Электрические свойства межзеренных границ в объеме поликристаллического кремния

В работе изучены геометрические параметры и электрические свойства межзеренных границ в объеме поликристаллического кремния. Обнаружено изменение направления температурной зависимости проводимости межзереных границ в интервале температуры ~300 ÷ 900 К. Это объясняется проявлением рекомбинационных...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физическая инженерия поверхности
Дата:2013
Автори: Олимов, Л.О., Муйдинова, М., Омонбоев, Ф.Л.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2013
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99828
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Электрические свойства межзеренных границ в объеме поликристаллического кремния / Л.О. Олимов, М. Муйдинова, Ф.Л. Омонбоев // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 212–215. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-99828
record_format dspace
spelling Олимов, Л.О.
Муйдинова, М.
Омонбоев, Ф.Л.
2016-05-04T15:50:40Z
2016-05-04T15:50:40Z
2013
Электрические свойства межзеренных границ в объеме поликристаллического кремния / Л.О. Олимов, М. Муйдинова, Ф.Л. Омонбоев // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 212–215. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
1999-8074
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99828
621.315.
В работе изучены геометрические параметры и электрические свойства межзеренных границ в объеме поликристаллического кремния. Обнаружено изменение направления температурной зависимости проводимости межзереных границ в интервале температуры ~300 ÷ 900 К. Это объясняется проявлением рекомбинационных центров. Предложенные соображения и полученные результаты представляют интерес при исследовании поликристаллических и нанокристаллических полупроводников.
У роботі вивчені геометричні параметри та електричні властивості міжзернових границь в об’ємі полікристалічного кремнію. Виявлено зміну напрямку температурноїзалежності провідності міжзернових границь в інтервалі температури ~300 ÷ 900 К. Це пояснюється проявом рекомбінаційних центрів. Запропоновані міркування та отримані результати становлять інтерес при дослідженні полікристалічних і нанокристалічних напівпровідників.
In work geometric parameters and the electrical properties of grain boundaries in volume polycrystalline silicon studied. The Found changing the direction of the temperature dependence of the conductivity of grain boundaries in the temperature range ~300 ÷ 900 K. This is explained by the manifestation of recombination centers. The proposed ideas and the results are of interest in the study of polycrystalline and nanocrystalline semiconductors.
ru
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Физическая инженерия поверхности
Электрические свойства межзеренных границ в объеме поликристаллического кремния
Електричні властивості міжзернових границь в об’ємі полікристалічного кремнію
Electrical properties of inter grain boundaries in volume of polycrystalline silicon
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Электрические свойства межзеренных границ в объеме поликристаллического кремния
spellingShingle Электрические свойства межзеренных границ в объеме поликристаллического кремния
Олимов, Л.О.
Муйдинова, М.
Омонбоев, Ф.Л.
title_short Электрические свойства межзеренных границ в объеме поликристаллического кремния
title_full Электрические свойства межзеренных границ в объеме поликристаллического кремния
title_fullStr Электрические свойства межзеренных границ в объеме поликристаллического кремния
title_full_unstemmed Электрические свойства межзеренных границ в объеме поликристаллического кремния
title_sort электрические свойства межзеренных границ в объеме поликристаллического кремния
author Олимов, Л.О.
Муйдинова, М.
Омонбоев, Ф.Л.
author_facet Олимов, Л.О.
Муйдинова, М.
Омонбоев, Ф.Л.
publishDate 2013
language Russian
container_title Физическая инженерия поверхности
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
format Article
title_alt Електричні властивості міжзернових границь в об’ємі полікристалічного кремнію
Electrical properties of inter grain boundaries in volume of polycrystalline silicon
description В работе изучены геометрические параметры и электрические свойства межзеренных границ в объеме поликристаллического кремния. Обнаружено изменение направления температурной зависимости проводимости межзереных границ в интервале температуры ~300 ÷ 900 К. Это объясняется проявлением рекомбинационных центров. Предложенные соображения и полученные результаты представляют интерес при исследовании поликристаллических и нанокристаллических полупроводников. У роботі вивчені геометричні параметри та електричні властивості міжзернових границь в об’ємі полікристалічного кремнію. Виявлено зміну напрямку температурноїзалежності провідності міжзернових границь в інтервалі температури ~300 ÷ 900 К. Це пояснюється проявом рекомбінаційних центрів. Запропоновані міркування та отримані результати становлять інтерес при дослідженні полікристалічних і нанокристалічних напівпровідників. In work geometric parameters and the electrical properties of grain boundaries in volume polycrystalline silicon studied. The Found changing the direction of the temperature dependence of the conductivity of grain boundaries in the temperature range ~300 ÷ 900 K. This is explained by the manifestation of recombination centers. The proposed ideas and the results are of interest in the study of polycrystalline and nanocrystalline semiconductors.
issn 1999-8074
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99828
citation_txt Электрические свойства межзеренных границ в объеме поликристаллического кремния / Л.О. Олимов, М. Муйдинова, Ф.Л. Омонбоев // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 212–215. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT olimovlo élektričeskiesvoistvamežzerennyhgranicvobʺemepolikristalličeskogokremniâ
AT muidinovam élektričeskiesvoistvamežzerennyhgranicvobʺemepolikristalličeskogokremniâ
AT omonboevfl élektričeskiesvoistvamežzerennyhgranicvobʺemepolikristalličeskogokremniâ
AT olimovlo električnívlastivostímížzernovihgranicʹvobêmípolíkristalíčnogokremníû
AT muidinovam električnívlastivostímížzernovihgranicʹvobêmípolíkristalíčnogokremníû
AT omonboevfl električnívlastivostímížzernovihgranicʹvobêmípolíkristalíčnogokremníû
AT olimovlo electricalpropertiesofintergrainboundariesinvolumeofpolycrystallinesilicon
AT muidinovam electricalpropertiesofintergrainboundariesinvolumeofpolycrystallinesilicon
AT omonboevfl electricalpropertiesofintergrainboundariesinvolumeofpolycrystallinesilicon
first_indexed 2025-12-07T20:22:15Z
last_indexed 2025-12-07T20:22:15Z
_version_ 1850882324058603520