Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры

• Veröffentlicht in: Физическая инженерия поверхности
• Datum: 2013
• 1. Verfasser: Сапаев, И.Б.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2013
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99830
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры / И.Б. Сапаев // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 223–227. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Изготовлено гетеропереходы n/Si-n/CdSx
 Te1-x методом вакуумного напыления пленки твердого
 раствора CdSx
 Te1-x на поверхность монокристаллического n/Si. Исследованы основные электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов. Определены значения постоянной кристаллической решетки твердого раствора CdSx
 Te1-x на границе гетероструктуры
 n/Si-n/CdSx
 Te1-x. Виготовлено гетеропереходи n/Sі-n/CdSx
 Te1-x методом вакуумного напилювання плівки твердого
 розчину CdSx
 Te1-x на поверхню монокристалічного n/Sі. Досліджено основні електричні та
 фотоелектричні властивості гетеропереходів. Визначено значення постійних кристалічних ґраток
 твердого розчину CdSx
 Te1-x на границі гетероструктури n/Si-n/CdSx
 Te1-x. It is made heterojunction n/Si-n/CdSx
 Te1-x by a method of a vacuum dusting of a film of firm solution
 CdSx
 Te1-x on a surface monocrystalline n/Si. The basic electric and photo-electric properties of heterojunction
 are investigated. Values of a constant crystal lattice of firm solution CdSx
 Te1-x on heterostructure
 border n/Si-n/ CdSx
 Te1-x are defined.