Исследования температурной зависимости ширины запрещенной зоны Si и Ge с помощью модели
С помощью модели разложения плотности состояния в ряд по GN(Ei, Et, T)-функциям производной вероятности ионизации дискретных состояний по энергии исследована температурная
 зависимость ширины запрещенной зоны для Si и Ge. Результаты численных экспериментов
 указывают на то, что шир...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2013 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2013
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99831 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Исследования температурной зависимости ширины запрещенной зоны Si и Ge с помощью модели / Н.Ю. Шарибаев // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 228–230. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862672371109855232 |
|---|---|
| author | Шарибаев, Н.Ю. |
| author_facet | Шарибаев, Н.Ю. |
| citation_txt | Исследования температурной зависимости ширины запрещенной зоны Si и Ge с помощью модели / Н.Ю. Шарибаев // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 228–230. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | С помощью модели разложения плотности состояния в ряд по GN(Ei, Et, T)-функциям производной вероятности ионизации дискретных состояний по энергии исследована температурная
зависимость ширины запрещенной зоны для Si и Ge. Результаты численных экспериментов
указывают на то, что ширина запрещенной зоны для Si и Ge, если в запрещенной зоне отсутствуют энергетические уровни, при низких температурах шире чем значения, полученные в эксперименте: Si – 0.018 эВ, Ge – 0.008 эВ.
За допомогою моделі розкладання щільності стану в ряд по GN(Ei, Et, T)-функціях похідної
ймовірності іонізації дискретних станів за енергією досліджена температурна залежність ширини
забороненої зони для Si і Ge. Результати числових експериментів вказують на те, що ширина
забороненоїзони для Si і Ge, якщо у забороненій зоні відсутні енергетичні рівні, за низьких температур ширша ніж значення, отримані в експерименті: Si – 0.018 еВ, Ge – 0.008 еВ.
The model decomposition of the density of states in a series of GN(Ei, Et, T)-derivative functions of
discrete states of the ionization energy The temperature dependence of the band gap of Si and Ge.
Numerical results indicate that the band gap of Si and Ge in the ideal case, if the band gap energy levels
available at low temperatures greater than the experimental results: Si – 0.018 eV, Ge– 0.008 еV.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:35:38Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-99831 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T15:35:38Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Шарибаев, Н.Ю. 2016-05-04T16:06:06Z 2016-05-04T16:06:06Z 2013 Исследования температурной зависимости ширины запрещенной зоны Si и Ge с помощью модели / Н.Ю. Шарибаев // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 228–230. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99831 539.21: 621.315.592 С помощью модели разложения плотности состояния в ряд по GN(Ei, Et, T)-функциям производной вероятности ионизации дискретных состояний по энергии исследована температурная
 зависимость ширины запрещенной зоны для Si и Ge. Результаты численных экспериментов
 указывают на то, что ширина запрещенной зоны для Si и Ge, если в запрещенной зоне отсутствуют энергетические уровни, при низких температурах шире чем значения, полученные в эксперименте: Si – 0.018 эВ, Ge – 0.008 эВ. За допомогою моделі розкладання щільності стану в ряд по GN(Ei, Et, T)-функціях похідної
 ймовірності іонізації дискретних станів за енергією досліджена температурна залежність ширини
 забороненої зони для Si і Ge. Результати числових експериментів вказують на те, що ширина
 забороненоїзони для Si і Ge, якщо у забороненій зоні відсутні енергетичні рівні, за низьких температур ширша ніж значення, отримані в експерименті: Si – 0.018 еВ, Ge – 0.008 еВ. The model decomposition of the density of states in a series of GN(Ei, Et, T)-derivative functions of
 discrete states of the ionization energy The temperature dependence of the band gap of Si and Ge.
 Numerical results indicate that the band gap of Si and Ge in the ideal case, if the band gap energy levels
 available at low temperatures greater than the experimental results: Si – 0.018 eV, Ge– 0.008 еV. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Исследования температурной зависимости ширины запрещенной зоны Si и Ge с помощью модели Дослідження температурної залежності ширини забороненої зони Si та Ge за допомогою моделі The temperature dependence of the band gap of Si and Ge by the model Article published earlier |
| spellingShingle | Исследования температурной зависимости ширины запрещенной зоны Si и Ge с помощью модели Шарибаев, Н.Ю. |
| title | Исследования температурной зависимости ширины запрещенной зоны Si и Ge с помощью модели |
| title_alt | Дослідження температурної залежності ширини забороненої зони Si та Ge за допомогою моделі The temperature dependence of the band gap of Si and Ge by the model |
| title_full | Исследования температурной зависимости ширины запрещенной зоны Si и Ge с помощью модели |
| title_fullStr | Исследования температурной зависимости ширины запрещенной зоны Si и Ge с помощью модели |
| title_full_unstemmed | Исследования температурной зависимости ширины запрещенной зоны Si и Ge с помощью модели |
| title_short | Исследования температурной зависимости ширины запрещенной зоны Si и Ge с помощью модели |
| title_sort | исследования температурной зависимости ширины запрещенной зоны si и ge с помощью модели |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99831 |
| work_keys_str_mv | AT šaribaevnû issledovaniâtemperaturnoizavisimostiširinyzapreŝennoizonysiigespomoŝʹûmodeli AT šaribaevnû doslídžennâtemperaturnoízaležnostíširinizaboronenoízonisitagezadopomogoûmodelí AT šaribaevnû thetemperaturedependenceofthebandgapofsiandgebythemodel |