Buchumschlag

Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры

Изготовлено гетеропереходы n/Si-n/CdSx Te1-x методом вакуумного напыления пленки твердого раствора CdSx Te1-x на поверхность монокристаллического n/Si. Исследованы основные электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов. Определены значения постоянной кристаллической решетки твердо...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Физическая инженерия поверхности
Datum:	2013
1. Verfasser:	Сапаев, И.Б.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2013
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99830
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры / И.Б. Сапаев // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 223–227. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Investigation of electrical and photovoltaic properties In-CdSxTe1-x-Si-In structure
von: I. B. Sapaev
Veröffentlicht: (2013)

Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода
von: Сапаев, И.Б., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Urbach’s rule peculiarities in structures with CdSxSe₁₋x nanocrystals
von: Kunets, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Mechanism of photoinduced luminescence degradation in CdSxSe₁₋x quantum dots
von: Kunets, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Nonlinear interaction of the elliptically polarized light with CdSxSe1-x quantum dots
von: M. R. Kulish, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Nonlinear interaction of the elliptically polarized light with CdSxSe₁₋x quantum dots
von: Kulish, M.R., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x
von: Трубаева, О.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)

State of Cd₁₋xZnxTe and Cd₁₋xMnxTe surface depending on treatment type
von: Dremlyuzhenko, S.G., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Spectral Properties of Mn+CdS-nCdShTe1-x-pZnhCd1-xTe-Mo structures for an injection photodetector
von: Sh. A. Mirsagatov, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe
von: E. O. Melezhik, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Optical investigations of thermostimulated changes in an ensemble of CdSxSe₁₋x quantum dots embedded into borosilicate glass matrix
von: Kunets, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe
von: Melezhik, Ye.O., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
von: Томашик, З.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Scintillation materials based on solid solutions ZnSxSe1–x
von: O. H. Trubaieva, et al.
Veröffentlicht: (2018)

CdZnTe sensors for X-ray measurements
von: A. V. Rybka, et al.
Veröffentlicht: (2006)

Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
von: Загоруйко, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
von: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Исследование радиационной стойкости детекторов ионизирующих излучений на основе CdTe и CdZnTe
von: Кутний, В.Е., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe1–x
von: Trubaeva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Effect of sulfur on the scintillation properties of mixed ZnSxSe1–x crystals
von: O. G. Trubaeva, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Investigation of band gap width in mixed ZnSxSe1–x crystals
von: O. G. Trubaeva, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Исследование структуры и свойств проволоки из гафния
von: Ажажа, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника
von: Мирсагатов, Ш.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
von: Войцеховский, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
von: Tomashik, Z. F., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Features of manufacturing Cd1–xZnxTe ionizing radiation detector
von: Z. F. Tomashik, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe₁₋x
von: Трубаєва, О.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Исследование характеристик кремниевых фотоэлектрических преобразователей солнечных батарей при перегреве
von: Иванченко, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Дослідження ширини забороненої зони в змішаних кристалах ZnSxSe1–x
von: Trubaieva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Synthesis and properties of semiconductor solid solutions (inSb)₁₋x(CdTe)x
von: Venger, E.F., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Mixed ZnSxSe1–x crystals as a possible material for alpha-particle and X-ray detectors
von: O. G. Trubaieva, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Mixed ZnSxSe1–x crystals as a possible material for alpha-particle and X-ray detectors
von: O. H. Trubaieva, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Механизм усиления фототока в инжекционных фотодиодах на основе фоточувствительной поликристаллической пленки CdS
von: Сапаев, И.Б., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Optimization of bromine-emerging etching compositions K₂Cr₂O₇-HBr-ethylene glycol for forming a polished surface of CdTe, ZnxCd₁-xTe and CdxHg₁-xTe
von: Chayka, M.V., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Screen-printed p-CdTe layers for CdS/CdTe solar cells
von: Klad'ko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Исследование фотоэлектрических и фотографических характеристик полупроводниковой фотографической системы ионизационного типа
von: Юлдашев, Х.Т., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Band structure of [100] surface of Cd₁₋x Mn x Te diluted magnetic semiconductor
von: Melnichuk, S.V., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Photoluminescence excitation spectroscopy in narrow - gap Hg₁₋x₋yCd xMnyTe
von: Mazur, Yu. I.
Veröffentlicht: (1999)

Вплив вмісту сірки на сцинтиляційні властивості змішаних кристалів ZnSxSe1-x
von: Trubaieva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x
von: Трубаева, O.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)