Туннелирование в сверхпроводниках под давлением
Представлен обзор экспериментальных исследований эффектов электронного туннелирования и андреевского отражения электронов в низкотемпературных (НТСП) и высокотемпературных сверхпроводниках (ВТСП) в условиях гидростатического сжатия до 15 кбар. Анализируются изменения энергетической щели и ее анизотр...
Збережено в:
| Дата: | 2006 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2006
|
| Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
| Теми: | |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Туннелирование в сверхпроводниках под давлением / В.М. Свистунов, В.Н. Леонова // Вопросы атомной науки и техники. — 2006. — № 4. — С. 4-14. — Бібліогр.:44 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Представлен обзор экспериментальных исследований эффектов электронного туннелирования и андреевского отражения электронов в низкотемпературных (НТСП) и высокотемпературных сверхпроводниках (ВТСП) в условиях гидростатического сжатия до 15 кбар. Анализируются изменения энергетической щели и ее анизотропии, фононных спектров НТСП и массивных ВТСП. Обнаружен эффект частотной зависимости микроскопического параметра Грюнайзена. В отличие от НТСП в ВТСП наблюдается заметное смягчение высокочастотной части фононного спектра, соответствующего «дышащим» модам кислорода. Эффект возрастания отношения 2∆/кТс(Р) достаточно хорошо объясняется наблюдаемым уменьшением частот верхней границы фононного спектра ВТСП, т.е. практически полностью обусловлен сильным электрон-фононным взаимодействием (ЭФВ). |
|---|