Особливості фотоефекту в структурах макропористого кремнію
The effects of increase in photoconductivity in the macroporous silicon structures have been examined as a function of the distance between cylinder macropores. The ratio of macroporous silicon photoconductivity to bulk silicon one has been found to achieve a maximum at the distance between macropor...
Gespeichert in:
| Datum: | 2010 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine
2010
|
| Online Zugang: | https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/10 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Chemistry, Physics and Technology of Surface |
Institution
Chemistry, Physics and Technology of Surface| _version_ | 1856543734269739008 |
|---|---|
| author | Karachevtseva, L. A. Onyshchenko, V. F. Sachenko, A. V. |
| author_facet | Karachevtseva, L. A. Onyshchenko, V. F. Sachenko, A. V. |
| author_sort | Karachevtseva, L. A. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2022-06-29T10:25:07Z |
| description | The effects of increase in photoconductivity in the macroporous silicon structures have been examined as a function of the distance between cylinder macropores. The ratio of macroporous silicon photoconductivity to bulk silicon one has been found to achieve a maximum at the distance between macropores equal to the double thickness of the Shottky layer what corresponds to the experimental results. The relaxation time of photoconductivity for macroporous silicon structures was found to be defined by the light modulation of the barrier on macropore surfaces whereas its relaxation to occur according to the logarithmic law. If T>180 K, the temperature dependence of the relaxation time of photoconductivity is defined by a thermo-emission mechanism of the current transport in the space charge region and below 100 K the relaxation time is controlled by the processes of tunnel current flow. |
| first_indexed | 2025-07-22T19:29:50Z |
| format | Article |
| id | oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-10 |
| institution | Chemistry, Physics and Technology of Surface |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-17T12:06:28Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-102022-06-29T10:25:07Z Photoeffect Peculiarities in Macroporous Silicon Structures Особенности фотоэффекта в структурах макропористого кремния Особливості фотоефекту в структурах макропористого кремнію Karachevtseva, L. A. Onyshchenko, V. F. Sachenko, A. V. The effects of increase in photoconductivity in the macroporous silicon structures have been examined as a function of the distance between cylinder macropores. The ratio of macroporous silicon photoconductivity to bulk silicon one has been found to achieve a maximum at the distance between macropores equal to the double thickness of the Shottky layer what corresponds to the experimental results. The relaxation time of photoconductivity for macroporous silicon structures was found to be defined by the light modulation of the barrier on macropore surfaces whereas its relaxation to occur according to the logarithmic law. If T>180 K, the temperature dependence of the relaxation time of photoconductivity is defined by a thermo-emission mechanism of the current transport in the space charge region and below 100 K the relaxation time is controlled by the processes of tunnel current flow. Исследованы эффекты повышения фотопроводимости в структурах макропористого кремния в зависимости от расстояния между цилиндрическими макропорами. Установлено, что отношение фотопроводимости макропористого кремния к фотопроводимости монокристаллического кремния достигает максимума при расстоянии между порами, равном двум толщинам слоя Шоттки в соответствии с результатами эксперимента. Время релаксации фотопроводимости структур макропористого кремния определяется модуляцией светом барьера на поверхности макропор, а ее релаксация происходит по логарифмическому закону. При Т>180 К температурная зависимость времени релаксации фотопроводимости определяется термоэмиссионным механизмом прохождения тока в области пространственного заряда, а при Т<100 К - туннельными процессами токопереноса. Досліджені ефекти підвищення фотопровідності в структурах макропористого кремнію в залежності від відстані між циліндричними макропорами. Встановлено, що відношення фотопровідності макропористого кремнію до фотопровідності монокристалічного кремнію досягає максимуму при відстані між порами, яка дорівнює двом товщинам шару Шотткі, що відповідає результатам експерименту. Час релаксації фотопровідності структур макропористого кремнію визначається модуляцією світлом бар'єру на поверхні макропор, а її релаксація відбувається за логарифмічним законом. При T>180К температурна залежність часу релаксації фотопровідності визначається термоемісійним механізмом проходження струму в області просторового заряду, а при T<100К - тунельними процесами струмопереносу. Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2010-02-01 Article Article application/pdf https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/10 Chemistry, Physics and Technology of Surface; Vol. 1 No. 1 (2010): Chemistry, Physics and Technology of Surface / Himia, Fizika ta Tehnologia Poverhni; 87-93 Химия, физика и технология поверхности; Том 1 № 1 (2010): Химия, физика и технология поверхности; 87-93 Хімія, фізика та технологія поверхні; Том 1 № 1 (2010): Хімія, фізика та технологія поверхні; 87-93 2518-1238 2079-1704 en https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/10/7 Copyright (c) 2010 L.A Karachevtseva, V.F. Onyshchenko, A.V. Sachenko |
| spellingShingle | Karachevtseva, L. A. Onyshchenko, V. F. Sachenko, A. V. Особливості фотоефекту в структурах макропористого кремнію |
| title | Особливості фотоефекту в структурах макропористого кремнію |
| title_alt | Photoeffect Peculiarities in Macroporous Silicon Structures Особенности фотоэффекта в структурах макропористого кремния |
| title_full | Особливості фотоефекту в структурах макропористого кремнію |
| title_fullStr | Особливості фотоефекту в структурах макропористого кремнію |
| title_full_unstemmed | Особливості фотоефекту в структурах макропористого кремнію |
| title_short | Особливості фотоефекту в структурах макропористого кремнію |
| title_sort | особливості фотоефекту в структурах макропористого кремнію |
| url | https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/10 |
| work_keys_str_mv | AT karachevtsevala photoeffectpeculiaritiesinmacroporoussiliconstructures AT onyshchenkovf photoeffectpeculiaritiesinmacroporoussiliconstructures AT sachenkoav photoeffectpeculiaritiesinmacroporoussiliconstructures AT karachevtsevala osobennostifotoéffektavstrukturahmakroporistogokremniâ AT onyshchenkovf osobennostifotoéffektavstrukturahmakroporistogokremniâ AT sachenkoav osobennostifotoéffektavstrukturahmakroporistogokremniâ AT karachevtsevala osoblivostífotoefektuvstrukturahmakroporistogokremníû AT onyshchenkovf osoblivostífotoefektuvstrukturahmakroporistogokremníû AT sachenkoav osoblivostífotoefektuvstrukturahmakroporistogokremníû |