ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ПРИЙМАЧІВ ВИПРОМІНЮВАННЯ, ВИГОТОВЛЕНИХ НА ІОННО ТРАВЛЕНИХ ПОВЕРХНЯХ КРЕМНІЮ
В роботі досліджується вплив іонного травлення поверхонь пластин кремнію на основні параметри фотодіодів, виготовлених на цих поверхнях.
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | Житарюк, В. Г., Годованюк, В. М., Докторович, І. В. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Vinnytsia National Technical University
2013
|
| Онлайн доступ: | https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/92 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Optoelectronic Information-Power Technologies |
Репозитарії
Optoelectronic Information-Power TechnologiesСхожі ресурси
-
Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію
за авторством: Житарюк, В.Г., та інші
Опубліковано: (2009) -
Фотоелектричні властивості плівок SiGe, покритих шарами аморфного та полікристалічного кремнію
за авторством: Shmid, V., та інші
Опубліковано: (2019) -
Електричні та фотоелектричні властивості гібридних структур на основі поруватого кремнію і оксиду цинку
за авторством: Оленич, І.Б.
Опубліковано: (2016) -
Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2013) -
Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe
за авторством: Цибрій, З.Ф.
Опубліковано: (2019)