УПРАВЛІННЯ ВЛАСТИВОСТЯМИ СКЛАДНИХ III-оксидного нанокристалічних ЕЛЕМЕНТІВ У ТЕХНОЛОГІЇ ОПТОЕЛЕКТРОННИХ ПРИЛАДІВ НА нітриду ГАЛІЮ, ІНДІЯ І АЛЮМІНІЮ
В работе рассмотрены свойства III-оксидов, типа (AB)2C3, где A и B – катионы (металлы III-группы), а C – анионы (кислород), как структурных элементов оптоэлектронных информационных энергетических систем. Более детально описан (AlGa)2O3: процесс замещения атомов катионов Ga в кристаллической решетке...
Збережено в:
| Дата: | 2021 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Vinnytsia National Technical University
2021
|
| Онлайн доступ: | https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/181 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Optoelectronic Information-Power Technologies |
Репозитарії
Optoelectronic Information-Power Technologies| id |
oai:oeipt.vntu.edu.ua:article-181 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
oai:oeipt.vntu.edu.ua:article-1812015-11-05T13:34:10Z УПРАВЛЕНИЕ СВОЙСТВАМИ СЛОЖНЫХ III-ОКСИДНЫХ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ В ТЕХНОЛОГИИ ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ НА НИТРИДАХ ГАЛЛИЯ, ИНДИЯ И АЛЮМИНИЯ УПРАВЛІННЯ ВЛАСТИВОСТЯМИ СКЛАДНИХ III-оксидного нанокристалічних ЕЛЕМЕНТІВ У ТЕХНОЛОГІЇ ОПТОЕЛЕКТРОННИХ ПРИЛАДІВ НА нітриду ГАЛІЮ, ІНДІЯ І АЛЮМІНІЮ Осинский, В. И. Дяченко, О. Д. Деминський, П. В. В работе рассмотрены свойства III-оксидов, типа (AB)2C3, где A и B – катионы (металлы III-группы), а C – анионы (кислород), как структурных элементов оптоэлектронных информационных энергетических систем. Более детально описан (AlGa)2O3: процесс замещения атомов катионов Ga в кристаллической решетке оксида Ga2O3 атомами катионов Al и управление свойствами. Подобный оксид получается путем магнетронного напыления металлов Al и Ga на кремниевую пластину и дальнейшим окислением полученной пленки AlGa электролитическим методом. При концентрации Ga=93%, а Al=7% удается достичь идеального согласования с GaN по параметрам решетки b, c. Также исследовались оксиды галлия, индия и алюминия, образованные окислением моноатомных слоёв арсенида галлия, фосфида индия и арсенида галлия-алюминия, выявлено наличие многоатомных образований – кластеров галлия, галлия-алюминия, индия или галлия-индия-алюминия. Установлена зависимость количества кластеров от степени легирования твердых растворов примесью селена. У роботі розглянуті властивості III - оксидів , типу ( AB ) 2C3 , де A і B - катіони (метали III - групи) , а C - аніони (кисень ) , як структурних елементів оптоелектронних інформаційних енергетичних систем . Більш детально описаний ( AlGa ) 2O3 : процес заміщення атомів катіонів Ga в кристалічній решітці оксиду Ga2O3 атомами катіонів Al і керування властивостями. Подібний оксид виходить шляхом магнетронного напилення металів Al і Ga на кремнієву пластину і подальшим окисленням отриманої плівки AlGa електролітичним методом . При концентрації Ga = 93 % , а Al = 7% вдається досягти ідеального узгодження з GaN за параметрами решітки b , c . Також досліджувалися оксиди галію , індію та алюмінію , утворені окисленням моноатомного шарів арсеніду галію , фосфіду індію та арсеніду галію - алюмінію , виявлено наявність багатоатомних утворень - кластерів галію , галію - алюмінію , індію або галію - індію - алюмінію. Встановлено залежність кількості кластерів від ступеня легування твердих розчинів домішкою селену. Vinnytsia National Technical University 2021-01-13 Article Article application/pdf https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/181 Optoelectronic Information-Power Technologies; Vol. 20 No. 2 (2010); 122-130 Оптико-електроннi iнформацiйно-енергетичнi технологiї; Том 20 № 2 (2010); 122-130 Оптико-електроннi iнформацiйно-енергетичнi технологiї; Том 20 № 2 (2010); 122-130 2311-2662 1681-7893 ru https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/181/181 Авторське право (c) 2015 Оптико-електроннi iнформацiйно-енергетичнi технологiї |
| institution |
Optoelectronic Information-Power Technologies |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2015-11-05T13:34:10Z |
| collection |
OJS |
| language |
Russian |
| format |
Article |
| author |
Осинский, В. И. Дяченко, О. Д. Деминський, П. В. |
| spellingShingle |
Осинский, В. И. Дяченко, О. Д. Деминський, П. В. УПРАВЛІННЯ ВЛАСТИВОСТЯМИ СКЛАДНИХ III-оксидного нанокристалічних ЕЛЕМЕНТІВ У ТЕХНОЛОГІЇ ОПТОЕЛЕКТРОННИХ ПРИЛАДІВ НА нітриду ГАЛІЮ, ІНДІЯ І АЛЮМІНІЮ |
| author_facet |
Осинский, В. И. Дяченко, О. Д. Деминський, П. В. |
| author_sort |
Осинский, В. И. |
| title |
УПРАВЛІННЯ ВЛАСТИВОСТЯМИ СКЛАДНИХ III-оксидного нанокристалічних ЕЛЕМЕНТІВ У ТЕХНОЛОГІЇ ОПТОЕЛЕКТРОННИХ ПРИЛАДІВ НА нітриду ГАЛІЮ, ІНДІЯ І АЛЮМІНІЮ |
| title_short |
УПРАВЛІННЯ ВЛАСТИВОСТЯМИ СКЛАДНИХ III-оксидного нанокристалічних ЕЛЕМЕНТІВ У ТЕХНОЛОГІЇ ОПТОЕЛЕКТРОННИХ ПРИЛАДІВ НА нітриду ГАЛІЮ, ІНДІЯ І АЛЮМІНІЮ |
| title_full |
УПРАВЛІННЯ ВЛАСТИВОСТЯМИ СКЛАДНИХ III-оксидного нанокристалічних ЕЛЕМЕНТІВ У ТЕХНОЛОГІЇ ОПТОЕЛЕКТРОННИХ ПРИЛАДІВ НА нітриду ГАЛІЮ, ІНДІЯ І АЛЮМІНІЮ |
| title_fullStr |
УПРАВЛІННЯ ВЛАСТИВОСТЯМИ СКЛАДНИХ III-оксидного нанокристалічних ЕЛЕМЕНТІВ У ТЕХНОЛОГІЇ ОПТОЕЛЕКТРОННИХ ПРИЛАДІВ НА нітриду ГАЛІЮ, ІНДІЯ І АЛЮМІНІЮ |
| title_full_unstemmed |
УПРАВЛІННЯ ВЛАСТИВОСТЯМИ СКЛАДНИХ III-оксидного нанокристалічних ЕЛЕМЕНТІВ У ТЕХНОЛОГІЇ ОПТОЕЛЕКТРОННИХ ПРИЛАДІВ НА нітриду ГАЛІЮ, ІНДІЯ І АЛЮМІНІЮ |
| title_sort |
управління властивостями складних iii-оксидного нанокристалічних елементів у технології оптоелектронних приладів на нітриду галію, індія і алюмінію |
| title_alt |
УПРАВЛЕНИЕ СВОЙСТВАМИ СЛОЖНЫХ III-ОКСИДНЫХ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ В ТЕХНОЛОГИИ ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ НА НИТРИДАХ ГАЛЛИЯ, ИНДИЯ И АЛЮМИНИЯ |
| description |
В работе рассмотрены свойства III-оксидов, типа (AB)2C3, где A и B – катионы (металлы III-группы), а C – анионы (кислород), как структурных элементов оптоэлектронных информационных энергетических систем. Более детально описан (AlGa)2O3: процесс замещения атомов катионов Ga в кристаллической решетке оксида Ga2O3 атомами катионов Al и управление свойствами. Подобный оксид получается путем магнетронного напыления металлов Al и Ga на кремниевую пластину и дальнейшим окислением полученной пленки AlGa электролитическим методом. При концентрации Ga=93%, а Al=7% удается достичь идеального согласования с GaN по параметрам решетки b, c. Также исследовались оксиды галлия, индия и алюминия, образованные окислением моноатомных слоёв арсенида галлия, фосфида индия и арсенида галлия-алюминия, выявлено наличие многоатомных образований – кластеров галлия, галлия-алюминия, индия или галлия-индия-алюминия. Установлена зависимость количества кластеров от степени легирования твердых растворов примесью селена. |
| publisher |
Vinnytsia National Technical University |
| publishDate |
2021 |
| url |
https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/181 |
| work_keys_str_mv |
AT osinskijvi upravleniesvojstvamisložnyhiiioksidnyhnanokristalličeskihélementovvtehnologiioptoélektronnyhpriborovnanitridahgalliâindiâialûminiâ AT dâčenkood upravleniesvojstvamisložnyhiiioksidnyhnanokristalličeskihélementovvtehnologiioptoélektronnyhpriborovnanitridahgalliâindiâialûminiâ AT deminsʹkijpv upravleniesvojstvamisložnyhiiioksidnyhnanokristalličeskihélementovvtehnologiioptoélektronnyhpriborovnanitridahgalliâindiâialûminiâ AT osinskijvi upravlínnâvlastivostâmiskladnihiiioksidnogonanokristalíčnihelementívutehnologííoptoelektronnihpriladívnanítridugalíûíndíâíalûmíníû AT dâčenkood upravlínnâvlastivostâmiskladnihiiioksidnogonanokristalíčnihelementívutehnologííoptoelektronnihpriladívnanítridugalíûíndíâíalûmíníû AT deminsʹkijpv upravlínnâvlastivostâmiskladnihiiioksidnogonanokristalíčnihelementívutehnologííoptoelektronnihpriladívnanítridugalíûíndíâíalûmíníû |
| first_indexed |
2025-09-24T17:28:44Z |
| last_indexed |
2025-09-24T17:28:44Z |
| _version_ |
1850410203847065600 |