Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры
Изготовлено гетеропереходы n/Si-n/CdSx
 Te1-x методом вакуумного напыления пленки твердого
 раствора CdSx
 Te1-x на поверхность монокристаллического n/Si. Исследованы основные электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов. Определены значения постоянной криста...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2013 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2013
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99830 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры / И.Б. Сапаев // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 223–227. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862619604132560896 |
|---|---|
| author | Сапаев, И.Б. |
| author_facet | Сапаев, И.Б. |
| citation_txt | Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры / И.Б. Сапаев // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 223–227. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | Изготовлено гетеропереходы n/Si-n/CdSx
Te1-x методом вакуумного напыления пленки твердого
раствора CdSx
Te1-x на поверхность монокристаллического n/Si. Исследованы основные электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов. Определены значения постоянной кристаллической решетки твердого раствора CdSx
Te1-x на границе гетероструктуры
n/Si-n/CdSx
Te1-x.
Виготовлено гетеропереходи n/Sі-n/CdSx
Te1-x методом вакуумного напилювання плівки твердого
розчину CdSx
Te1-x на поверхню монокристалічного n/Sі. Досліджено основні електричні та
фотоелектричні властивості гетеропереходів. Визначено значення постійних кристалічних ґраток
твердого розчину CdSx
Te1-x на границі гетероструктури n/Si-n/CdSx
Te1-x.
It is made heterojunction n/Si-n/CdSx
Te1-x by a method of a vacuum dusting of a film of firm solution
CdSx
Te1-x on a surface monocrystalline n/Si. The basic electric and photo-electric properties of heterojunction
are investigated. Values of a constant crystal lattice of firm solution CdSx
Te1-x on heterostructure
border n/Si-n/ CdSx
Te1-x are defined.
|
| first_indexed | 2025-12-07T13:18:20Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-99830 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T13:18:20Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Сапаев, И.Б. 2016-05-04T16:01:34Z 2016-05-04T16:01:34Z 2013 Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры / И.Б. Сапаев // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 223–227. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99830 53.043;53.023;539.234. Изготовлено гетеропереходы n/Si-n/CdSx
 Te1-x методом вакуумного напыления пленки твердого
 раствора CdSx
 Te1-x на поверхность монокристаллического n/Si. Исследованы основные электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов. Определены значения постоянной кристаллической решетки твердого раствора CdSx
 Te1-x на границе гетероструктуры
 n/Si-n/CdSx
 Te1-x. Виготовлено гетеропереходи n/Sі-n/CdSx
 Te1-x методом вакуумного напилювання плівки твердого
 розчину CdSx
 Te1-x на поверхню монокристалічного n/Sі. Досліджено основні електричні та
 фотоелектричні властивості гетеропереходів. Визначено значення постійних кристалічних ґраток
 твердого розчину CdSx
 Te1-x на границі гетероструктури n/Si-n/CdSx
 Te1-x. It is made heterojunction n/Si-n/CdSx
 Te1-x by a method of a vacuum dusting of a film of firm solution
 CdSx
 Te1-x on a surface monocrystalline n/Si. The basic electric and photo-electric properties of heterojunction
 are investigated. Values of a constant crystal lattice of firm solution CdSx
 Te1-x on heterostructure
 border n/Si-n/ CdSx
 Te1-x are defined. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры Дослідження електричних і фотоелектричних властивостей In-CdSxTe1-x-Si-In-структури Research of electric and photo-electric properties In-CdSx Te1-x-Si-In structures Article published earlier |
| spellingShingle | Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры Сапаев, И.Б. |
| title | Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры |
| title_alt | Дослідження електричних і фотоелектричних властивостей In-CdSxTe1-x-Si-In-структури Research of electric and photo-electric properties In-CdSx Te1-x-Si-In structures |
| title_full | Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры |
| title_fullStr | Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры |
| title_full_unstemmed | Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры |
| title_short | Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры |
| title_sort | исследование электрических и фотоэлектрических свойств in-cdsxte1-x-si-in структуры |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99830 |
| work_keys_str_mv | AT sapaevib issledovanieélektričeskihifotoélektričeskihsvoistvincdsxte1xsiinstruktury AT sapaevib doslídžennâelektričnihífotoelektričnihvlastivosteiincdsxte1xsiinstrukturi AT sapaevib researchofelectricandphotoelectricpropertiesincdsxte1xsiinstructures |