Электрические свойства межзеренных границ в объеме поликристаллического кремния

• Опубліковано в: : Физическая инженерия поверхности
• Дата: 2013
• Автори: Олимов, Л.О., Муйдинова, М., Омонбоев, Ф.Л.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2013
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99828
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Электрические свойства межзеренных границ в объеме поликристаллического кремния / Л.О. Олимов, М. Муйдинова, Ф.Л. Омонбоев // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 212–215. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

В работе изучены геометрические параметры и электрические свойства межзеренных границ
 в объеме поликристаллического кремния. Обнаружено изменение направления температурной
 зависимости проводимости межзереных границ в интервале температуры ~300 ÷ 900 К. Это
 объясняется проявлением рекомбинационных центров. Предложенные соображения и полученные результаты представляют интерес при исследовании поликристаллических и нанокристаллических полупроводников. У роботі вивчені геометричні параметри та електричні властивості міжзернових границь в
 об’ємі полікристалічного кремнію. Виявлено зміну напрямку температурноїзалежності провідності міжзернових границь в інтервалі температури ~300 ÷ 900 К. Це пояснюється проявом рекомбінаційних центрів. Запропоновані міркування та отримані результати становлять інтерес
 при дослідженні полікристалічних і нанокристалічних напівпровідників. In work geometric parameters and the electrical properties of grain boundaries in volume polycrystalline
 silicon studied. The Found changing the direction of the temperature dependence of the conductivity
 of grain boundaries in the temperature range ~300 ÷ 900 K. This is explained by the manifestation of
 recombination centers. The proposed ideas and the results are of interest in the study of polycrystalline
 and nanocrystalline semiconductors.