Buchumschlag

Исследование процессов модуляции базовой области кремниевой p⁺р-n⁺-структуры

Проведены исследования зависимости емкости кремниевых p⁺р-n⁺-структур от запирающего напряжения. Экспериментально показано, что в двухсторонне-диффузионных структурах вольтемкостные характеристики подчиняются кубическому закону за счет линейного распределения примесей в базовой о...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Физическая инженерия поверхности
Datum:	2013
ISSN:	1999-8074
Hauptverfasser:	Ёдгорова, Д.М., Каримов, А.В., Каримов, А.А.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2013
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99826
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Исследование процессов модуляции базовой области кремниевой p+р-n+-структуры / Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, А.А. Каримов // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 199–203. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Влияние нейтронного облучения на процессы модуляции базовой области кремниевой p⁺nn⁺-структуры
von: Рахматов, А.З.
Veröffentlicht: (2013)

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Исследование возможности разработки высокоэффективных кремниевых фотопреобразователей с базовой p-i-n структурой
von: Шуба, Л.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Технология получения и исследование гетероструктурных солнечных элементов на основе n-Cds/p-CdTe
von: Каримов, Ш.Б., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой МОП-структуры
von: Гасанов, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Влияние кремниевой подложки на пробивное напряжение разветвленного n++-p+-перехода
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Влияние кремниевой подложки на пробивное напряжение разветвленного n++–p+-перехода
von: Sidorenko, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой МОП-структуры
von: Gasanov, A. M., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах
von: Рахматов, А.З., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах
von: Рахматов, А.З., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p-n-m-структурах
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Разработка и исследование базовой агентно-ориентированной модели функционирования экономики
von: Гуляницкий, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Разграничение модуляции и мышления
von: Майыл Биннат оглы Аскеров
Veröffentlicht: (2010)

Влияние электрической поляризации на волновой вектор модуляции антиферромагнитной структуры TbMnO₃
von: Чупис, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Свойства базовой компоненты бициклической Т-факторизации
von: Донец, Г.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Микросборка на кремниевой плате для акселерометра
von: Spirin, V. G.
Veröffentlicht: (2013)

Микросборка на кремниевой плате для акселерометра
von: Спирин, В.Г.
Veröffentlicht: (2013)

Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2006)

Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Физические явления в тонкобазовых транзисторных структурах
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Термин для базовой номинативной единицы языка
von: Теркулов, В.И.
Veröffentlicht: (2013)

Исследование пассивной модуляции добротности ИАГ:Nd лазера с затворами на основе окрашенных полиуретановых матриц
von: Безродный, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Исследование эффекта насыщения тока стока полевого транзистора с последовательно соединенными каналами
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Устранение паразитной частотной модуляции в звуковом сигнале
von: Косяк, И.В.
Veröffentlicht: (2010)