ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ПРИЙМАЧІВ ВИПРОМІНЮВАННЯ, ВИГОТОВЛЕНИХ НА ІОННО ТРАВЛЕНИХ ПОВЕРХНЯХ КРЕМНІЮ
В роботі досліджується вплив іонного травлення поверхонь пластин кремнію на основні параметри фотодіодів, виготовлених на цих поверхнях.
Gespeichert in:
| Datum: | 2013 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Житарюк, В. Г., Годованюк, В. М., Докторович, І. В. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Vinnytsia National Technical University
2013
|
| Online Zugang: | https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/92 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Optoelectronic Information-Power Technologies |
Institution
Optoelectronic Information-Power TechnologiesÄhnliche Einträge
-
Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію
von: Житарюк, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Фотоелектричні властивості плівок SiGe, покритих шарами аморфного та полікристалічного кремнію
von: Shmid, V., et al.
Veröffentlicht: (2019) -
Електричні та фотоелектричні властивості гібридних структур на основі поруватого кремнію і оксиду цинку
von: Оленич, І.Б.
Veröffentlicht: (2016) -
Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si
von: Сукач, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe
von: Цибрій, З.Ф.
Veröffentlicht: (2019)