МАТЕМАТИЧНА МОДЕЛЬ МІКРОЕЛЕКТРОННОГО ЧАСТОТНОГО СЕНСОРА ОПТИЧНОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ
У роботі удосконалено математичну модель мікроелектронного частотного сенсора оптичного опромінення. Запропоновано нелінійну апроксимацію статичних характеристик транзисторної структури на основі НВЧ біполярного і польового транзисторів. Отримані співвідношення для інженерного розрахунку мікроелектр...
Gespeichert in:
| Datum: | 2013 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Vinnytsia National Technical University
2013
|
| Online Zugang: | https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/101 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Optoelectronic Information-Power Technologies |
Institution
Optoelectronic Information-Power Technologies| id |
oai:oeipt.vntu.edu.ua:article-101 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
oai:oeipt.vntu.edu.ua:article-1012015-11-05T13:08:47Z МАТЕМАТИЧНА МОДЕЛЬ МІКРОЕЛЕКТРОННОГО ЧАСТОТНОГО СЕНСОРА ОПТИЧНОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ Осадчук, О. В. Семенов, А. О. Задорожний, В. К. У роботі удосконалено математичну модель мікроелектронного частотного сенсора оптичного опромінення. Запропоновано нелінійну апроксимацію статичних характеристик транзисторної структури на основі НВЧ біполярного і польового транзисторів. Отримані співвідношення для інженерного розрахунку мікроелектронного частотного сенсора оптичного опромінення. Vinnytsia National Technical University 2013-11-11 Article Article application/pdf https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/101 Optoelectronic Information-Power Technologies; Vol. 17 No. 1 (2009); 187-192 Оптико-електроннi iнформацiйно-енергетичнi технологiї; Том 17 № 1 (2009); 187-192 Оптико-електроннi iнформацiйно-енергетичнi технологiї; Том 17 № 1 (2009); 187-192 2311-2662 1681-7893 uk https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/101/101 Авторське право (c) 2015 Оптико-електроннi iнформацiйно-енергетичнi технологiї |
| institution |
Optoelectronic Information-Power Technologies |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2015-11-05T13:08:47Z |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian |
| format |
Article |
| author |
Осадчук, О. В. Семенов, А. О. Задорожний, В. К. |
| spellingShingle |
Осадчук, О. В. Семенов, А. О. Задорожний, В. К. МАТЕМАТИЧНА МОДЕЛЬ МІКРОЕЛЕКТРОННОГО ЧАСТОТНОГО СЕНСОРА ОПТИЧНОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ |
| author_facet |
Осадчук, О. В. Семенов, А. О. Задорожний, В. К. |
| author_sort |
Осадчук, О. В. |
| title |
МАТЕМАТИЧНА МОДЕЛЬ МІКРОЕЛЕКТРОННОГО ЧАСТОТНОГО СЕНСОРА ОПТИЧНОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ |
| title_short |
МАТЕМАТИЧНА МОДЕЛЬ МІКРОЕЛЕКТРОННОГО ЧАСТОТНОГО СЕНСОРА ОПТИЧНОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ |
| title_full |
МАТЕМАТИЧНА МОДЕЛЬ МІКРОЕЛЕКТРОННОГО ЧАСТОТНОГО СЕНСОРА ОПТИЧНОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ |
| title_fullStr |
МАТЕМАТИЧНА МОДЕЛЬ МІКРОЕЛЕКТРОННОГО ЧАСТОТНОГО СЕНСОРА ОПТИЧНОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ |
| title_full_unstemmed |
МАТЕМАТИЧНА МОДЕЛЬ МІКРОЕЛЕКТРОННОГО ЧАСТОТНОГО СЕНСОРА ОПТИЧНОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ |
| title_sort |
математична модель мікроелектронного частотного сенсора оптичного випромінювання |
| description |
У роботі удосконалено математичну модель мікроелектронного частотного сенсора оптичного опромінення. Запропоновано нелінійну апроксимацію статичних характеристик транзисторної структури на основі НВЧ біполярного і польового транзисторів. Отримані співвідношення для інженерного розрахунку мікроелектронного частотного сенсора оптичного опромінення. |
| publisher |
Vinnytsia National Technical University |
| publishDate |
2013 |
| url |
https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/101 |
| work_keys_str_mv |
AT osadčukov matematičnamodelʹmíkroelektronnogočastotnogosensoraoptičnogovipromínûvannâ AT semenovao matematičnamodelʹmíkroelektronnogočastotnogosensoraoptičnogovipromínûvannâ AT zadorožnijvk matematičnamodelʹmíkroelektronnogočastotnogosensoraoptičnogovipromínûvannâ |
| first_indexed |
2025-09-24T17:28:35Z |
| last_indexed |
2025-09-24T17:28:35Z |
| _version_ |
1850410191442411520 |