Исследования температурной зависимости ширины запрещенной зоны Si и Ge с помощью модели

• Published in: Физическая инженерия поверхности
• Date: 2013
• Main Author: Шарибаев, Н.Ю.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2013
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99831
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Исследования температурной зависимости ширины запрещенной зоны Si и Ge с помощью модели / Н.Ю. Шарибаев // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 228–230. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

С помощью модели разложения плотности состояния в ряд по GN(Ei, Et, T)-функциям производной вероятности ионизации дискретных состояний по энергии исследована температурная зависимость ширины запрещенной зоны для Si и Ge. Результаты численных экспериментов указывают на то, что ширина запрещенной...