Моделювання глибини розплавленого шару на поверхні напівпровідника за допомогою крос-платформного додатку JAVA
The paper describes a method for obtaining p-n transitions due to the laser recrystallization of the surface of CdTe semiconductor samples, as well as a software application developed in Java that allows the simulation of thermal processes at the boundary of the epitaxial layer-substrate with laser...
Gespeichert in:
| Datum: | 2022 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Vinnytsia National Technical University
2022
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/616 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Optoelectronic Information-Power Technologies |
Institution
Optoelectronic Information-Power Technologies| id |
oai:oeipt.vntu.edu.ua:article-616 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
oai:oeipt.vntu.edu.ua:article-6162022-12-27T22:03:16Z Simulation of the depth of the melted layer on the surface of a semiconductor using JAVA cross-platform application Моделювання глибини розплавленого шару на поверхні напівпровідника за допомогою крос-платформного додатку JAVA Галочкін, О.В. Угрин, Д.І. Ватаманіца, Е.В. Солтис, І.В. p-n junction laser beam the thickness of a melted layer Java application laser radiation p-n-перехід лазерний промінь товщина розплавленого шару програма Java лазерне випромінювання The paper describes a method for obtaining p-n transitions due to the laser recrystallization of the surface of CdTe semiconductor samples, as well as a software application developed in Java that allows the simulation of thermal processes at the boundary of the epitaxial layer-substrate with laser irradiation of the semiconductor surface. It allows to make predictions regarding the thickness of the melted layer, which will affect the parameters of the devices made on the basis of the obtained barrier layers. The theoretical modeling of the processes taking place at absorption of laser radiation by the surface layer of a semiconductor is carried out. В роботі описано метод одержання p-n переходів за рахунок лазерної перекристалізації поверхні напівпровідникових зразків CdTe, а також розроблений на мові Java програмний додаток, який дозволяє моделювати теплові процеси на межі розділу епітаксийний шарпідкладка при лазерному опроміненні поверхні напівпровідника. Він дозволяє робити прогнози стосовно товщини проплавленого шару, що буде впливати на параметри приладів, виготовлених на базі одержаних бар’єрних шарів. Проведено теоретичне моделювання процесів, які відбуваються при поглинанні лазерного випромінювання приповерхневим шаром напівпровідника Vinnytsia National Technical University 2022-12-28 Article Article application/pdf https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/616 10.31649/1681-7893-2022-43-1-76-81 Optoelectronic Information-Power Technologies; Vol. 43 No. 1 (2022); 76-81 Оптико-електроннi iнформацiйно-енергетичнi технологiї; Том 43 № 1 (2022); 76-81 Оптико-електроннi iнформацiйно-енергетичнi технологiї; Том 43 № 1 (2022); 76-81 2311-2662 1681-7893 10.31649/1681-7893-2022-43-1 en https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/616/584 |
| institution |
Optoelectronic Information-Power Technologies |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2022-12-27T22:03:16Z |
| collection |
OJS |
| language |
English |
| topic |
p-n-перехід лазерний промінь товщина розплавленого шару програма Java лазерне випромінювання |
| spellingShingle |
p-n-перехід лазерний промінь товщина розплавленого шару програма Java лазерне випромінювання Галочкін, О.В. Угрин, Д.І. Ватаманіца, Е.В. Солтис, І.В. Моделювання глибини розплавленого шару на поверхні напівпровідника за допомогою крос-платформного додатку JAVA |
| topic_facet |
p-n junction laser beam the thickness of a melted layer Java application laser radiation p-n-перехід лазерний промінь товщина розплавленого шару програма Java лазерне випромінювання |
| format |
Article |
| author |
Галочкін, О.В. Угрин, Д.І. Ватаманіца, Е.В. Солтис, І.В. |
| author_facet |
Галочкін, О.В. Угрин, Д.І. Ватаманіца, Е.В. Солтис, І.В. |
| author_sort |
Галочкін, О.В. |
| title |
Моделювання глибини розплавленого шару на поверхні напівпровідника за допомогою крос-платформного додатку JAVA |
| title_short |
Моделювання глибини розплавленого шару на поверхні напівпровідника за допомогою крос-платформного додатку JAVA |
| title_full |
Моделювання глибини розплавленого шару на поверхні напівпровідника за допомогою крос-платформного додатку JAVA |
| title_fullStr |
Моделювання глибини розплавленого шару на поверхні напівпровідника за допомогою крос-платформного додатку JAVA |
| title_full_unstemmed |
Моделювання глибини розплавленого шару на поверхні напівпровідника за допомогою крос-платформного додатку JAVA |
| title_sort |
моделювання глибини розплавленого шару на поверхні напівпровідника за допомогою крос-платформного додатку java |
| title_alt |
Simulation of the depth of the melted layer on the surface of a semiconductor using JAVA cross-platform application |
| description |
The paper describes a method for obtaining p-n transitions due to the laser recrystallization of the surface of CdTe semiconductor samples, as well as a software application developed in Java that allows the simulation of thermal processes at the boundary of the epitaxial layer-substrate with laser irradiation of the semiconductor surface. It allows to make predictions regarding the thickness of the melted layer, which will affect the parameters of the devices made on the basis of the obtained barrier layers. The theoretical modeling of the processes taking place at absorption of laser radiation by the surface layer of a semiconductor is carried out. |
| publisher |
Vinnytsia National Technical University |
| publishDate |
2022 |
| url |
https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/616 |
| work_keys_str_mv |
AT galočkínov simulationofthedepthofthemeltedlayeronthesurfaceofasemiconductorusingjavacrossplatformapplication AT ugrindí simulationofthedepthofthemeltedlayeronthesurfaceofasemiconductorusingjavacrossplatformapplication AT vatamanícaev simulationofthedepthofthemeltedlayeronthesurfaceofasemiconductorusingjavacrossplatformapplication AT soltisív simulationofthedepthofthemeltedlayeronthesurfaceofasemiconductorusingjavacrossplatformapplication AT galočkínov modelûvannâglibinirozplavlenogošarunapoverhnínapívprovídnikazadopomogoûkrosplatformnogododatkujava AT ugrindí modelûvannâglibinirozplavlenogošarunapoverhnínapívprovídnikazadopomogoûkrosplatformnogododatkujava AT vatamanícaev modelûvannâglibinirozplavlenogošarunapoverhnínapívprovídnikazadopomogoûkrosplatformnogododatkujava AT soltisív modelûvannâglibinirozplavlenogošarunapoverhnínapívprovídnikazadopomogoûkrosplatformnogododatkujava |
| first_indexed |
2025-09-24T17:29:28Z |
| last_indexed |
2025-09-24T17:29:28Z |
| _version_ |
1850410262565224448 |