Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры
Изготовлено гетеропереходы n/Si-n/CdSx Te1-x методом вакуумного напыления пленки твердого раствора CdSx Te1-x на поверхность монокристаллического n/Si. Исследованы основные электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов. Определены значения постоянной кристаллической решетки твердо...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2013 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2013
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99830 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры / И.Б. Сапаев // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 223–227. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-99830 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Сапаев, И.Б. 2016-05-04T16:01:34Z 2016-05-04T16:01:34Z 2013 Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры / И.Б. Сапаев // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 223–227. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99830 53.043;53.023;539.234. Изготовлено гетеропереходы n/Si-n/CdSx Te1-x методом вакуумного напыления пленки твердого раствора CdSx Te1-x на поверхность монокристаллического n/Si. Исследованы основные электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов. Определены значения постоянной кристаллической решетки твердого раствора CdSx Te1-x на границе гетероструктуры n/Si-n/CdSx Te1-x. Виготовлено гетеропереходи n/Sі-n/CdSx Te1-x методом вакуумного напилювання плівки твердого розчину CdSx Te1-x на поверхню монокристалічного n/Sі. Досліджено основні електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів. Визначено значення постійних кристалічних ґраток твердого розчину CdSx Te1-x на границі гетероструктури n/Si-n/CdSx Te1-x. It is made heterojunction n/Si-n/CdSx Te1-x by a method of a vacuum dusting of a film of firm solution CdSx Te1-x on a surface monocrystalline n/Si. The basic electric and photo-electric properties of heterojunction are investigated. Values of a constant crystal lattice of firm solution CdSx Te1-x on heterostructure border n/Si-n/ CdSx Te1-x are defined. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры Дослідження електричних і фотоелектричних властивостей In-CdSxTe1-x-Si-In-структури Research of electric and photo-electric properties In-CdSx Te1-x-Si-In structures Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры |
| spellingShingle |
Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры Сапаев, И.Б. |
| title_short |
Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры |
| title_full |
Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры |
| title_fullStr |
Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры |
| title_full_unstemmed |
Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры |
| title_sort |
исследование электрических и фотоэлектрических свойств in-cdsxte1-x-si-in структуры |
| author |
Сапаев, И.Б. |
| author_facet |
Сапаев, И.Б. |
| publishDate |
2013 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физическая инженерия поверхности |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Дослідження електричних і фотоелектричних властивостей In-CdSxTe1-x-Si-In-структури Research of electric and photo-electric properties In-CdSx Te1-x-Si-In structures |
| description |
Изготовлено гетеропереходы n/Si-n/CdSx
Te1-x методом вакуумного напыления пленки твердого
раствора CdSx
Te1-x на поверхность монокристаллического n/Si. Исследованы основные электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов. Определены значения постоянной кристаллической решетки твердого раствора CdSx
Te1-x на границе гетероструктуры
n/Si-n/CdSx
Te1-x.
Виготовлено гетеропереходи n/Sі-n/CdSx
Te1-x методом вакуумного напилювання плівки твердого
розчину CdSx
Te1-x на поверхню монокристалічного n/Sі. Досліджено основні електричні та
фотоелектричні властивості гетеропереходів. Визначено значення постійних кристалічних ґраток
твердого розчину CdSx
Te1-x на границі гетероструктури n/Si-n/CdSx
Te1-x.
It is made heterojunction n/Si-n/CdSx
Te1-x by a method of a vacuum dusting of a film of firm solution
CdSx
Te1-x on a surface monocrystalline n/Si. The basic electric and photo-electric properties of heterojunction
are investigated. Values of a constant crystal lattice of firm solution CdSx
Te1-x on heterostructure
border n/Si-n/ CdSx
Te1-x are defined.
|
| issn |
1999-8074 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99830 |
| citation_txt |
Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры / И.Б. Сапаев // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 223–227. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT sapaevib issledovanieélektričeskihifotoélektričeskihsvoistvincdsxte1xsiinstruktury AT sapaevib doslídžennâelektričnihífotoelektričnihvlastivosteiincdsxte1xsiinstrukturi AT sapaevib researchofelectricandphotoelectricpropertiesincdsxte1xsiinstructures |
| first_indexed |
2025-12-07T13:18:20Z |
| last_indexed |
2025-12-07T13:18:20Z |
| _version_ |
1850855653674844160 |