Исследования температурной зависимости ширины запрещенной зоны Si и Ge с помощью модели

• Veröffentlicht in: Физическая инженерия поверхности
• Datum: 2013
• 1. Verfasser: Шарибаев, Н.Ю.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2013
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99831
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Исследования температурной зависимости ширины запрещенной зоны Si и Ge с помощью модели / Н.Ю. Шарибаев // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 228–230. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

С помощью модели разложения плотности состояния в ряд по GN(Ei, Et, T)-функциям производной вероятности ионизации дискретных состояний по энергии исследована температурная зависимость ширины запрещенной зоны для Si и Ge. Результаты численных экспериментов указывают на то, что ширина запрещенной зоны для Si и Ge, если в запрещенной зоне отсутствуют энергетические уровни, при низких температурах шире чем значения, полученные в эксперименте: Si – 0.018 эВ, Ge – 0.008 эВ. За допомогою моделі розкладання щільності стану в ряд по GN(Ei, Et, T)-функціях похідної ймовірності іонізації дискретних станів за енергією досліджена температурна залежність ширини забороненої зони для Si і Ge. Результати числових експериментів вказують на те, що ширина забороненоїзони для Si і Ge, якщо у забороненій зоні відсутні енергетичні рівні, за низьких температур ширша ніж значення, отримані в експерименті: Si – 0.018 еВ, Ge – 0.008 еВ. The model decomposition of the density of states in a series of GN(Ei, Et, T)-derivative functions of discrete states of the ionization energy The temperature dependence of the band gap of Si and Ge. Numerical results indicate that the band gap of Si and Ge in the ideal case, if the band gap energy levels available at low temperatures greater than the experimental results: Si – 0.018 eV, Ge– 0.008 еV.