УПРАВЛІННЯ ВЛАСТИВОСТЯМИ СКЛАДНИХ III-оксидного нанокристалічних ЕЛЕМЕНТІВ У ТЕХНОЛОГІЇ ОПТОЕЛЕКТРОННИХ ПРИЛАДІВ НА нітриду ГАЛІЮ, ІНДІЯ І АЛЮМІНІЮ

УПРАВЛІННЯ ВЛАСТИВОСТЯМИ СКЛАДНИХ III-оксидного нанокристалічних ЕЛЕМЕНТІВ У ТЕХНОЛОГІЇ ОПТОЕЛЕКТРОННИХ ПРИЛАДІВ НА нітриду ГАЛІЮ, ІНДІЯ І АЛЮМІНІЮ

В работе рассмотрены свойства III-оксидов, типа (AB)2C3, где A и B – катионы (металлы III-группы), а C – анионы (кислород), как структурных элементов оптоэлектронных информационных энергетических систем. Более детально описан (AlGa)2O3: процесс замещения атомов катионов Ga в кристаллической решетке...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Date:2021
Main Authors: Осинский, В. И., Дяченко, О. Д., Деминський, П. В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Vinnytsia National Technical University 2021
Online Access:https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/181
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Optoelectronic Information-Power Technologies

Institution

Optoelectronic Information-Power Technologies
id oai:oeipt.vntu.edu.ua:article-181
record_format ojs
spelling oai:oeipt.vntu.edu.ua:article-1812015-11-05T13:34:10Z УПРАВЛЕНИЕ СВОЙСТВАМИ СЛОЖНЫХ III-ОКСИДНЫХ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ В ТЕХНОЛОГИИ ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ НА НИТРИДАХ ГАЛЛИЯ, ИНДИЯ И АЛЮМИНИЯ УПРАВЛІННЯ ВЛАСТИВОСТЯМИ СКЛАДНИХ III-оксидного нанокристалічних ЕЛЕМЕНТІВ У ТЕХНОЛОГІЇ ОПТОЕЛЕКТРОННИХ ПРИЛАДІВ НА нітриду ГАЛІЮ, ІНДІЯ І АЛЮМІНІЮ Осинский, В. И. Дяченко, О. Д. Деминський, П. В. В работе рассмотрены свойства III-оксидов, типа (AB)2C3, где A и B – катионы (металлы III-группы), а C – анионы (кислород), как структурных элементов оптоэлектронных информационных энергетических систем. Более детально описан (AlGa)2O3: процесс замещения атомов катионов Ga в кристаллической решетке оксида Ga2O3 атомами катионов Al и управление свойствами. Подобный оксид получается путем магнетронного напыления металлов Al и Ga на кремниевую пластину и дальнейшим окислением полученной пленки AlGa электролитическим методом. При концентрации Ga=93%, а Al=7% удается достичь идеального согласования с GaN по параметрам решетки b, c. Также исследовались оксиды галлия, индия и алюминия, образованные окислением моноатомных слоёв арсенида галлия, фосфида индия и арсенида галлия-алюминия, выявлено наличие многоатомных образований – кластеров галлия, галлия-алюминия, индия или галлия-индия-алюминия. Установлена зависимость количества кластеров от степени легирования твердых растворов примесью селена. У роботі розглянуті властивості III - оксидів , типу ( AB ) 2C3 , де A і B - катіони (метали III - групи) , а C - аніони (кисень ) , як структурних елементів оптоелектронних інформаційних енергетичних систем . Більш детально описаний ( AlGa ) 2O3 : процес заміщення атомів катіонів Ga в кристалічній решітці оксиду Ga2O3 атомами катіонів Al і керування властивостями. Подібний оксид виходить шляхом магнетронного напилення металів Al і Ga на кремнієву пластину і подальшим окисленням отриманої плівки AlGa електролітичним методом . При концентрації Ga = 93 % , а Al = 7% вдається досягти ідеального узгодження з GaN за параметрами решітки b , c . Також досліджувалися оксиди галію , індію та алюмінію , утворені окисленням моноатомного шарів арсеніду галію , фосфіду індію та арсеніду галію - алюмінію , виявлено наявність багатоатомних утворень - кластерів галію , галію - алюмінію , індію або галію - індію - алюмінію. Встановлено залежність кількості кластерів від ступеня легування твердих розчинів домішкою селену. Vinnytsia National Technical University 2021-01-13 Article Article application/pdf https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/181 Optoelectronic Information-Power Technologies; Vol. 20 No. 2 (2010); 122-130 Оптико-електроннi iнформацiйно-енергетичнi технологiї; Том 20 № 2 (2010); 122-130 Оптико-електроннi iнформацiйно-енергетичнi технологiї; Том 20 № 2 (2010); 122-130 2311-2662 1681-7893 ru https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/181/181 Авторське право (c) 2015 Оптико-електроннi iнформацiйно-енергетичнi технологiї
institution Optoelectronic Information-Power Technologies
baseUrl_str
datestamp_date 2015-11-05T13:34:10Z
collection OJS
language Russian
format Article
author Осинский, В. И.
Дяченко, О. Д.
Деминський, П. В.
spellingShingle Осинский, В. И.
Дяченко, О. Д.
Деминський, П. В.
УПРАВЛІННЯ ВЛАСТИВОСТЯМИ СКЛАДНИХ III-оксидного нанокристалічних ЕЛЕМЕНТІВ У ТЕХНОЛОГІЇ ОПТОЕЛЕКТРОННИХ ПРИЛАДІВ НА нітриду ГАЛІЮ, ІНДІЯ І АЛЮМІНІЮ
author_facet Осинский, В. И.
Дяченко, О. Д.
Деминський, П. В.
author_sort Осинский, В. И.
title УПРАВЛІННЯ ВЛАСТИВОСТЯМИ СКЛАДНИХ III-оксидного нанокристалічних ЕЛЕМЕНТІВ У ТЕХНОЛОГІЇ ОПТОЕЛЕКТРОННИХ ПРИЛАДІВ НА нітриду ГАЛІЮ, ІНДІЯ І АЛЮМІНІЮ
title_short УПРАВЛІННЯ ВЛАСТИВОСТЯМИ СКЛАДНИХ III-оксидного нанокристалічних ЕЛЕМЕНТІВ У ТЕХНОЛОГІЇ ОПТОЕЛЕКТРОННИХ ПРИЛАДІВ НА нітриду ГАЛІЮ, ІНДІЯ І АЛЮМІНІЮ
title_full УПРАВЛІННЯ ВЛАСТИВОСТЯМИ СКЛАДНИХ III-оксидного нанокристалічних ЕЛЕМЕНТІВ У ТЕХНОЛОГІЇ ОПТОЕЛЕКТРОННИХ ПРИЛАДІВ НА нітриду ГАЛІЮ, ІНДІЯ І АЛЮМІНІЮ
title_fullStr УПРАВЛІННЯ ВЛАСТИВОСТЯМИ СКЛАДНИХ III-оксидного нанокристалічних ЕЛЕМЕНТІВ У ТЕХНОЛОГІЇ ОПТОЕЛЕКТРОННИХ ПРИЛАДІВ НА нітриду ГАЛІЮ, ІНДІЯ І АЛЮМІНІЮ
title_full_unstemmed УПРАВЛІННЯ ВЛАСТИВОСТЯМИ СКЛАДНИХ III-оксидного нанокристалічних ЕЛЕМЕНТІВ У ТЕХНОЛОГІЇ ОПТОЕЛЕКТРОННИХ ПРИЛАДІВ НА нітриду ГАЛІЮ, ІНДІЯ І АЛЮМІНІЮ
title_sort управління властивостями складних iii-оксидного нанокристалічних елементів у технології оптоелектронних приладів на нітриду галію, індія і алюмінію
title_alt УПРАВЛЕНИЕ СВОЙСТВАМИ СЛОЖНЫХ III-ОКСИДНЫХ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ В ТЕХНОЛОГИИ ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ НА НИТРИДАХ ГАЛЛИЯ, ИНДИЯ И АЛЮМИНИЯ
description В работе рассмотрены свойства III-оксидов, типа (AB)2C3, где A и B – катионы (металлы III-группы), а C – анионы (кислород), как структурных элементов оптоэлектронных информационных энергетических систем. Более детально описан (AlGa)2O3: процесс замещения атомов катионов Ga в кристаллической решетке оксида Ga2O3 атомами катионов Al и управление свойствами. Подобный оксид получается путем магнетронного напыления металлов Al и Ga на кремниевую пластину и дальнейшим окислением полученной пленки AlGa электролитическим методом. При концентрации Ga=93%, а Al=7% удается достичь идеального согласования с GaN по параметрам решетки b, c. Также исследовались оксиды галлия, индия и алюминия, образованные окислением моноатомных слоёв арсенида галлия, фосфида индия и арсенида галлия-алюминия, выявлено наличие многоатомных образований – кластеров галлия, галлия-алюминия, индия или галлия-индия-алюминия. Установлена зависимость количества кластеров от степени легирования твердых растворов примесью селена.
publisher Vinnytsia National Technical University
publishDate 2021
url https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/181
work_keys_str_mv AT osinskijvi upravleniesvojstvamisložnyhiiioksidnyhnanokristalličeskihélementovvtehnologiioptoélektronnyhpriborovnanitridahgalliâindiâialûminiâ
AT dâčenkood upravleniesvojstvamisložnyhiiioksidnyhnanokristalličeskihélementovvtehnologiioptoélektronnyhpriborovnanitridahgalliâindiâialûminiâ
AT deminsʹkijpv upravleniesvojstvamisložnyhiiioksidnyhnanokristalličeskihélementovvtehnologiioptoélektronnyhpriborovnanitridahgalliâindiâialûminiâ
AT osinskijvi upravlínnâvlastivostâmiskladnihiiioksidnogonanokristalíčnihelementívutehnologííoptoelektronnihpriladívnanítridugalíûíndíâíalûmíníû
AT dâčenkood upravlínnâvlastivostâmiskladnihiiioksidnogonanokristalíčnihelementívutehnologííoptoelektronnihpriladívnanítridugalíûíndíâíalûmíníû
AT deminsʹkijpv upravlínnâvlastivostâmiskladnihiiioksidnogonanokristalíčnihelementívutehnologííoptoelektronnihpriladívnanítridugalíûíndíâíalûmíníû
first_indexed 2025-09-24T17:28:44Z
last_indexed 2025-09-24T17:28:44Z
_version_ 1850410203847065600

Similar Items