Переохлаждение при кристаллизации пленок висмута на германиевой подложке - Колендовский, М.М.; Богатыренко, С.И.; Крышталь, А.П.; Гладких, Н.Т.; Дукаров, С.В.; Самсоник, А.Л.; Сухов, Р.В. (Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України, 2007)
Исследованы механизм конденсации в пленочной системе Bi—Ge и изменение электрического сопротивления в слоистой пленочной системе Ge—Bi—Ge в ходе циклов нагрев—охлаждение. Определены величина переохлаждения при кристаллизации висмута в контакте с аморфным и поликристаллическим германием — 94 K и угол смачивания в островковых пленках висмута на аморфной германиевой подложке — 68°. Полученные результаты хорошо согласуются с имеющимися данными по обобщенной зависимости величины переохлаждения от угла смачивания для других контактных систем.