УПРАВЛІННЯ ВЛАСТИВОСТЯМИ СКЛАДНИХ III-оксидного нанокристалічних ЕЛЕМЕНТІВ У ТЕХНОЛОГІЇ ОПТОЕЛЕКТРОННИХ ПРИЛАДІВ НА нітриду ГАЛІЮ, ІНДІЯ І АЛЮМІНІЮ
В работе рассмотрены свойства III-оксидов, типа (AB)2C3, где A и B – катионы (металлы III-группы), а C – анионы (кислород), как структурных элементов оптоэлектронных информационных энергетических систем. Более детально описан (AlGa)2O3: процесс замещения атомов катионов Ga в кристаллической решетке...
Saved in:
| Date: | 2021 |
|---|---|
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Vinnytsia National Technical University
2021
|
| Online Access: | https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/181 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Optoelectronic Information-Power Technologies |
Institution
Optoelectronic Information-Power Technologies| Summary: | В работе рассмотрены свойства III-оксидов, типа (AB)2C3, где A и B – катионы (металлы III-группы), а C – анионы (кислород), как структурных элементов оптоэлектронных информационных энергетических систем. Более детально описан (AlGa)2O3: процесс замещения атомов катионов Ga в кристаллической решетке оксида Ga2O3 атомами катионов Al и управление свойствами. Подобный оксид получается путем магнетронного напыления металлов Al и Ga на кремниевую пластину и дальнейшим окислением полученной пленки AlGa электролитическим методом. При концентрации Ga=93%, а Al=7% удается достичь идеального согласования с GaN по параметрам решетки b, c. Также исследовались оксиды галлия, индия и алюминия, образованные окислением моноатомных слоёв арсенида галлия, фосфида индия и арсенида галлия-алюминия, выявлено наличие многоатомных образований – кластеров галлия, галлия-алюминия, индия или галлия-индия-алюминия. Установлена зависимость количества кластеров от степени легирования твердых растворов примесью селена. |
|---|