Хіміко-динамічне полірування поверхні CdTe травильними композиціями (NH4)2Cr2O7–HCl–щавлева кислота
The nature of chemical dissolution of undoped and doped by the IV-A elements (Ge, Sn, Pb) of cadmium telluride in the (NH4)2Cr2O7–HCl–oxalic etching composition has been investigated. The projections of the equal etching rates of these semiconductors have been constructed, and the concentration regi...
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine
2012
|
| Онлайн доступ: | https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/160 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Chemistry, Physics and Technology of Surface |
Репозитарії
Chemistry, Physics and Technology of SurfaceБудьте першим, хто залишить коментар!