von: G. Guljamov, et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний
von: Гулямов, Г., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Исследования температурной зависимости ширины запрещенной зоны Si и Ge с помощью модели
von: Шарибаев, Н.Ю.
Veröffentlicht: (2013) -
Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника
von: Гулямов, Г., et al.
Veröffentlicht: (2011)