НАНОКАРБІДНІ ПРОЦЕСИ ПРИ МОС-ЕПІТАКСІЇ ІІІ-НІТРИДНИХ СТРУКТУР

Обсуждается возможность целенаправленного формирования оптоэлектронных приборов с использованием многообразия углеродных наноструктур. Впервые получена аномальная анизотропная электропроводность с полупроводниковым характером температурной зависимости поверхности накарбидизированного с-сапфира. Уста...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2021
Автори: Осинський, В. І., Ляхова, Н. М., Масол, І. В., Грунянская, В. П., Деминский, П. В., Суховий, Н. О., Стоніс, В. В., Глотов, В. І.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Vinnytsia National Technical University 2021
Теми:
Онлайн доступ:https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/251
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Optoelectronic Information-Power Technologies

Репозитарії

Optoelectronic Information-Power Technologies