МАТЕМАТИЧНА МОДЕЛЬ МІКРОЕЛЕКТРОННОГО ЧАСТОТНОГО СЕНСОРА ОПТИЧНОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ
У роботі удосконалено математичну модель мікроелектронного частотного сенсора оптичного опромінення. Запропоновано нелінійну апроксимацію статичних характеристик транзисторної структури на основі НВЧ біполярного і польового транзисторів. Отримані співвідношення для інженерного розрахунку мікроелектр...
Gespeichert in:
| Datum: | 2013 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Vinnytsia National Technical University
2013
|
| Online Zugang: | https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/101 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Optoelectronic Information-Power Technologies |