Хіміко-динамічне полірування поверхні CdTe травильними композиціями (NH4)2Cr2O7–HCl–щавлева кислота
The nature of chemical dissolution of undoped and doped by the IV-A elements (Ge, Sn, Pb) of cadmium telluride in the (NH4)2Cr2O7–HCl–oxalic etching composition has been investigated. The projections of the equal etching rates of these semiconductors have been constructed, and the concentration regi...
Gespeichert in:
| Datum: | 2012 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine
2012
|
| Online Zugang: | https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/160 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Chemistry, Physics and Technology of Surface |