Cover Image

Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры

Изготовлено гетеропереходы n/Si-n/CdSx Te1-x методом вакуумного напыления пленки твердого раствора CdSx Te1-x на поверхность монокристаллического n/Si. Исследованы основные электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов. Определены значения постоянной криста...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Published in:	Физическая инженерия поверхности
Date:	2013
Main Author:	Сапаев, И.Б.
Format:	Article
Language:	Russian
Published:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2013
Online Access:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99830
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:	Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры / И.Б. Сапаев // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 223–227. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Investigation of electrical and photovoltaic properties In-CdSxTe1-x-Si-In structure
by: I. B. Sapaev
Published: (2013)

Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода
by: Сапаев, И.Б., et al.
Published: (2014)

Urbach’s rule peculiarities in structures with CdSxSe₁₋x nanocrystals
by: Kunets, V.P., et al.
Published: (2002)

Mechanism of photoinduced luminescence degradation in CdSxSe₁₋x quantum dots
by: Kunets, V.P., et al.
Published: (2003)

Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел"
by: Ковалюк, З.Д., et al.
Published: (2005)

Nonlinear interaction of the elliptically polarized light with CdSxSe1-x quantum dots
by: M. R. Kulish, et al.
Published: (2010)

Nonlinear interaction of the elliptically polarized light with CdSxSe₁₋x quantum dots
by: Kulish, M.R., et al.
Published: (2010)

Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x
by: Трубаева, О.Г., et al.
Published: (2018)

Исследование фотоэлектрических характеристик микрофототерминала
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2006)

Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел–InSe–окисел"
by: Kovalyuk, Z. D., et al.
Published: (2005)

Photoinduced structural changes in As₁₀₀₋xSx layers
by: Stronski, A., et al.
Published: (2000)

Si as dopant impurity in CdTe
by: Fochuk, P.M., et al.
Published: (2005)

State of Cd₁₋xZnxTe and Cd₁₋xMnxTe surface depending on treatment type
by: Dremlyuzhenko, S.G., et al.
Published: (2004)

Spectral Properties of Mn+CdS-nCdShTe1-x-pZnhCd1-xTe-Mo structures for an injection photodetector
by: Sh. A. Mirsagatov, et al.
Published: (2013)

Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe
by: E. O. Melezhik, et al.
Published: (2014)

Optical investigations of thermostimulated changes in an ensemble of CdSxSe₁₋x quantum dots embedded into borosilicate glass matrix
by: Kunets, V.P., et al.
Published: (2001)

Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe
by: Melezhik, Ye.O., et al.
Published: (2014)

Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
by: Томашик, З.Ф., et al.
Published: (2013)

Scintillation materials based on solid solutions ZnSxSe1–x
by: O. H. Trubaieva, et al.
Published: (2018)

Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки
by: Мирсагатов, Ш.А., et al.
Published: (2013)

CdZnTe sensors for X-ray measurements
by: A. V. Rybka, et al.
Published: (2006)

Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
by: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Published: (2010)

Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
by: Загоруйко, Ю.А., et al.
Published: (2010)

Mixed ZnSxSe₁-x crystals for digital radiography detectors
by: Trubaieva, O.G., et al.
Published: (2018)

Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe1–x
by: Trubaeva, O. G., et al.
Published: (2018)

Effect of sulfur on the scintillation properties of mixed ZnSxSe1–x crystals
by: O. G. Trubaeva, et al.
Published: (2018)

Investigation of band gap width in mixed ZnSxSe1–x crystals
by: O. G. Trubaeva, et al.
Published: (2018)

Исследование радиационной стойкости детекторов ионизирующих излучений на основе CdTe и CdZnTe
by: Кутний, В.Е., et al.
Published: (2000)

Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
by: Войцеховский, А.В., et al.
Published: (2005)

Механизм усиления фототока в инжекционных фотодиодах на основе фоточувствительной поликристаллической пленки CdS
by: Сапаев, И.Б., et al.
Published: (2015)

Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
by: Tomashik, Z. F., et al.
Published: (2013)

Features of manufacturing Cd1–xZnxTe ionizing radiation detector
by: Z. F. Tomashik, et al.
Published: (2013)

Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника
by: Мирсагатов, Ш.А., et al.
Published: (2013)

Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe₁₋x
by: Трубаєва, О.Г., et al.
Published: (2018)

Дослідження ширини забороненої зони в змішаних кристалах ZnSxSe1–x
by: Trubaieva, O. G., et al.
Published: (2018)

Synthesis and properties of semiconductor solid solutions (inSb)₁₋x(CdTe)x
by: Venger, E.F., et al.
Published: (2006)

Interaction of HNO₃-HI-citric acid aqueous solutions with CdTe, Zn₀.₀₄Cd₀.₉₆Te, Zn₀.₁Cd₀.₉Te and Cd₀.₂Hg₀.₈Te semiconductors
by: Hvozdiyevskyi, Ye.Ye., et al.
Published: (2018)

Исследование структуры и свойств проволоки из гафния
by: Ажажа, Р.В., et al.
Published: (2013)

Mixed ZnSxSe1–x crystals as a possible material for alpha-particle and X-ray detectors
by: O. G. Trubaieva, et al.
Published: (2018)

Mixed ZnSxSe1–x crystals as a possible material for alpha-particle and X-ray detectors
by: O. H. Trubaieva, et al.
Published: (2018)