ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА

• Datum: 2013
• Hauptverfasser: Осинський, В. І., Демінський, П. В., Ляхова, Н. М., Моторний, А. П., Масол, І. В., Суховий, Н. О.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Vinnytsia National Technical University 2013
• Schlagworte: RGB; джерело білого світла; InxGa1-xN; індекс передачі кольору; Si; AIIIBV
• Online Zugang: https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/271
• Назва журналу: Optoelectronic Information-Power Technologies

На основании исследований среднеквадратических динамических смещений атомов кристаллической решетки твердых растворов InxGa1-xN, обоснована необходимость использования последних для реализации монолитных Si/AIIIBV RGB источников света в одном технологическом процессе. На базе разработанных гибридно-интегральных RGB, RGBW, RGBO источников света, экспериментально подтверждена целесообразность использования каналов излучения в диапазонах 450-455, 525-535, 600-615 нм для повышения индекса цветопередачи. Предложена методика и разработано программное обеспечение, позволяющее задавать процентное соотношение распределения активных слоев для R, G, B-каналов излучения по поверхности чипа.