Хіміко-динамічне полірування поверхні CdTe травильними композиціями (NH4)2Cr2O7–HCl–щавлева кислота
The nature of chemical dissolution of undoped and doped by the IV-A elements (Ge, Sn, Pb) of cadmium telluride in the (NH4)2Cr2O7–HCl–oxalic etching composition has been investigated. The projections of the equal etching rates of these semiconductors have been constructed, and the concentration regi...
Gespeichert in:
| Datum: | 2012 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine
2012
|
| Online Zugang: | https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/160 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Chemistry, Physics and Technology of Surface |
Institution
Chemistry, Physics and Technology of Surface| _version_ | 1856543797798764544 |
|---|---|
| author | Chukhnenko, P. S. Khalavka, Yu. B. Ivanits'ka, V. G. Tomashik, Z. F. Tomashik, V. M. Stratiychuk, I. B. |
| author_facet | Chukhnenko, P. S. Khalavka, Yu. B. Ivanits'ka, V. G. Tomashik, Z. F. Tomashik, V. M. Stratiychuk, I. B. |
| author_sort | Chukhnenko, P. S. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2022-06-29T10:23:03Z |
| description | The nature of chemical dissolution of undoped and doped by the IV-A elements (Ge, Sn, Pb) of cadmium telluride in the (NH4)2Cr2O7–HCl–oxalic etching composition has been investigated. The projections of the equal etching rates of these semiconductors have been constructed, and the concentration regions of the polishing solutions have been determined. It has been shown that the dissolution of these materials is limited by the diffusion stages. Surface state after the etching has been investigated by the metallography and SEM. The composition of the near surface layers has been determined using energy dispersive X-ray spectroscopy. |
| first_indexed | 2025-07-22T19:30:44Z |
| format | Article |
| id | oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-160 |
| institution | Chemistry, Physics and Technology of Surface |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-17T12:06:52Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-1602022-06-29T10:23:03Z The Chemical-Dynamic Polishing of CdTe Surface by (NH4)2Cr2O7–HCl–Oxalic Acid Etching Compositions Химико-динамическое полирование поверхности CdTe травильными композициями (NH4)2Cr2O7 – HCl – щавелевая кислота Хіміко-динамічне полірування поверхні CdTe травильними композиціями (NH4)2Cr2O7–HCl–щавлева кислота Chukhnenko, P. S. Khalavka, Yu. B. Ivanits'ka, V. G. Tomashik, Z. F. Tomashik, V. M. Stratiychuk, I. B. The nature of chemical dissolution of undoped and doped by the IV-A elements (Ge, Sn, Pb) of cadmium telluride in the (NH4)2Cr2O7–HCl–oxalic etching composition has been investigated. The projections of the equal etching rates of these semiconductors have been constructed, and the concentration regions of the polishing solutions have been determined. It has been shown that the dissolution of these materials is limited by the diffusion stages. Surface state after the etching has been investigated by the metallography and SEM. The composition of the near surface layers has been determined using energy dispersive X-ray spectroscopy. Исследован характер химического растворения нелегированного и легированного элементами IV-А подгруппы (Ge, Sn, Pb) теллурида кадмия травильными композициями (NH4)2Cr2O7 – HCl – щавелевая кислота. Построены проекции одинаковых скоростей растворения этих полупроводников, определены концентрационные границы полирующих растворов. Показано, что процесс растворения указанных материалов лимитируется диффузионными стадиями. Исследовано состояние поверхности после травления методами микроструктурного анализа и сканирующей электронной микроскопии, а также определен состав поверхностных слоев методом энергодисперсионного рентгеновского спектроскопического анализа. Досліджено характер хімічного розчинення нелегованого та легованого елементами IV-А підгрупи (Ge, Sn, Pb) кадмій телуриду травильними композиціями (NH4)2Cr2O7–HCl–щавлева кислота. Побудовано проекції поверхонь однакових швидкостей травлення та визначено концентраційні межі поліруючих розчинів. Показано, що процес розчинення вказаних матеріалів лімітується дифузійними стадіями. Досліджено стан поверхні після травлення методами мікроструктурного аналізу і скануючої електронної мікроскопії, та визначено склад поверхневих шарів методом енергодисперсійного рентгенівського спектрального аналізу. Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2012-05-01 Article Article application/pdf https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/160 Chemistry, Physics and Technology of Surface; Vol. 3 No. 2 (2012): Chemistry, Physics and Technology of Surface / Himia, Fizika ta Tehnologia Poverhni; 178-183 Химия, физика и технология поверхности; Том 3 № 2 (2012): Химия, физика и технология поверхности; 178-183 Хімія, фізика та технологія поверхні; Том 3 № 2 (2012): Хімія, фізика та технологія поверхні; 178-183 2518-1238 2079-1704 uk https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/160/156 Copyright (c) 2012 P. S. Chukhnenko, Yu. B. Khalavka, V. G. Ivanits'ka, Z. F. Tomashik, V. M. Tomashik, I. B. Stratiychuk |
| spellingShingle | Chukhnenko, P. S. Khalavka, Yu. B. Ivanits'ka, V. G. Tomashik, Z. F. Tomashik, V. M. Stratiychuk, I. B. Хіміко-динамічне полірування поверхні CdTe травильними композиціями (NH4)2Cr2O7–HCl–щавлева кислота |
| title | Хіміко-динамічне полірування поверхні CdTe травильними композиціями (NH4)2Cr2O7–HCl–щавлева кислота |
| title_alt | The Chemical-Dynamic Polishing of CdTe Surface by (NH4)2Cr2O7–HCl–Oxalic Acid Etching Compositions Химико-динамическое полирование поверхности CdTe травильными композициями (NH4)2Cr2O7 – HCl – щавелевая кислота |
| title_full | Хіміко-динамічне полірування поверхні CdTe травильними композиціями (NH4)2Cr2O7–HCl–щавлева кислота |
| title_fullStr | Хіміко-динамічне полірування поверхні CdTe травильними композиціями (NH4)2Cr2O7–HCl–щавлева кислота |
| title_full_unstemmed | Хіміко-динамічне полірування поверхні CdTe травильними композиціями (NH4)2Cr2O7–HCl–щавлева кислота |
| title_short | Хіміко-динамічне полірування поверхні CdTe травильними композиціями (NH4)2Cr2O7–HCl–щавлева кислота |
| title_sort | хіміко-динамічне полірування поверхні cdte травильними композиціями (nh4)2cr2o7–hcl–щавлева кислота |
| url | https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/160 |
| work_keys_str_mv | AT chukhnenkops thechemicaldynamicpolishingofcdtesurfacebynh42cr2o7hcloxalicacidetchingcompositions AT khalavkayub thechemicaldynamicpolishingofcdtesurfacebynh42cr2o7hcloxalicacidetchingcompositions AT ivanitskavg thechemicaldynamicpolishingofcdtesurfacebynh42cr2o7hcloxalicacidetchingcompositions AT tomashikzf thechemicaldynamicpolishingofcdtesurfacebynh42cr2o7hcloxalicacidetchingcompositions AT tomashikvm thechemicaldynamicpolishingofcdtesurfacebynh42cr2o7hcloxalicacidetchingcompositions AT stratiychukib thechemicaldynamicpolishingofcdtesurfacebynh42cr2o7hcloxalicacidetchingcompositions AT chukhnenkops himikodinamičeskoepolirovaniepoverhnosticdtetravilʹnymikompoziciâminh42cr2o7hclŝavelevaâkislota AT khalavkayub himikodinamičeskoepolirovaniepoverhnosticdtetravilʹnymikompoziciâminh42cr2o7hclŝavelevaâkislota AT ivanitskavg himikodinamičeskoepolirovaniepoverhnosticdtetravilʹnymikompoziciâminh42cr2o7hclŝavelevaâkislota AT tomashikzf himikodinamičeskoepolirovaniepoverhnosticdtetravilʹnymikompoziciâminh42cr2o7hclŝavelevaâkislota AT tomashikvm himikodinamičeskoepolirovaniepoverhnosticdtetravilʹnymikompoziciâminh42cr2o7hclŝavelevaâkislota AT stratiychukib himikodinamičeskoepolirovaniepoverhnosticdtetravilʹnymikompoziciâminh42cr2o7hclŝavelevaâkislota AT chukhnenkops hímíkodinamíčnepolíruvannâpoverhnícdtetravilʹnimikompozicíâminh42cr2o7hclŝavlevakislota AT khalavkayub hímíkodinamíčnepolíruvannâpoverhnícdtetravilʹnimikompozicíâminh42cr2o7hclŝavlevakislota AT ivanitskavg hímíkodinamíčnepolíruvannâpoverhnícdtetravilʹnimikompozicíâminh42cr2o7hclŝavlevakislota AT tomashikzf hímíkodinamíčnepolíruvannâpoverhnícdtetravilʹnimikompozicíâminh42cr2o7hclŝavlevakislota AT tomashikvm hímíkodinamíčnepolíruvannâpoverhnícdtetravilʹnimikompozicíâminh42cr2o7hclŝavlevakislota AT stratiychukib hímíkodinamíčnepolíruvannâpoverhnícdtetravilʹnimikompozicíâminh42cr2o7hclŝavlevakislota AT chukhnenkops chemicaldynamicpolishingofcdtesurfacebynh42cr2o7hcloxalicacidetchingcompositions AT khalavkayub chemicaldynamicpolishingofcdtesurfacebynh42cr2o7hcloxalicacidetchingcompositions AT ivanitskavg chemicaldynamicpolishingofcdtesurfacebynh42cr2o7hcloxalicacidetchingcompositions AT tomashikzf chemicaldynamicpolishingofcdtesurfacebynh42cr2o7hcloxalicacidetchingcompositions AT tomashikvm chemicaldynamicpolishingofcdtesurfacebynh42cr2o7hcloxalicacidetchingcompositions AT stratiychukib chemicaldynamicpolishingofcdtesurfacebynh42cr2o7hcloxalicacidetchingcompositions |