Buchumschlag

Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки

Для детекторов короткопробежных частиц созданы пленочные CdTe-детекторные структуры с барьером Шоттки. Структуры изготовлены на основе крупноблочных p-CdTе пленок с удельным сопротивлением ρ ∼ 10⁷ Ом⋅cм. Кристаллиты пленок расположены ортогонально к плоскости Мо-подложки, на которой они сф...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Физическая инженерия поверхности
Datum:	2013
Hauptverfasser:	Мирсагатов, Ш.А., Ачилов, А.С., Заверюхин, Б.Н.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2013
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99829
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки / Ш.А. Мирсагатов, А.С. Ачилов, Б.Н. Заверюхин // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 216–222. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо
von: Мирсагатов, Ш.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Сублинейные обратные ВАХ толстых пленочных структур на основе CdTe
von: Мирсагатов, Ш.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Температурная зависимость обратной ветви ВАХ Al-p-CdTe-Mo структуры
von: Ачилов, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника
von: Мирсагатов, Ш.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe
von: Кондрик, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
von: Баранов, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
von: Baranov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки – Мотта
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Screen-printed p-CdTe layers for CdS/CdTe solar cells
von: Klad'ko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода
von: Сапаев, И.Б., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Низкотемпературная фотолюминесценция тонких пленок CdTe, CdTe:In с аномальным фотовольтаическим свойством
von: Ахмадалиев, Б.Ж., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
von: I. N. Yakovkin
Veröffentlicht: (2021)

Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
von: I. N. Yakovkin
Veröffentlicht: (2021)

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Нелинейный анализ смесителей миллиметрового диапазона на диодах с барьером Шоттки
von: Подъячий, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Детекторные свойства Cd₀,₉Zn₀,₁Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы
von: Кондрик, А.И.
Veröffentlicht: (2016)

Low-temperature photoluminescence of thin CdTe, CdTe:In films with an anomalous photovoltaic property
von: Zh. Akhmadaliev, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe
von: Melezhik, Ye.O., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Structural changes in molten CdTe
von: Shcherbak, L., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Si as dopant impurity in CdTe
von: Fochuk, P.M., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe
von: E. O. Melezhik, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Electrical and photoelectric properties of MoN/p-CdTe and MoN/n-CdTe heterojunctions
von: T. T. Kovaliuk, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Electrical and photoelectric properties of heterostructures NiO/p-CdTe and NiO/n-CdTe
von: G. P. Parkhomenko, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Гетероструктури n-ZnO:Al/porous-CdTe/p-CdTe в якості фотоелектричних перетворювачів
von: Дяденчук, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Application of CdTe (CdZnTe) detectors for radioactive waste characterization
von: Dovbnya, N.A., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Anisotropy of ultrasonic waves propagation velocities in CdHgTe/CdTe
von: Lysiuk, I.O., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Поверхневi та iнтерфейснi зони гетероструктури CdTe–HgTe–CdTe: докази металевостi
von: Yakovkin, I.N.
Veröffentlicht: (2021)

Photoluminescence studies of CdTe polycrystalline films
von: V. V. Tetyorkin, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Relaxation factors of acoustic conductivity in CdTe
von: Ya. M. Olikh, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Contact electrodeposition of CdTe thin films
von: Klochko, N.P., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Photoluminescence studies of CdTe polycrystalline films
von: Tetyorkin, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Influence of radiation-induced defects on CdTe and CdZnTe detectors properties
von: Kondrik, A.I.
Veröffentlicht: (2015)

Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
von: Захарченко, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
von: Parkhomenko, H. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
von: Пархоменко, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
von: Kovaliuk, Taras, et al.
Veröffentlicht: (2021)