Исследование процессов модуляции базовой области кремниевой p⁺р-n⁺-структуры
Проведены исследования зависимости емкости кремниевых p⁺р-n⁺-структур от запирающего
 напряжения. Экспериментально показано, что в двухсторонне-диффузионных структурах вольтемкостные характеристики подчиняются кубическому закону за счет линейного распределения
 примесей в базовой о...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2013 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2013
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99826 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Исследование процессов модуляции базовой области кремниевой p+р-n+-структуры / Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, А.А. Каримов // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 199–203. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862681087430361088 |
|---|---|
| author | Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.В. Каримов, А.А. |
| author_facet | Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.В. Каримов, А.А. |
| citation_txt | Исследование процессов модуляции базовой области кремниевой p+р-n+-структуры / Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, А.А. Каримов // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 199–203. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | Проведены исследования зависимости емкости кремниевых p⁺р-n⁺-структур от запирающего
напряжения. Экспериментально показано, что в двухсторонне-диффузионных структурах вольтемкостные характеристики подчиняются кубическому закону за счет линейного распределения
примесей в базовой области, при этом приращения емкости от запирающего напряжения имеют
постоянную величину. В диффузионно-эпитаксиальных структурах наблюдается резкое снижение емкости в интервале напряжений от 0 до 5 вольт, что четко проявляется в зависимости
динамической емкости от запирающего напряжения. Наблюдаемые зависимости объясняются равномерной модуляцией базовой области в двухсторонне-диффузионной структуре
и сильной модуляцией базы в диффузионно-эпитаксиальной структуре за счет образования
p⁺p⁰-n⁺- и p⁺p⁰-i-n⁺ -структур в технологических процессах получения р-n-перехода.
Проведено дослідження залежності ємності кремнієвих p⁺р-n⁺-структур від замикаючої напруги.
Експериментально показано, що у двосторонньо-дифузійних структурах вольтємнісні характеристики відповідають кубічному закону за рахунок лінійного розподілу домішок у базовій
області, при цьому прирощення ємності від замикаючої напруги мають постійну величину. У
дифузійно-епітаксиальних структурах спостерігається різке зниження ємності в інтервалі напруг
від 0 до 5 вольтів, що чітко проявляється в залежності динамічної ємності від замикаючої напруги. Залежності, які спостерігаються поясненюються рівномірною модуляцією базової області
у двосторонньо-дифузійній структурі та сильній модуляції бази в дифузійно-епітаксиальній
структуріза рахунок утворення p⁺p⁰-n⁺ - і p⁺p⁰-i-n⁺ -структур у технологічних процесах одержання
р-n-переходу.
The research of depends of p⁺р-n⁺ -silicon structures volume on locked voltage. Experimentally shown
that in two-way-diffusion structures volt-ampere characteristics accept to cubic law by linear distribution
of impurities in the base. The increments of capacity from locked voltage are constant. In the diffusionepitaxial
structures a sharp decline in the capacity range of voltages from 0 to 5 volts, which is clearly
manifested in the dependence of the dynamic capacity of the locked voltage. The observed depends
are explained by the uniform modulation of the base region in a two-sided-diffusion structure and
strong modulation of the base in the diffusion-epitaxial structure by forming p⁺p⁰-n⁺ - and p⁺p⁰-i-n - structures in technological processes of p-n-junction.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:49:12Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-99826 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T15:49:12Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.В. Каримов, А.А. 2016-05-04T15:48:32Z 2016-05-04T15:48:32Z 2013 Исследование процессов модуляции базовой области кремниевой p+р-n+-структуры / Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, А.А. Каримов // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 199–203. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99826 621.383.52:535.243 Проведены исследования зависимости емкости кремниевых p⁺р-n⁺-структур от запирающего
 напряжения. Экспериментально показано, что в двухсторонне-диффузионных структурах вольтемкостные характеристики подчиняются кубическому закону за счет линейного распределения
 примесей в базовой области, при этом приращения емкости от запирающего напряжения имеют
 постоянную величину. В диффузионно-эпитаксиальных структурах наблюдается резкое снижение емкости в интервале напряжений от 0 до 5 вольт, что четко проявляется в зависимости
 динамической емкости от запирающего напряжения. Наблюдаемые зависимости объясняются равномерной модуляцией базовой области в двухсторонне-диффузионной структуре
 и сильной модуляцией базы в диффузионно-эпитаксиальной структуре за счет образования
 p⁺p⁰-n⁺- и p⁺p⁰-i-n⁺ -структур в технологических процессах получения р-n-перехода. Проведено дослідження залежності ємності кремнієвих p⁺р-n⁺-структур від замикаючої напруги.
 Експериментально показано, що у двосторонньо-дифузійних структурах вольтємнісні характеристики відповідають кубічному закону за рахунок лінійного розподілу домішок у базовій
 області, при цьому прирощення ємності від замикаючої напруги мають постійну величину. У
 дифузійно-епітаксиальних структурах спостерігається різке зниження ємності в інтервалі напруг
 від 0 до 5 вольтів, що чітко проявляється в залежності динамічної ємності від замикаючої напруги. Залежності, які спостерігаються поясненюються рівномірною модуляцією базової області
 у двосторонньо-дифузійній структурі та сильній модуляції бази в дифузійно-епітаксиальній
 структуріза рахунок утворення p⁺p⁰-n⁺ - і p⁺p⁰-i-n⁺ -структур у технологічних процесах одержання
 р-n-переходу. The research of depends of p⁺р-n⁺ -silicon structures volume on locked voltage. Experimentally shown
 that in two-way-diffusion structures volt-ampere characteristics accept to cubic law by linear distribution
 of impurities in the base. The increments of capacity from locked voltage are constant. In the diffusionepitaxial
 structures a sharp decline in the capacity range of voltages from 0 to 5 volts, which is clearly
 manifested in the dependence of the dynamic capacity of the locked voltage. The observed depends
 are explained by the uniform modulation of the base region in a two-sided-diffusion structure and
 strong modulation of the base in the diffusion-epitaxial structure by forming p⁺p⁰-n⁺ - and p⁺p⁰-i-n - structures in technological processes of p-n-junction. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Исследование процессов модуляции базовой области кремниевой p⁺р-n⁺-структуры Дослідження процесів модуляції базової області кремнієвої p⁺р-n⁺-структури Research of modulation base region processes in p⁺p-n⁺-silicon structure Article published earlier |
| spellingShingle | Исследование процессов модуляции базовой области кремниевой p⁺р-n⁺-структуры Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.В. Каримов, А.А. |
| title | Исследование процессов модуляции базовой области кремниевой p⁺р-n⁺-структуры |
| title_alt | Дослідження процесів модуляції базової області кремнієвої p⁺р-n⁺-структури Research of modulation base region processes in p⁺p-n⁺-silicon structure |
| title_full | Исследование процессов модуляции базовой области кремниевой p⁺р-n⁺-структуры |
| title_fullStr | Исследование процессов модуляции базовой области кремниевой p⁺р-n⁺-структуры |
| title_full_unstemmed | Исследование процессов модуляции базовой области кремниевой p⁺р-n⁺-структуры |
| title_short | Исследование процессов модуляции базовой области кремниевой p⁺р-n⁺-структуры |
| title_sort | исследование процессов модуляции базовой области кремниевой p⁺р-n⁺-структуры |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99826 |
| work_keys_str_mv | AT edgorovadm issledovanieprocessovmodulâciibazovoioblastikremnievoiprnstruktury AT karimovav issledovanieprocessovmodulâciibazovoioblastikremnievoiprnstruktury AT karimovaa issledovanieprocessovmodulâciibazovoioblastikremnievoiprnstruktury AT edgorovadm doslídžennâprocesívmodulâcííbazovoíoblastíkremníêvoíprnstrukturi AT karimovav doslídžennâprocesívmodulâcííbazovoíoblastíkremníêvoíprnstrukturi AT karimovaa doslídžennâprocesívmodulâcííbazovoíoblastíkremníêvoíprnstrukturi AT edgorovadm researchofmodulationbaseregionprocessesinppnsiliconstructure AT karimovav researchofmodulationbaseregionprocessesinppnsiliconstructure AT karimovaa researchofmodulationbaseregionprocessesinppnsiliconstructure |