Отримання мікропоруватих шарів GaAs методом хімічного травлення на підкладках р-GaAs та їхня фотолюмінісценція
The porous GaAs layers have been obtained on the GaAs(100) and GaAs(111) substrates by the chemical etching method. Etching of the substrates was carried out in HF-based solutions using HNO3 or Н2О2 as an oxidizer. Sponge layers were formed with adding of HNO3 and pores got pyramid-like shapes unifo...
Gespeichert in:
| Datum: | 2012 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine
2012
|
| Online Zugang: | https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/150 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Chemistry, Physics and Technology of Surface |
Institution
Chemistry, Physics and Technology of Surface| _version_ | 1856543792955392000 |
|---|---|
| author | Paschenko, G. A. Kravetsky, M. Yu. Fomin, A. V. |
| author_facet | Paschenko, G. A. Kravetsky, M. Yu. Fomin, A. V. |
| author_sort | Paschenko, G. A. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2022-06-29T10:23:31Z |
| description | The porous GaAs layers have been obtained on the GaAs(100) and GaAs(111) substrates by the chemical etching method. Etching of the substrates was carried out in HF-based solutions using HNO3 or Н2О2 as an oxidizer. Sponge layers were formed with adding of HNO3 and pores got pyramid-like shapes uniformly covering the surface and orienting along one direction when H2O2 was used. The photoluminescence spectra of the layers contain the wide band with a non-elementary structure in the visible spectral range. The visible photoluminescence band is decomposed into three sub-bands with Emax equal to 2.844, 2.508 and 1.85 eV and that is caused not from emission of compound element oxides but is mainly due to a quantum dimensional effect. According to the calculations, the linear sizes of crystallites are estimated as 6.5, 4 and 3.5 nm with predominating of 4 nm diameter. |
| first_indexed | 2025-07-22T19:30:40Z |
| format | Article |
| id | oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-150 |
| institution | Chemistry, Physics and Technology of Surface |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-17T12:06:50Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-1502022-06-29T10:23:31Z Formation of GaAs Micropopous Layers on р-GaAs Substrates by Chemical Etching Method and Their Photoluminescence Получение микропористых слоев GaAs методом химического травления на подложках р-GaAs и их фотолюминесценция Отримання мікропоруватих шарів GaAs методом хімічного травлення на підкладках р-GaAs та їхня фотолюмінісценція Paschenko, G. A. Kravetsky, M. Yu. Fomin, A. V. The porous GaAs layers have been obtained on the GaAs(100) and GaAs(111) substrates by the chemical etching method. Etching of the substrates was carried out in HF-based solutions using HNO3 or Н2О2 as an oxidizer. Sponge layers were formed with adding of HNO3 and pores got pyramid-like shapes uniformly covering the surface and orienting along one direction when H2O2 was used. The photoluminescence spectra of the layers contain the wide band with a non-elementary structure in the visible spectral range. The visible photoluminescence band is decomposed into three sub-bands with Emax equal to 2.844, 2.508 and 1.85 eV and that is caused not from emission of compound element oxides but is mainly due to a quantum dimensional effect. According to the calculations, the linear sizes of crystallites are estimated as 6.5, 4 and 3.5 nm with predominating of 4 nm diameter. Методом химического травления на подложках GaAs(100) и GaAs(111) получены слои микропористого GaAs. Травление подложек проводилось в растворах на основе HF, с HNO3 и Н2О2.в качестве окислителя. При формировании пористой поверхности с использованием HNO3 получены губчатые слои; при использовании Н2О2 поры приобретали форму пирамид одинаковой ориентации, равномерно покрывающих поверхность. Спектры фотолюминесценции слоев характеризуются наличием широкой полосы в видимой области спектра, структура которой неэлементарна. Полоса видимой фотолюминесценции раскладывается на три гауссовские подполосы с Емах, равными 2.844, 2.508 и 1.85 эВ, положение которых свидетельствует о том, что видимая полоса определяется не излучением оксидов составляющих элементов, а обусловлена в основном квантово-размерным эффектом. Согласно оценке, размеры кристаллитов составляют 6.5, 4 и 3.5 нм с преобладанием частиц диаметром 4 нм. Методом хімічного травлення на підкладках GaAs(100) та GaAs(111) отримано шари мікропоруватого GaAs. Травлення підкладок проводилось в розчинах на основі HF, HNO3 та Н2О2 як окиснювачі. При формуванні поруватої поверхні з використанням HNO3 отримано губчасті шари; при використанні Н2О2 пори набували форму пірамід однакової орієнтації, що рівномірно вкривали поверхню. Спектри фотолюмінісценції шарів характеризуються наявністю широкої смуги у видимій області спектра, структура якої не є елементарною. Смуга видимої фотолюмінісценції розкладається на три гауссівські підсмуги з Емаx , що дорівнюють 2.844, 2.508 та 1.85 еВ, і визначається не випромінюванням оксидів складових елементів, а обумовлена в основному квантово-розмірним ефектом. Згідно з оцінкою, розміри кристалітів складають 6.5, 4 та 3.5 нм з переважанням кристалітів діаметром 4 нм. Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2012-02-01 Article Article application/pdf https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/150 Chemistry, Physics and Technology of Surface; Vol. 3 No. 1 (2012): Chemistry, Physics and Technology of Surface / Himia, Fizika ta Tehnologia Poverhni; 90-93 Химия, физика и технология поверхности; Том 3 № 1 (2012): Химия, физика и технология поверхности; 90-93 Хімія, фізика та технологія поверхні; Том 3 № 1 (2012): Хімія, фізика та технологія поверхні; 90-93 2518-1238 2079-1704 ru https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/150/146 Copyright (c) 2012 G. A. Paschenko, M. Yu. Kravetsky, A. V. Fomin |
| spellingShingle | Paschenko, G. A. Kravetsky, M. Yu. Fomin, A. V. Отримання мікропоруватих шарів GaAs методом хімічного травлення на підкладках р-GaAs та їхня фотолюмінісценція |
| title | Отримання мікропоруватих шарів GaAs методом хімічного травлення на підкладках р-GaAs та їхня фотолюмінісценція |
| title_alt | Formation of GaAs Micropopous Layers on р-GaAs Substrates by Chemical Etching Method and Their Photoluminescence Получение микропористых слоев GaAs методом химического травления на подложках р-GaAs и их фотолюминесценция |
| title_full | Отримання мікропоруватих шарів GaAs методом хімічного травлення на підкладках р-GaAs та їхня фотолюмінісценція |
| title_fullStr | Отримання мікропоруватих шарів GaAs методом хімічного травлення на підкладках р-GaAs та їхня фотолюмінісценція |
| title_full_unstemmed | Отримання мікропоруватих шарів GaAs методом хімічного травлення на підкладках р-GaAs та їхня фотолюмінісценція |
| title_short | Отримання мікропоруватих шарів GaAs методом хімічного травлення на підкладках р-GaAs та їхня фотолюмінісценція |
| title_sort | отримання мікропоруватих шарів gaas методом хімічного травлення на підкладках р-gaas та їхня фотолюмінісценція |
| url | https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/150 |
| work_keys_str_mv | AT paschenkoga formationofgaasmicropopouslayersonrgaassubstratesbychemicaletchingmethodandtheirphotoluminescence AT kravetskymyu formationofgaasmicropopouslayersonrgaassubstratesbychemicaletchingmethodandtheirphotoluminescence AT fominav formationofgaasmicropopouslayersonrgaassubstratesbychemicaletchingmethodandtheirphotoluminescence AT paschenkoga polučeniemikroporistyhsloevgaasmetodomhimičeskogotravleniânapodložkahrgaasiihfotolûminescenciâ AT kravetskymyu polučeniemikroporistyhsloevgaasmetodomhimičeskogotravleniânapodložkahrgaasiihfotolûminescenciâ AT fominav polučeniemikroporistyhsloevgaasmetodomhimičeskogotravleniânapodložkahrgaasiihfotolûminescenciâ AT paschenkoga otrimannâmíkroporuvatihšarívgaasmetodomhímíčnogotravlennânapídkladkahrgaastaíhnâfotolûmíníscencíâ AT kravetskymyu otrimannâmíkroporuvatihšarívgaasmetodomhímíčnogotravlennânapídkladkahrgaastaíhnâfotolûmíníscencíâ AT fominav otrimannâmíkroporuvatihšarívgaasmetodomhímíčnogotravlennânapídkladkahrgaastaíhnâfotolûmíníscencíâ |