Электрические свойства межзеренных границ в объеме поликристаллического кремния
В работе изучены геометрические параметры и электрические свойства межзеренных границ
 в объеме поликристаллического кремния. Обнаружено изменение направления температурной
 зависимости проводимости межзереных границ в интервале температуры ~300 ÷ 900 К. Это
 объясняется проя...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2013 |
| ISSN: | 1999-8074 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2013
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99828 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Электрические свойства межзеренных границ в объеме поликристаллического кремния / Л.О. Олимов, М. Муйдинова, Ф.Л. Омонбоев // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 212–215. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | В работе изучены геометрические параметры и электрические свойства межзеренных границ
в объеме поликристаллического кремния. Обнаружено изменение направления температурной
зависимости проводимости межзереных границ в интервале температуры ~300 ÷ 900 К. Это
объясняется проявлением рекомбинационных центров. Предложенные соображения и полученные результаты представляют интерес при исследовании поликристаллических и нанокристаллических полупроводников.
У роботі вивчені геометричні параметри та електричні властивості міжзернових границь в
об’ємі полікристалічного кремнію. Виявлено зміну напрямку температурноїзалежності провідності міжзернових границь в інтервалі температури ~300 ÷ 900 К. Це пояснюється проявом рекомбінаційних центрів. Запропоновані міркування та отримані результати становлять інтерес
при дослідженні полікристалічних і нанокристалічних напівпровідників.
In work geometric parameters and the electrical properties of grain boundaries in volume polycrystalline
silicon studied. The Found changing the direction of the temperature dependence of the conductivity
of grain boundaries in the temperature range ~300 ÷ 900 K. This is explained by the manifestation of
recombination centers. The proposed ideas and the results are of interest in the study of polycrystalline
and nanocrystalline semiconductors.
|
|---|---|
| ISSN: | 1999-8074 |