Особливості магнітоопору монокристалів InSe І GaSe
Giant magnetoresistance in the laser intercalated by chrome single crystals of gallium selenide and indium selenide is observed. Specific resistance in xInSe is changed both in its value and sign. In xGaSe the applied magnetic field causes 87% change of the specific resistance. Reason of the anomalo...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | Pokladok, N. T., Grygorchak, I. I., Lukiyanets, B. A., Popovych, D. I., Ripetskyy, R. I. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Vinnytsia National Technical University
2013
|
| Онлайн доступ: | https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/15 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Optoelectronic Information-Power Technologies |
Репозитарії
Optoelectronic Information-Power TechnologiesСхожі ресурси
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
за авторством: Kudrynskyi, Z. R., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Kudrynskyi, Z. R., та інші
Опубліковано: (2012)
Конденсаторы на основе интеркалата GaSe
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2010)
Особливості структури сколотих поверхонь шаруватих кристалів GaSe‹Sn›
за авторством: Pashayev, A. M., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Pashayev, A. M., та інші
Опубліковано: (2011)
THERMODYNAMICALLY STABLE PHASES OF THE Ag9GaSe6 – Ag8GeSe6 SYSTEM AT T
за авторством: Moroz, Mykola, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Moroz, Mykola, та інші
Опубліковано: (2022)
Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2009)
Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2015)
Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
за авторством: Sydor, O. N., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sydor, O. N., та інші
Опубліковано: (2012)
Особливості нікелевих наноструктур сформованих на міжшарових поверхнях сколювання (0001) інтеркалатів NiхInSe
за авторством: Galiy, P. V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Galiy, P. V., та інші
Опубліковано: (2018)
Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
за авторством: Katerynchuk, V. M., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Katerynchuk, V. M., та інші
Опубліковано: (2010)
КВАЗІПОТРІЙНА СИСТЕМА Tl2Se–TlInSe2–Tl4P2Se6
за авторством: Barchiy, Igor, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Barchiy, Igor, та інші
Опубліковано: (2019)
SHORT - рядка AgGaS2 (SE2) аморфна сполук і епітаксійного росту плівок На їх базі С надбудовних клітин
за авторством: Kasimov, F. D., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Kasimov, F. D., та інші
Опубліковано: (2013)
Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
за авторством: Makhniy, V. P., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Makhniy, V. P., та інші
Опубліковано: (2016)
ВЗАЄМОДІЯ У КВАЗІПОДВІЙНИХ СИСТЕМАХ НА ОСНОВІ TlSbP2Se6 ТА СПОЛУК СИСТЕМИ Tl2Se–Sb2Se3
за авторством: Sabov, Viktoria, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Sabov, Viktoria, та інші
Опубліковано: (2019)
STM data: Gold Nanoreliefs on Van der Waals Surfaces of InSe Semiconductor Single Crystals Obtained by High-Resolution Scanning Tunneling Microscopy Methods
за авторством: Karbivskyy Volodymyr, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Karbivskyy Volodymyr, та інші
Опубліковано: (2024)
Особливості кристалографії поверхонь сколювання (100) шаруватих напівпровідникових кристалів In4Se3
за авторством: Galiy, P. V.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Galiy, P. V.
Опубліковано: (2014)
Фоточутливі нанокомпозити на основі нанотрубок TiО2, CdSe і оксиду графена
за авторством: Rusetskii, I. A., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Rusetskii, I. A., та інші
Опубліковано: (2016)
Поверхневі шари ZnSe:Ca з дірковою провідністю
за авторством: Makhniy, V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Makhniy, V., та інші
Опубліковано: (2019)
Влияние морфологии поверхности подложек ZnSe:Te на их оптические свойства
за авторством: Makhniy, V. P., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Makhniy, V. P., та інші
Опубліковано: (2016)
MILLIMETER AND SUB-MILLIMETER-WAVE SPECTRUM OF SELENIUM DIOXIDE, SeO2
за авторством: Alekseev, E. A., та інші
Опубліковано: (2025)
за авторством: Alekseev, E. A., та інші
Опубліковано: (2025)
Optical Recording of Micro- and Nano- Relief Structures on Inorganic Resists Ge-Se
за авторством: Indutny, I. Z., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Indutny, I. Z., та інші
Опубліковано: (2013)
Перспективи використання кристалів ZnSe в гіперспектральних оптичних системах
за авторством: Махній, Віктор Петрович, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Махній, Віктор Петрович, та інші
Опубліковано: (2019)
Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe1–x
за авторством: Trubaeva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Trubaeva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)
Вплив температури на оптичні властивості тонких плівок Cu2ZnSnSe4
за авторством: Maystruk, E. V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Maystruk, E. V., та інші
Опубліковано: (2018)
Laser-induced changes in optical properties of amorphous films of the system Ge-Se
за авторством: Рубіш, В. М., та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Рубіш, В. М., та інші
Опубліковано: (2024)
CRYSTALS GROWTH AND REFINEMENT OF THE Cu3SbSe3 CRYSTAL STRUCTURE
за авторством: Chorba , Onika, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Chorba , Onika, та інші
Опубліковано: (2022)
Фотоелектрохімічні властивості наноструктурованих фотоелектродів TiО2/CdSe для систем одержання водню
за авторством: Slobodyanyuk, I. A., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Slobodyanyuk, I. A., та інші
Опубліковано: (2012)
Дослідження кристалів Cu2ZnSnSe4 та гетеропереходів на їхній основі
за авторством: Kovaliuk, T. T., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Kovaliuk, T. T., та інші
Опубліковано: (2018)
Магнитные и кинетические свойства кристаллов Hg1–x–yCdxDyySe
за авторством: Kovalyuk, T. T., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Kovalyuk, T. T., та інші
Опубліковано: (2014)
Influence of laser radiation and mercury vapors on the structure of se100-xtex amorphous films
за авторством: Рубіш, В. М., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Рубіш, В. М., та інші
Опубліковано: (2022)
Вплив вмісту сірки на сцинтиляційні властивості змішаних кристалів ZnSxSe1-x
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)
Дослідження ширини забороненої зони в змішаних кристалах ZnSxSe1–x
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)
Дослідження можливості використання матеріалів на основі CdTeSe для детекторів іонізуючих випромінювань
за авторством: Kondrik , Оleksandr
Опубліковано: (2024)
за авторством: Kondrik , Оleksandr
Опубліковано: (2024)
SYNTHESIS AND OPTICAL PROPERTIES OF MESOMORPHIC GLASSY NANOCOMPOSITES BASED ON CADMIUM CAPRYLATE WITH CdSe / ZnS HETERONANOPARTICLES
за авторством: Mirnaya, Tatiana, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Mirnaya, Tatiana, та інші
Опубліковано: (2019)
Визначення профілів розподілу елементів по глибині приповерхневого шару тонких плівок Ge33As12Se55
за авторством: Shchurova, T. N., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Shchurova, T. N., та інші
Опубліковано: (2010)
Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Вплив адсорбції кисню і води на термоелектричну роботу виходу монокристалів GeS
за авторством: Savchenko, N. D., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Savchenko, N. D., та інші
Опубліковано: (2011)
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)
Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)
ОСОБЛИВОСТІ НАПРАВЛЕНОГО РОСТУ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗУ В СИСТЕМІ Fe-Co-Mg-C
за авторством: Коваленко, Т. В., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Коваленко, Т. В., та інші
Опубліковано: (2022)
SCHOTTKY DIODE TRIPLER IN THE 3-MM WAVE RECEIVER FOR INVESTIGATION OF ATMOSPHERIC GASES
за авторством: Piddyachiy, V. I.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Piddyachiy, V. I.
Опубліковано: (2015)
Схожі ресурси
-
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
за авторством: Kudrynskyi, Z. R., та інші
Опубліковано: (2012) -
Конденсаторы на основе интеркалата GaSe
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2010) -
Особливості структури сколотих поверхонь шаруватих кристалів GaSe‹Sn›
за авторством: Pashayev, A. M., та інші
Опубліковано: (2011) -
THERMODYNAMICALLY STABLE PHASES OF THE Ag9GaSe6 – Ag8GeSe6 SYSTEM AT T
за авторством: Moroz, Mykola, та інші
Опубліковано: (2022) -
Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2009)