Зображення обкладинки

Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры

Изготовлено гетеропереходы n/Si-n/CdSx Te1-x методом вакуумного напыления пленки твердого раствора CdSx Te1-x на поверхность монокристаллического n/Si. Исследованы основные электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов. Определены значения постоянной криста...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Физическая инженерия поверхности
Дата:	2013
Автор:	Сапаев, И.Б.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2013
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99830
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры / И.Б. Сапаев // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 223–227. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Investigation of electrical and photovoltaic properties In-CdSxTe1-x-Si-In structure
за авторством: I. B. Sapaev
Опубліковано: (2013)

Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода
за авторством: Сапаев, И.Б., та інші
Опубліковано: (2014)

Urbach’s rule peculiarities in structures with CdSxSe₁₋x nanocrystals
за авторством: Kunets, V.P., та інші
Опубліковано: (2002)

Mechanism of photoinduced luminescence degradation in CdSxSe₁₋x quantum dots
за авторством: Kunets, V.P., та інші
Опубліковано: (2003)

Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел"
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2005)

Nonlinear interaction of the elliptically polarized light with CdSxSe1-x quantum dots
за авторством: M. R. Kulish, та інші
Опубліковано: (2010)

Nonlinear interaction of the elliptically polarized light with CdSxSe₁₋x quantum dots
за авторством: Kulish, M.R., та інші
Опубліковано: (2010)

Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x
за авторством: Трубаева, О.Г., та інші
Опубліковано: (2018)

Исследование фотоэлектрических характеристик микрофототерминала
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2006)

Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел–InSe–окисел"
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2005)

Photoinduced structural changes in As₁₀₀₋xSx layers
за авторством: Stronski, A., та інші
Опубліковано: (2000)

Si as dopant impurity in CdTe
за авторством: Fochuk, P.M., та інші
Опубліковано: (2005)

State of Cd₁₋xZnxTe and Cd₁₋xMnxTe surface depending on treatment type
за авторством: Dremlyuzhenko, S.G., та інші
Опубліковано: (2004)

Spectral Properties of Mn+CdS-nCdShTe1-x-pZnhCd1-xTe-Mo structures for an injection photodetector
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2013)

Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)

Optical investigations of thermostimulated changes in an ensemble of CdSxSe₁₋x quantum dots embedded into borosilicate glass matrix
за авторством: Kunets, V.P., та інші
Опубліковано: (2001)

Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)

Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
за авторством: Томашик, З.Ф., та інші
Опубліковано: (2013)

Scintillation materials based on solid solutions ZnSxSe1–x
за авторством: O. H. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)

Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки
за авторством: Мирсагатов, Ш.А., та інші
Опубліковано: (2013)

CdZnTe sensors for X-ray measurements
за авторством: A. V. Rybka, та інші
Опубліковано: (2006)

Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
за авторством: Zagoruiko, Yu. A., та інші
Опубліковано: (2010)

Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
за авторством: Загоруйко, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2010)

Mixed ZnSxSe₁-x crystals for digital radiography detectors
за авторством: Trubaieva, O.G., та інші
Опубліковано: (2018)

Исследование радиационной стойкости детекторов ионизирующих излучений на основе CdTe и CdZnTe
за авторством: Кутний, В.Е., та інші
Опубліковано: (2000)

Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe1–x
за авторством: Trubaeva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)

Effect of sulfur on the scintillation properties of mixed ZnSxSe1–x crystals
за авторством: O. G. Trubaeva, та інші
Опубліковано: (2018)

Investigation of band gap width in mixed ZnSxSe1–x crystals
за авторством: O. G. Trubaeva, та інші
Опубліковано: (2018)

Механизм усиления фототока в инжекционных фотодиодах на основе фоточувствительной поликристаллической пленки CdS
за авторством: Сапаев, И.Б., та інші
Опубліковано: (2015)

Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
за авторством: Войцеховский, А.В., та інші
Опубліковано: (2005)

Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
за авторством: Tomashik, Z. F., та інші
Опубліковано: (2013)

Features of manufacturing Cd1–xZnxTe ionizing radiation detector
за авторством: Z. F. Tomashik, та інші
Опубліковано: (2013)

Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника
за авторством: Мирсагатов, Ш.А., та інші
Опубліковано: (2013)

Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe₁₋x
за авторством: Трубаєва, О.Г., та інші
Опубліковано: (2018)

Исследование структуры и свойств проволоки из гафния
за авторством: Ажажа, Р.В., та інші
Опубліковано: (2013)

Synthesis and properties of semiconductor solid solutions (inSb)₁₋x(CdTe)x
за авторством: Venger, E.F., та інші
Опубліковано: (2006)

Дослідження ширини забороненої зони в змішаних кристалах ZnSxSe1–x
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)

Interaction of HNO₃-HI-citric acid aqueous solutions with CdTe, Zn₀.₀₄Cd₀.₉₆Te, Zn₀.₁Cd₀.₉Te and Cd₀.₂Hg₀.₈Te semiconductors
за авторством: Hvozdiyevskyi, Ye.Ye., та інші
Опубліковано: (2018)

Mixed ZnSxSe1–x crystals as a possible material for alpha-particle and X-ray detectors
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)

Mixed ZnSxSe1–x crystals as a possible material for alpha-particle and X-ray detectors
за авторством: O. H. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)