Зображення обкладинки

Исследование процессов модуляции базовой области кремниевой p⁺р-n⁺-структуры

Проведены исследования зависимости емкости кремниевых p⁺р-n⁺-структур от запирающего напряжения. Экспериментально показано, что в двухсторонне-диффузионных структурах вольтемкостные характеристики подчиняются кубическому закону за счет линейного распределения примесей в базовой области, при этом...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Физическая инженерия поверхности
Дата:	2013
Автори:	Ёдгорова, Д.М., Каримов, А.В., Каримов, А.А.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2013
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99826
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Исследование процессов модуляции базовой области кремниевой p+р-n+-структуры / Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, А.А. Каримов // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 199–203. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Влияние нейтронного облучения на процессы модуляции базовой области кремниевой p⁺nn⁺-структуры
за авторством: Рахматов, А.З.
Опубліковано: (2013)

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2011)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2014)

Исследование возможности разработки высокоэффективных кремниевых фотопреобразователей с базовой p-i-n структурой
за авторством: Шуба, Л.П., та інші
Опубліковано: (2007)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2008)

Микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой МОП-структуры
за авторством: Гасанов, А.М., та інші
Опубліковано: (2004)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Влияние кремниевой подложки на пробивное напряжение разветвленного n++-p+-перехода
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2003)

Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2006)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах
за авторством: Рахматов, А.З., та інші
Опубліковано: (2012)

Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах
за авторством: Рахматов, А.З., та інші
Опубліковано: (2012)

Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2014)

Разработка и исследование базовой агентно-ориентированной модели функционирования экономики
за авторством: Гуляницкий, Л.Ф., та інші
Опубліковано: (2014)

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
за авторством: Абдулхаев, О.А., та інші
Опубліковано: (2015)

Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p-n-m-структурах
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2006)

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры
за авторством: Абдулхаев, О.А., та інші
Опубліковано: (2018)

Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2005)

Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения
за авторством: Абдулхаев, О.А., та інші
Опубліковано: (2012)

Микросборка на кремниевой плате для акселерометра
за авторством: Spirin, V. G.
Опубліковано: (2013)

Микросборка на кремниевой плате для акселерометра
за авторством: Спирин, В.Г.
Опубліковано: (2013)

Термин для базовой номинативной единицы языка
за авторством: Теркулов, В.И.
Опубліковано: (2013)

Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Исследование пассивной модуляции добротности ИАГ:Nd лазера с затворами на основе окрашенных полиуретановых матриц
за авторством: Безродный, В.И., та інші
Опубліковано: (2016)

Физические явления в тонкобазовых транзисторных структурах
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2015)

Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
за авторством: Ёдгорова, Д.М.
Опубліковано: (2006)

Передача дискретной информации путем стохастической модуляции случайной несущей
за авторством: Розоринов, Г.Н., та інші
Опубліковано: (2005)

Устранение паразитной частотной модуляции в звуковом сигнале
за авторством: Косяк, И.В.
Опубліковано: (2010)

Цифровой телефонный аппарат на основе дельта-модуляции
за авторством: Новосядлый, С.П.
Опубліковано: (1998)

Исследование структуры загрязнения водных объектов посредством процессов Ито
за авторством: Осадчий, В.И., та інші
Опубліковано: (2014)

Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур
за авторством: Абдулхаев, О.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Фазово-частотные лазерные дальномеры с треугольным законом частотной модуляции
за авторством: Брагинец, И.А., та інші
Опубліковано: (2009)

Исследование эффекта насыщения тока стока полевого транзистора с последовательно соединенными каналами
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Направленная кристаллизация силицидных пленок на кремниевой подложке
за авторством: Belousov, I. V.
Опубліковано: (2007)

Формирование регулярной пористой структуры р-InP
за авторством: Сычикова, Я.А., та інші
Опубліковано: (2010)

Способ модуляции-демодуляции сигналов с квадратурным изменением угловой компоненты
за авторством: Kokhanov, A. B.
Опубліковано: (2006)

Исследование процессов дифференциации структуры чугунных отливок методом компьютерного моделирования
за авторством: Лукьяненко, И.В.
Опубліковано: (2019)