Вплив імплантації іонами гелію на форму елементарної комірки у приповерхневих шарах монокристалів ҐҐҐ

• Veröffentlicht in: Физическая инженерия поверхности
• Datum: 2013
• ISSN: 1999-8074
• Hauptverfasser: Яремій, І.П., Томин, У.О., Уманців, М.М., Кравець, В.І.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2013
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99833
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Вплив імплантації іонами гелію на форму елементарної комірки у приповерхневих шарах монокристалів ҐҐҐ / І.П. Яремій, У.О. Томин, М.М. Уманців, В.І. Кравець // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 237–242. — Бібліогр.: 14 назв. — укр.

Досліджено трансформацію кристалічної ґратки в іонно-імплантованих шарах монокристалів
 ґалій-ґадолінієвого ґранату. Встановлено, що у площині пластин монокристалів ҐҐҐ при імплантації
 іонами Не⁺ деформація кристалічної ґратки в імплантованому шарі відбувається тільки у перпендикулярному до площини пластин напрямку, а елементарна комірка понижує свою симетрію
 з кубічної до ромбоедричної. Исследовано трансформацию кристаллической решетки в ионно-имплантированных слоях
 монокристаллов галлий-гадолиниевого граната. Установлено, что в результате имплантации
 ионами Не⁺ деформация кристаллической решетки в имплантированном слое монокристаллов
 галлий-гадолиниевого граната происходит только в перпендикулярном к плоскости пластин направлении, а элементарная ячейка снижает свою симметрию с кубической к ромбоэдрической The transformation of the crystal lattice in ion-implanted layers of gadolinium gallium garnet single
 crystals was investigated. It was determined that the deformation of the crystal lattice in the implanted
 layer as a result of implantation by He⁺ ions occurs only in the perpendicular to the plane of plates
 direction, and unit cell reduces its symmetry from cubic to rhombohedral.