НАНОКАРБІДНІ ПРОЦЕСИ ПРИ МОС-ЕПІТАКСІЇ ІІІ-НІТРИДНИХ СТРУКТУР

НАНОКАРБІДНІ ПРОЦЕСИ ПРИ МОС-ЕПІТАКСІЇ ІІІ-НІТРИДНИХ СТРУКТУР

Обсуждается возможность целенаправленного формирования оптоэлектронных приборов с использованием многообразия углеродных наноструктур. Впервые получена аномальная анизотропная электропроводность с полупроводниковым характером температурной зависимости поверхности накарбидизированного с-сапфира. Уста...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2021
Автори: Осинський, В. І., Ляхова, Н. М., Масол, І. В., Грунянская, В. П., Деминский, П. В., Суховий, Н. О., Стоніс, В. В., Глотов, В. І.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Vinnytsia National Technical University 2021
Теми:
нанокарбіди
епітаксії
III-нітриди
фулерени
графени
вуглецеві нанотрубки
Онлайн доступ:https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/251
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Optoelectronic Information-Power Technologies

Репозитарії

Optoelectronic Information-Power Technologies
Опис
Резюме:Обсуждается возможность целенаправленного формирования оптоэлектронных приборов с использованием многообразия углеродных наноструктур. Впервые получена аномальная анизотропная электропроводность с полупроводниковым характером температурной зависимости поверхности накарбидизированного с-сапфира. Установлено активирующее влияние температурной обработки поверхности с-сапфира в потоке аммиака (Т=1050оС, t = 20 мин при давлении в реакторе порядка 20 – 50 мбар) для последующего образования в нанотекстурированном сапфире нанокарбидных структур в потоке триметил алюминия (Т = 1000оС, газ-носитель азот, t = 1 мин).

Схожі ресурси