ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ПРИЙМАЧІВ ВИПРОМІНЮВАННЯ, ВИГОТОВЛЕНИХ НА ІОННО ТРАВЛЕНИХ ПОВЕРХНЯХ КРЕМНІЮ
В роботі досліджується вплив іонного травлення поверхонь пластин кремнію на основні параметри фотодіодів, виготовлених на цих поверхнях.
Saved in:
| Date: | 2013 |
|---|---|
| Main Authors: | Житарюк, В. Г., Годованюк, В. М., Докторович, І. В. |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Vinnytsia National Technical University
2013
|
| Online Access: | https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/92 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Optoelectronic Information-Power Technologies |
Institution
Optoelectronic Information-Power TechnologiesSimilar Items
-
Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію
by: Житарюк, В.Г., et al.
Published: (2009) -
Фотоелектричні властивості плівок SiGe, покритих шарами аморфного та полікристалічного кремнію
by: Shmid, V., et al.
Published: (2019) -
Електричні та фотоелектричні властивості гібридних структур на основі поруватого кремнію і оксиду цинку
by: Оленич, І.Б.
Published: (2016) -
Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si
by: Сукач, А.В., et al.
Published: (2013) -
Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe
by: Цибрій, З.Ф.
Published: (2019)