Моделювання глибини розплавленого шару на поверхні напівпровідника за допомогою крос-платформного додатку JAVA

The paper describes a method for obtaining p-n transitions due to the laser recrystallization of the surface of CdTe semiconductor samples, as well as a software application developed in Java that allows the simulation of thermal processes at the boundary of the epitaxial layer-substrate with laser...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2022
Hauptverfasser: Галочкін, О.В., Угрин, Д.І., Ватаманіца, Е.В., Солтис, І.В.
Format: Artikel
Sprache:English
Veröffentlicht: Vinnytsia National Technical University 2022
Schlagworte:
Online Zugang:https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/616
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Optoelectronic Information-Power Technologies

Institution

Optoelectronic Information-Power Technologies