ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА
На основании исследований среднеквадратических динамических смещений атомов кристаллической решетки твердых растворов InxGa1-xN, обоснована необходимость использования последних для реализации монолитных Si/AIIIBV RGB источников света в одном технологическом процессе. На базе разработанных гибридно-...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Vinnytsia National Technical University
2013
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/271 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Optoelectronic Information-Power Technologies |
Репозитарії
Optoelectronic Information-Power Technologies| _version_ | 1856543763886768128 |
|---|---|
| author | Осинський, В. І. Демінський, П. В. Ляхова, Н. М. Моторний, А. П. Масол, І. В. Суховий, Н. О. |
| author_facet | Осинський, В. І. Демінський, П. В. Ляхова, Н. М. Моторний, А. П. Масол, І. В. Суховий, Н. О. |
| author_sort | Осинський, В. І. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2016-07-07T12:05:10Z |
| description | На основании исследований среднеквадратических динамических смещений атомов кристаллической решетки твердых растворов InxGa1-xN, обоснована необходимость использования последних для реализации монолитных Si/AIIIBV RGB источников света в одном технологическом процессе. На базе разработанных гибридно-интегральных RGB, RGBW, RGBO источников света, экспериментально подтверждена целесообразность использования каналов излучения в диапазонах 450-455, 525-535, 600-615 нм для повышения индекса цветопередачи. Предложена методика и разработано программное обеспечение, позволяющее задавать процентное соотношение распределения активных слоев для R, G, B-каналов излучения по поверхности чипа. |
| first_indexed | 2025-09-24T17:28:55Z |
| format | Article |
| id | oai:oeipt.vntu.edu.ua:article-271 |
| institution | Optoelectronic Information-Power Technologies |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-09-24T17:28:55Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | Vinnytsia National Technical University |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:oeipt.vntu.edu.ua:article-2712016-07-07T12:05:10Z ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА Осинський, В. І. Демінський, П. В. Ляхова, Н. М. Моторний, А. П. Масол, І. В. Суховий, Н. О. RGB джерело білого світла InxGa1-xN індекс передачі кольору Si AIIIBV На основании исследований среднеквадратических динамических смещений атомов кристаллической решетки твердых растворов InxGa1-xN, обоснована необходимость использования последних для реализации монолитных Si/AIIIBV RGB источников света в одном технологическом процессе. На базе разработанных гибридно-интегральных RGB, RGBW, RGBO источников света, экспериментально подтверждена целесообразность использования каналов излучения в диапазонах 450-455, 525-535, 600-615 нм для повышения индекса цветопередачи. Предложена методика и разработано программное обеспечение, позволяющее задавать процентное соотношение распределения активных слоев для R, G, B-каналов излучения по поверхности чипа. На основании исследований среднеквадратических динамических смещений атомов кристаллической решетки твердых растворов InxGa1-xN, обоснована необходимость использования последних для реализации монолитных Si/AIIIBV RGB источников света в одном технологическом процессе. На базе разработанных гибридно-интегральных RGB, RGBW, RGBO источников света, экспериментально подтверждена целесообразность использования каналов излучения в диапазонах 450-455, 525-535, 600-615 нм для повышения индекса цветопередачи. Предложена методика и разработано программное обеспечение, позволяющее задавать процентное соотношение распределения активных слоев для R, G, B-каналов излучения по поверхности чипа. Vinnytsia National Technical University 2013-10-11 Article Article application/pdf https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/271 Optoelectronic Information-Power Technologies; Vol. 24 No. 2 (2012); 50-57 Оптико-електроннi iнформацiйно-енергетичнi технологiї; Том 24 № 2 (2012); 50-57 Оптико-електроннi iнформацiйно-енергетичнi технологiї; Том 24 № 2 (2012); 50-57 2311-2662 1681-7893 ru https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/271/270 Авторське право (c) 2015 Оптико-електроннi iнформацiйно-енергетичнi технологiї |
| spellingShingle | RGB джерело білого світла InxGa1-xN індекс передачі кольору Si AIIIBV Осинський, В. І. Демінський, П. В. Ляхова, Н. М. Моторний, А. П. Масол, І. В. Суховий, Н. О. ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА |
| title | ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА |
| title_alt | ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА |
| title_full | ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА |
| title_fullStr | ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА |
| title_full_unstemmed | ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА |
| title_short | ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА |
| title_sort | температурные и концентрационные свойства |
| topic | RGB джерело білого світла InxGa1-xN індекс передачі кольору Si AIIIBV |
| topic_facet | RGB джерело білого світла InxGa1-xN індекс передачі кольору Si AIIIBV |
| url | https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/271 |
| work_keys_str_mv | AT osinsʹkijví temperaturnyeikoncentracionnyesvojstva AT demínsʹkijpv temperaturnyeikoncentracionnyesvojstva AT lâhovanm temperaturnyeikoncentracionnyesvojstva AT motornijap temperaturnyeikoncentracionnyesvojstva AT masolív temperaturnyeikoncentracionnyesvojstva AT suhovijno temperaturnyeikoncentracionnyesvojstva |