ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА

ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА

На основании исследований среднеквадратических динамических смещений атомов кристаллической решетки твердых растворов InxGa1-xN, обоснована необходимость использования последних для реализации монолитных Si/AIIIBV RGB источников света в одном технологическом процессе. На базе разработанных гибридно-...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2013
Hauptverfasser: Осинський, В. І., Демінський, П. В., Ляхова, Н. М., Моторний, А. П., Масол, І. В., Суховий, Н. О.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Vinnytsia National Technical University 2013
Schlagworte:
RGB
джерело білого світла
InxGa1-xN
індекс передачі кольору
Si
AIIIBV
Online Zugang:https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/271
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Optoelectronic Information-Power Technologies

Institution

Optoelectronic Information-Power Technologies
id oai:oeipt.vntu.edu.ua:article-271
record_format ojs
spelling oai:oeipt.vntu.edu.ua:article-2712016-07-07T12:05:10Z ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА Осинський, В. І. Демінський, П. В. Ляхова, Н. М. Моторний, А. П. Масол, І. В. Суховий, Н. О. RGB джерело білого світла InxGa1-xN індекс передачі кольору Si AIIIBV На основании исследований среднеквадратических динамических смещений атомов кристаллической решетки твердых растворов InxGa1-xN, обоснована необходимость использования последних для реализации монолитных Si/AIIIBV RGB источников света в одном технологическом процессе. На базе разработанных гибридно-интегральных RGB, RGBW, RGBO источников света, экспериментально подтверждена целесообразность использования каналов излучения в диапазонах 450-455, 525-535, 600-615 нм для повышения индекса цветопередачи. Предложена методика и разработано программное обеспечение, позволяющее задавать процентное соотношение распределения активных слоев для R, G, B-каналов излучения по поверхности чипа. На основании исследований среднеквадратических динамических смещений атомов кристаллической решетки твердых растворов InxGa1-xN, обоснована необходимость использования последних для реализации монолитных Si/AIIIBV RGB источников света в одном технологическом процессе. На базе разработанных гибридно-интегральных RGB, RGBW, RGBO источников света, экспериментально подтверждена целесообразность использования каналов излучения в диапазонах 450-455, 525-535, 600-615 нм для повышения индекса цветопередачи. Предложена методика и разработано программное обеспечение, позволяющее задавать процентное соотношение распределения активных слоев для R, G, B-каналов излучения по поверхности чипа. Vinnytsia National Technical University 2013-10-11 Article Article application/pdf https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/271 Optoelectronic Information-Power Technologies; Vol. 24 No. 2 (2012); 50-57 Оптико-електроннi iнформацiйно-енергетичнi технологiї; Том 24 № 2 (2012); 50-57 Оптико-електроннi iнформацiйно-енергетичнi технологiї; Том 24 № 2 (2012); 50-57 2311-2662 1681-7893 ru https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/271/270 Авторське право (c) 2015 Оптико-електроннi iнформацiйно-енергетичнi технологiї
institution Optoelectronic Information-Power Technologies
baseUrl_str
datestamp_date 2016-07-07T12:05:10Z
collection OJS
language Russian
topic RGB
джерело білого світла
InxGa1-xN
індекс передачі кольору
Si
AIIIBV
spellingShingle RGB
джерело білого світла
InxGa1-xN
індекс передачі кольору
Si
AIIIBV
Осинський, В. І.
Демінський, П. В.
Ляхова, Н. М.
Моторний, А. П.
Масол, І. В.
Суховий, Н. О.
ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА
topic_facet RGB
джерело білого світла
InxGa1-xN
індекс передачі кольору
Si
AIIIBV
format Article
author Осинський, В. І.
Демінський, П. В.
Ляхова, Н. М.
Моторний, А. П.
Масол, І. В.
Суховий, Н. О.
author_facet Осинський, В. І.
Демінський, П. В.
Ляхова, Н. М.
Моторний, А. П.
Масол, І. В.
Суховий, Н. О.
author_sort Осинський, В. І.
title ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА
title_short ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА
title_full ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА
title_fullStr ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА
title_full_unstemmed ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА
title_sort температурные и концентрационные свойства
title_alt ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА
description На основании исследований среднеквадратических динамических смещений атомов кристаллической решетки твердых растворов InxGa1-xN, обоснована необходимость использования последних для реализации монолитных Si/AIIIBV RGB источников света в одном технологическом процессе. На базе разработанных гибридно-интегральных RGB, RGBW, RGBO источников света, экспериментально подтверждена целесообразность использования каналов излучения в диапазонах 450-455, 525-535, 600-615 нм для повышения индекса цветопередачи. Предложена методика и разработано программное обеспечение, позволяющее задавать процентное соотношение распределения активных слоев для R, G, B-каналов излучения по поверхности чипа.
publisher Vinnytsia National Technical University
publishDate 2013
url https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/271
work_keys_str_mv AT osinsʹkijví temperaturnyeikoncentracionnyesvojstva
AT demínsʹkijpv temperaturnyeikoncentracionnyesvojstva
AT lâhovanm temperaturnyeikoncentracionnyesvojstva
AT motornijap temperaturnyeikoncentracionnyesvojstva
AT masolív temperaturnyeikoncentracionnyesvojstva
AT suhovijno temperaturnyeikoncentracionnyesvojstva
first_indexed 2025-09-24T17:28:55Z
last_indexed 2025-09-24T17:28:55Z
_version_ 1850410218575364096

Ähnliche Einträge