Low-field electron emission from quatum-size structures of zinc oxide
An array of quantum-size zinc oxide structures has been synthesized on semiconductive supports (Si, GaP, GaAs). The field electron emission from quantum-sized zinc oxide was investigated. Eenergetic schemes were suggested of the field emission defined by dimensional quantification in zinc oxide nano...
Gespeichert in:
| Datum: | 2006 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine
2006
|
| Online Zugang: | https://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/194 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Surface |
| Завантажити файл: |  |
Institution
Surface| _version_ | 1869291296379633664 |
|---|---|
| author | Gorbik, P. P. Dadykin, A. A. Dubrovin, I. V. Dubrovin, I. V. Filonenko, M. N. |
| author_facet | Gorbik, P. P. Dadykin, A. A. Dubrovin, I. V. Dubrovin, I. V. Filonenko, M. N. |
| author_institution_txt_mv | [
{
"author": "P. P. Gorbik",
"institution": "Інститут хімії поверхні Національної академії наук України"
},
{
"author": "A. A. Dadykin",
"institution": "Институт физики Национальной академии наук Украины"
},
{
"author": "I. V. Dubrovin",
"institution": "Інститут хімії поверхні Національної академії наук України"
},
{
"author": "I. V. Dubrovin",
"institution": "Інститут хімії поверхні Національної академії наук України"
},
{
"author": "M. N. Filonenko",
"institution": "Інститут хімії поверхні Національної академії наук України"
}
] |
| author_sort | Gorbik, P. P. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2018-11-27T09:41:17Z |
| description | An array of quantum-size zinc oxide structures has been synthesized on semiconductive supports (Si, GaP, GaAs). The field electron emission from quantum-sized zinc oxide was investigated. Eenergetic schemes were suggested of the field emission defined by dimensional quantification in zinc oxide nanostructures. |
| first_indexed | 2025-07-22T19:30:59Z |
| format | Article |
| fulltext |
Химия, физика и технология поверхности. 2006. Вып. 11, 12. С.261-270
261
УДК 542.8+533.2
НИЗКОПОЛЕВАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ
С КВАНТОВОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР ОКСИДА ЦИНКА
П.П. Горбик1, А.А. Дадыкин2, И.В. Дубровин1, М.Н. Филоненко1
1Институт химии поверхности Национальной академии наук Украины
ул. Ген. Наумова 17, 03164 Киев-164
2Институт физики Национальной академии наук Украины
пр. Науки 46, 03028 Kиев-28
На полупроводниковых подложках (Si, GaP, GaAs) синтезированы массивы кван-
товоразмерных структур оксида цинка. Исследована полевая электронная эмиссия,
предложены энергетические схемы эмиссии, учитывающие размерное квантование в
наноструктурах оксида цинка.
An array of quantum-size zinc oxide structures has been synthesized on semiconductive
supports (Si, GaP, GaAs). The field electron emission from quantum-sized zinc oxide was
investigated. Eenergetic schemes were suggested of the field emission defined by dimensional
quantification in zinc oxide nanostructures.
Введение
На стыке двух тысячелетий при поддержке академика НАН Украины А.А. Чуйко
в Институте химии поверхности НАН Украины, благодаря творческому сотрудничеству
с Институтом физики НАН Украины, зародилось новое направление, которое связано с
синтезом оксидных и халькогенидных низкоразмерных систем и изучением их физико-
химических свойств, в частности, катодолюминесценции и электронной эмиссии [1-4].
Интерес к таким системам обусловлен возможностью их использования в качестве эф-
фективных холодных низькополевых эмиттеров электронов и плоских ярких катодо-
люминесцентных экранов. В последние годы работы в этом направлении были сосредо-
точены главным образом на изучении квантоворазмерных эффектов [5].
Оксид цинка является перспективным материалом опто-, акусто-, и эмиссионной
электроники благодаря высоким значениям пьезомодулей, коэффициентов электромеха-
нической связи, эффективной электро- и катодолюминесценцией и высокой термической
стойкостью (температура плавления ~2200 К). Так, в [1] получена стабильная даже при
p >10-6 Торр полевая электронная эмиссия с плотностью тока j >1 A/см2, которая может
быть использована при создании ярких (>300 Кд/м2) плоских катодолюминесцентных
дисплеев. Эмиссия получена из пленок ZnO в модификации вюрцита толщиной
~0,1 мкм, которые отличаются высокими значениями пьезомодуля и коэффициента
электромеханической связи. Отдельные эмиттеры имели большое (>10) отношение про-
дольных размеров пленки к ее толщине, что, согласно [6], обеспечивает получение в
приповерхностной области эмиттера сильного (>106 В/см) электрического поля, доста-
точного для развития эффекта Зинера.
На современном этапе развития электроники необходимо создание элементной
базы, в которой размеры отдельных элементов сравнимы с длиной волны электронов в
твердом теле. Эти размеры можно оценить с помощью модели потенциальной ямы с
262
бесконечно высокими стенками. Расстояние между возникающими дискретными уров-
нями энергии описывается формулой:
n
m
h
2
22
2 l
*=DE
p , (1)
где *m – эффективная масса электрона, l – размер образца. У оксида цинка для разных
кристаллографических направлений эффективная масса электрона *m изменяется от
0,06 до 0,35 em . Для того чтобы уровни разделились при 300 К (DE =26 МэВ), размеры
образцов должны быть в пределах 2-40 нм.
Поэтому, целью работы была разработка технологии изготовления квантово-
размерных наноструктур из оксида цинка на подложках с разной шириной запрещенной
зоны и изучение особенностей их полевой эмиссии.
Экспериментальная часть
Известные методики, которые используются для синтеза полупроводниковых
планарных структур, такие как химические транспортные реакции, магнетронное и тер-
мовакуумное напыление, малоэффективны при получении наноструктур оксида цинка
заданных размеров и плотности на поверхности больших размеров. С одной стороны,
необходимо получить большое количество центров кристаллизации, а для этого нужно
создать значительные перенасыщения по оксиду цинка на первой стадии кристаллиза-
ции. На второй стадии необходимо обеспечить качественный рост нанокристаллитов в
условиях, близких к равновесным. Это не всегда возможно реализовать в ходе экспери-
мента. Использованная нами методика позволяет заменить первую стадию путем созда-
ния и размещения на поверхности подложки заданного количества центров кристаллиза-
ции седиментацией аэрозоля. В работе ми использовали методику формирования крис-
таллических наночастиц при осаждении аэрозоля водного раствора хлорида цинка. Кон-
центрация исходного раствора составляла 1-0,1 моль/л. Испарение растворителя, в дан-
ном случаи воды с капель аэрозоля, при нагревании подложки приводит к уменьшению
размера аэрозольной частицы и гидролизу части хлорида цинка с образованием расплава
системы ZnCl2-ZnО, состав которого близок к эвтектическому. Испарение хлорида цинка
при изотермическом отжиге образцов при 773 K приводит к медленному росту ZnО с
раствора-расплава ZnClхОу. Размеры наноструктур регулировали размещением подлож-
ки на разных высотах в цилиндре с аэрозолем, а их плотность – изменением времени
осаждения. Полное удаление хлорида цинка производилось путем прогрева образцов
при 773 K в вакууме при p ~10-5 Торр.
Контроль параметров изготовленных структур осуществлялся методами атомной
силовой (АСМ) и растровой электронной (РЭМ) микроскопии, дифференциально-тер-
мического и рентгеноструктурного анализов. Химический состав изготовленных объек-
тов контролировался методом оже-спектроскопии. Эмиссионные исследования прово-
дились в плоских диодных системах с расстоянием катод-анод ~300 мкм для обеспече-
ния малой локальной плотности тока. Для предотвращения засорения поверхности ка-
тода продуктами распыления анода, анод-экран покрывался, для визуализации эмиссии,
катодолюминофором того же состава, что и катод, то есть ZnO. Катодолюминофор
получали окислением предшественника ZnSe или ZnS. В созданных системах электрон-
ноэмиссионные свойства отличались высокой воспроизводимостью результатов.
Результаты и их обсуждение
С помощью разработанной нами методики получены наноструктуры оксида цин-
ка на подложках с разной шириной запрещенной зоны (Si, GaP, GaAs). Как свидетельст-
вуют данные РЭМ (рис. 1), оксид цинка кристаллизуется на поверхности монокристалла
263
кремния в виде вюрцитной модификации с осью С6, ориентированной перпендикулярно
подложке.
Рис. 1. Изображение отдельных элементов оксида цинка, полученное методом РЭМ.
Ориентация остальных осей кристаллов ZnO – хаотична и не зависит от орден-
тации (111) грани кремния. Размеры кристаллов составляли 10-100 нм при толщине
~10 нм, поверхностная плотность ~108 см-2. Полученные кристаллы имели слабую адже-
зионную связь с подложкой. По-видимому, такая связь создается силами Ван-дер-Ва-
альса на окисленной (111) грани Si.
Увеличение времени седиментации аэрозоля приводило к увеличению поверхно-
стной плотности кристаллов и их размеров, вплоть до образования сплошных полик рис-
таллических пленок оксида цинка, толщина которых составляла ~100 нм и более.
Необходимо отметить, что задача роста кристаллов тесно связана с проблемой
смачивания, которая зависит от наличия оксидной пленки на поверхности подложки.
Так, в случае оксида цинка на кремнии, который окисляется при T>1300 K, могут реа-
лизовываться условия полного смачивания. В этом случае будет имеет место послой-
ный рост кристаллов равновесной формы по механизму Ван-дер-Мерве [7].
На изготовленных структурах Si – SiO2 – ZnO получена полевая электронная
эмиссия с j >1 A/см2 при среднем поле ~ 105 В/см, которое на 2 порядка меньше значе-
ния, рассчитанного согласно теории классической автоэмиссии. В литературе она полу-
чила название низкополевая электронная эмиссия (НПЭЭ). На вольтамперных характер-
ристиках (ВАХ) полевой эмиссии (рис. 2, а) появляются пики тока. Число этих пиков на
ВАХ зависит от скорости повышения напряжения в процессе измерений, которые прово-
дились по усредненному значению тока ( [ ] 2/minmax I+I ). По-видимому, наличие большо-
го числа пиков связано с большим разбросом по размерам пьезоэлементов. ВАХ отдель-
ного пьезоэлемента имеет один пик тока (рис. 2, б). Была обнаружена высокая термочув-
ствительность полевой эмиссии (рис. 2, в).
На зависимости эмиссионного тока от времени во всем диапазоне измерений до
j > 1 A/см2 наблюдаются большие ( IDI / >50 %) флуктуации тока. Нестабильность мис-
сии проявляется с двумя характерными временами ~10 с (тип 1) и ~100 с (тип 2)
(рис. 3, а). При 77 К амплитуда флуктуаций типа 1 резко уменьшается, а типа 2 – остает-
ся неизменной (рис. 3, б).
Такие большие времена колебаний эмиссионного тока, по нашему мнению, мож-
но связать с зарядкой медленных поверхностных электронных состояний (ПЭС) на
границах SiO2-ZnO, ZnO – вакуум и последующей их разрядкой через резонансные уров-
ни туннелирования в потенциальном барьере пьезоэлектрика. Такие факторы, как изме-
264
нение подвижности и концентрации носителей в электрическом поле, по-видимому,
можно не учитывать, так как они характеризуются временами <10-3 с.
Рис. 2. ВАХ полевой эмиссии совокупности элементов пьезоактивного квантово-размер-
ного оксида цинка при Т=300 К (а); отдельного пьезоэлемента ZnO при Т=300 К
(б); совокупности элементов при температурах: 1 – 77 К, 2 – 300 К, 3 – 500 К (в).
Рис. 3. Временная зависимость тока эмиссии при Т=300 К (а) и Т=77 К (б).
Причину нестабильности полевой эмиссии из тонких наноразмерных пленок
пьезоэлектриков можно объяснить на основе результатов работы [6]. С проникновением
электрического поля в катод поверхностный потенциал изменяется как:
0
eg
a
s
Vd
V
D
=D (2)
где d - толщина пленки диэлектрика, aVD - приложенное к катоду напряжение, e - ди-
электрическая постоянная, g - длина вакуумного промежутка.
В случае использованных в [1] пленок толщиной 2·10-5 см и g =4·10-3 см –
sVD =2,5 эВ. При этом на поверхности реализуется эффективное отрицательное элект-
ронное сродство, и источник электронов оказывается скрытым от внешней среды, что и
обуславливает высокую стабильность эмиссии. В данной работе d =10-6 см, g =2·10-2 см,
e ~8, а sVD =0,025 эВ. Поэтому эмиссия определяется также и барьером на границе с
вакуумом.
В теории Ландау и Лившица [8] описано ситуацию, когда в потенциальной яме
могут образоваться п уровней энергии электронов. В случае симметричной ямы
( 10 VV = ), где 0V – высота ямы слева, а 1V – справа, всегда выполняется условие, при ко-
тором в яме есть как минимум один уровень энергии электронов:
( )12 0 ->* nhVma p , (3)
265
где а - ширина ямы. В случаи асимметричной ямы ( 10 VV ¹ ) частица имеет n уровней при
условии:
1
0
0 arcsin
2
12
V
V
nVm
h
a
-÷
ø
ö
ç
è
æ ->* p (4)
При малых значениях a и 0V (узкая и неглубокая яма) можно создать ситуацию,
когда в яме отсутствуют уровни энергии электронов (они не захватываются ямой).
Отметим, что 0V определяется шириной запрещенной зоны подложки, а 1V – электрон-
ным сродством оксида цинка.
Исходя из этих результатов, данных работы [1] и расчетов [6, 8] можно построить
предположительную энергетическую схему полевой эмиссии в приближении “нулевого
тока” (рис. 4).
Рис. 4. Энергетическая схема эмиссии из квантоворазмерного оксида цинка, 1E , 2E –
уровни размерного квантования в треугольной потенциальной яме.
Во внешнем электрическом поле ~105 В/см, поле в пьезоэлектрике превышает
106 В/см. Такое поле, согласно [6], достигается благодаря пьезогеометрическому усиле-
нию в dl /1 раз, где 1l – размер пьезоэлемента, d – его толщина. В нашем случае
1l ³100 нм, d ≤10 нм. При таких полях пьезоэлемент можно рассматривать как кванто-
вую яму треугольной формы. Уровни энергии и расстояния между ними в [9] находятся
из совместного решения уравнения Шредингера и Пуассона и являются корнями
уравнения Эйри. Энергия основного состояния находится из принципа неопределен-
ности:
3
1
205
3
1
22
0 1025,7
2
÷
ø
ö
ç
è
æ E
*
×=÷÷
ø
ö
çç
è
æ E
=E -
* s
s
e
m
m
m
eh
, (5)
где sE – напряженность электрического поле внутри пьезоэлектрика, равное elVa / , 0m –
масса свободного электрона. Эта энергия в нашем случае для разных эффективных масс
изменяется от 1,5 до 0,26 эВ.
Расстояние между соседними уровнями оценивается как ))*(3,015,0( 31
0 mmEo -»
и для исследованных образцов изменяется от 0,5 до 0,1 эВ. Если считать, что эмиссия
идет в направлении с минимальной эффективной массой, то в образовавшейся потенци-
альной яме помещается не более двух уровней, 1E и 2E , как показано на рис. 4. При
построении энергетической схемы учитывалось, что на границе SiO2-ZnO имеется зона
медленных ПЭС с плотностью до 1015 см-2. При такой плотности, по данным [10], уро-
266
вень Ферми на поверхности фиксируется вблизи середины запрещенной зоны и внешнее
поле в образец не проникает (рис. 4). В случае сложных полупроводников типа III-V, II-
VI плотность ПЭС обычно не превышает 1012 см-2, поэтому следует ожидать заметного
проникновения поля в ZnO, что также показано на схеме. В общем виде выражение для
плотности тока можно представить как:
( ) ( ) xxx dWWDTWvej E×= ò
¥
,,
0
, (6)
где ( ) xx dWTWv ×, – поток электронов к поверхности, ( )E,xWD – прозрачность потенци-
ального барьера, xW – энергия электронов и E – напряженность электрического поля.
Поток электронов определяется заполнением зоны ПЭС на границе SiO2-ZnO в
процессе обмена с валентной зоной Si.
С ростом электрического поля уровни 1E , 2E , в треугольной яме смещаются и при
совпадении уровня выхода электронов с одним из уровней в яме вероятность туннелиро-
вания резко возрастает, т.е. имеет место резонансное туннелирование. При этом на ВАХ
появляется пик тока. Отсутствие других пиков тока можно объяснить, в случае тонких
образцов, малостью sVD по сравнению с расстоянием между соседними уровнями.
Следует подчеркнуть, приведенные формулы использованы лишь для оценок и
качественного объяснения полученных результатов. Для более точного анализа следова-
ло бы проанализировать возможность эмиссии по всем направлениям.
Наличие флуктуаций тока первого типа можно объяснить флуктуациями заряда
на медленных ПЭС на границе SiO2 – ZnO, что подтверждается наличием высокой
термочувствительности эмиссионного тока. Флуктуации типа 2, по-видимому, обуслов-
лены флуктуациями заряда на локальных состояниях внешней поверхности оксида цин-
ка, вызывающими флуктуации прозрачности потенциального барьера ( )ED . Природа
указанных состояний, вероятнее всего, может быть связана с кластерными образовани-
ями на поверхности ZnO, образующимися при использованной методике синтеза.
Системы квантовых ям из оксида цинка, изготовленных на кремниевых подлож-
ках, отличаются большой плотностью тока полевой электронной эмиссии, однако, име-
ют существенный недостаток – высокий уровень шумов эмиссионного тока. Наличие
этих шумов мы связываем с перезарядкой быстрых и медленных поверхностных элект-
ронных состояний на межфазных границах Si-SiOx-ZnO на поверхности кремния,
покрытой слоем естественного оксида. Поэтому, представляет интерес система нано-
структур ZnO на подложке с малой плотностью ПЭС, типа GaP и GaAs. Исследования
такой системы могут дать ответ на вопрос о причине шумов в системе ZnO-SiOx.
В качестве подложек использовали толстые (~300 мкм) пластины монокристал-
лического GaP дырочной проводимости, на которых, с целью устранения влияния дефек-
тов, выращен эпитаксиальный слой p–типа толщиной несколько мкм. На подложках
такого типа плотность ПЭС, по сравнению с подложками из окисленного кремния, на
несколько порядков меньше.
На рис. 5 наведено АСМ изображение системы нанокластеров оксида цинка на
поверхности поликристаллического фосфида галлия. Кластеры имеют округлую форму
при средней высоте ~ 5 нм и длине основания ~ 30 нм. Плотность кластеров превышает
108 см-2.
Как видно из рис. 5, имеет место значительный разброс нанокластеров по разме-
рам. Размеры кластеров, а также их плотность регулировали технологическими услови-
ями синтеза (время осаждения, температура подложки). По-видимому, полученные час-
тицы ZnO имеют кластерную природу и являются промежуточным структурным элемен-
том в процессах самоорганизации вещества – оксида цинка – от отдельной молекулы к
267
блочному кристаллу. Кроме этого GaP, активно окисляется уже при температуре 773-
873 К, при этом, вероятно реализуются условия полного несмачивания и растут
3-мерные образования ZnO по механизму Фольмера-Вебера [7]. При разности постоян-
ных решеток подложки и адпленки в системе возникают упругие напряжения, которые
релаксируют к вершине кластеров. В полученной системе нанокластеров, при эффектив-
ной массе электронов в ZnO (0,06÷0,35) 0m , согласно формуле (1), возможно проявление
квантоворазмерных эффектов даже при 300 К.
Рис. 5. АСМ-изображение массива нанокластеров ZnO на на фосфиде галлия.
Это было подтверждено экспериментально исследованиями полевой электронной
эмиссии. На синтезированных образцах получена стабильная полевая электронная мис-
сия при среднем (макроскопическом) электрическом поле порядка 105 В/см. Оценки
внутреннего поля в кластерах согласно [9] дают значение ~ 105 В/см. На зависимости
эмиссионных токов от времени, в отличии от результатов на кремнии, флуктуаций не
обнаружено (рис. 6).
ВАХ исследованной системы имеет 3 пика тока, расположение и расстояния по
напряжению между которыми не изменялось в течении длительных (≥ 100 ч) времени
экспериментов. Наличие трех пиков согласовывается с формулой (3). Следует отметить,
что при плотности нанокластеров > 108 см-2 визуализирована эмиссия всего лишь из
~102 см-2 кластеров. По-видимому, эмиссия исходит из кластеров с определенными
параметрами, которые и определяют механизм наблюдаемой НПЭЭ. Один из возможных
механизмов НПЭЭ предложен в [6]. Эмиссия появляется в результате пьезогеометри-
ческого усиления электрического поля на торцах пьезоэлементов из материала типа ZnO
с большим соотношением их продольного размера 1l к толщине d . Это может объяс-
нить четкую воспроизводимость положений пиков тока на ВАХ и расстояний между
ними: эмитирует небольшое число элементов с максимальным соотношением dl /1 , не-
смотря на значительную дисперсию размеров кластеров.
Наличие пиков тока на ВАХ мы связываем с квантованием энергии электронов в
потенциальной яме гетероперехода GaP – ZnO (рис. 7). Если предположить, что эмиссия
электронов происходит в направлении с минимальной эффективной массой
0006,0 mme =
* , то расстояние между соседними уровнями составляет 0,3-0,6 эВ. При глу-
бине потенциальной ямы гетероперехода ZnO -GaP, равной 2 эВ, в ней могут
268
расположиться не более 3 уровней энергии. С изменением электрического поля уровни
энергии в потенциальной яме смещаются и, при совпадении одного из уровней с
уровнем выхода электронов из GaP, вероятность туннелирования резко возрастает, т. е.
имеет место резонансное туннелирование. Это сопровождается воз-никновением резо-
нансных пиков тока на экспериментальных ВАХ.
Рис. 6. ВАХ полевой электронной эмиссии с квантоворазмерных нанокластеров оксида
цинка, синтезированных на фосфиде галлия.
Рис. 7. Энергетическая схема гетероперехода GaP – ZnO.
При исследовании эмиссии из пластинчатых кристаллов толщиной ~2 нм (рис. 8)
на поверхности арсенида галлия обнаружено, что ВАХ эмиссии является гладкой
(рис. 9). В случае 10 VV ¹ , при малых a и 0V , можно предложить энергетическую схему
эмиссии (рис. 10), в которой, для простоты, показано только дно зоны проводимости.
269
Рис. 8. РЕМ изображение наноструктур
ZnO на GaAs.
Рис. 9. ВАХ наностоуктур оксида цинка на
арсениде галлия.
В потенциальной яме ZnO нет ни одного уровня квантования энергии электронов,
из-за чего ВАХ полевой эмиссии гладкая, без резонансных пиков тока. Это объясняется
расчетами (формула (4)), из которых следует, что малой толщиной частиц оксида цинка
(~2 нм), и сравнительно малой 0V (~1,5 эВ) в потенциальной яме уровни энергии
отсутствуют.
Рис. 10. Энергетическая схема гетероперехода GaAs – ZnO без поля (І)
и в электрическом поле (ІІ).
Выводы
Изучены особенности электронной эмиссии с квантоворазмерных структур
оксида цинка. Наличие пиков тока на ВАХ эмиссии синтезированных систем можно
трактовать как проявление эффекта размерного квантования в потенциальной яме,
которая с одной стороны ограничена шириной запрещенной зоны подложки, а с другой –
электронным сродством ZnO n-типа.
Результаты исследований могут быть использованы в разработках эффективных
холодных низкополевых эмиттеров электронов и плоских ярких катодолюминесцентных
экранов.
Литература
1. Dadykin A., Naumovets A.G., Gorbik P.P., Dubrovin I.V., Ogenko V.M., Filonenko M.N.
Low-field electron emission and cathode luminescence of piezoelectric films of oxides
and chalcogenides // Chemistry, Physics and Technology of Surfaces / Editor–in–Chief
A.A. Chuiko. – К.: Вид. дім “КМ Академія”, 2002. – Iss. 7–8. – Р.163–176.
270
2. Дубровин И.В., Горбик П.П., Филоненко М.Н., Мельников В.С., Мищук О.А. Синтез
покрытий из поликристаллического оксида цинка методом пиролиза аэрозолей //
Поверхность. – 2003. – № 10. – С.86–89.
3. Горбик П.П., Дубровін І.В., Філоненко М.М., Чуйко О.О. Властивості тонких плівок
оксиду цинку, одержаних електрохімічним методом // Хімія, фізика та технологія
поверхні / Гол. ред. О.О. Чуйко. – К.: Вид. дім “КМ Академія”, 2004. – Вип. 10. –
С.105–108.
4. Горбик П.П., Дубровін І.В., Філоненко М.М. Хімічний метод одержання нанокрис-
талічних текстурованих плівок оксиду цинку // Фізика і хімія твердого тіла. – 2004. –
Т. 5, № 3. – С.552–556.
5. Горбик П.П., Дадыкин А.А., Дубровин И.В., Филоненко М.Н., Чуйко А.А. Особен-
ности полевой электронной эмиссии из пьезоактивного квантоворазмерного оксида
цинка // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. – 2003. – Т. 1, № 2. – С.475–
484.
6. Дадыкин А.А. О механизмах низкополевой электронной эмиссии // Письма в ЖЭТФ.
– 1997. – Т.65, № 11. – С.823–827.
7. Чернов А.А. Процессы кристаллизации // Современная кристаллография. – 1980. -
Т. 3. - С.7-232.
8. Ландау Л.Д., Лившиц Е.М. Квантовая механика. - М.:Наука, 1988. –512 с.
9. Dadykin A.A., Naumovets A.G. On the mechanism of stabilization of low-field electron
emission from dielectric films on metal // 9th Int. Vacuum Microelectronics Conference
(1996, July 7-12, Saint-Petersburg, Russia). - P.166-169.
10. Бродский А.М., Гуревич Ю.А. Теория электронной эмиссии из металлов. – М.:
Наука, 1973. – 255 с.
Экспериментальная часть
Экспериментальная часть
Экспериментальная часть
Экспериментальная часть
Экспериментальная часть
Выводы
|
| id | oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-194 |
| institution | Surface |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Russian |
| last_indexed | 2026-03-12T17:05:32Z |
| publishDate | 2006 |
| publisher | Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine |
| record_format | ojs |
| resource_txt_mv | surfacezbircomua/07/35c2c3c838dcfca2d38f2edc58186e07.pdf |
| spelling | oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-1942018-11-27T09:41:17Z Low-field electron emission from quatum-size structures of zinc oxide Низкополевая электронная эмиссия с квантоворазмерных структур оксида цинка Low-field electron emission from quatum-size structures of zinc oxide Gorbik, P. P. Dadykin, A. A. Dubrovin, I. V. Dubrovin, I. V. Filonenko, M. N. An array of quantum-size zinc oxide structures has been synthesized on semiconductive supports (Si, GaP, GaAs). The field electron emission from quantum-sized zinc oxide was investigated. Eenergetic schemes were suggested of the field emission defined by dimensional quantification in zinc oxide nanostructures. На полупроводниковых подложках (Si, GaP, GaAs) синтезированы массивы кван-товоразмерных структур оксида цинка. Исследована полевая электронная эмиссия, предложены энергетические схемы эмиссии, учитывающие размерное квантование в наноструктурах оксида цинка. An array of quantum-size zinc oxide structures has been synthesized on semiconductive supports (Si, GaP, GaAs). The field electron emission from quantum-sized zinc oxide was investigated. Eenergetic schemes were suggested of the field emission defined by dimensional quantification in zinc oxide nanostructures. Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2006-06-20 Article Article application/pdf https://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/194 Surface; No. 11-12 (2006): Chemistry, Physics and Technology of Surface; 261-270 Поверхность; № 11-12 (2006): Химия, физика и технология поверхности; 261-270 Поверхня; № 11-12 (2006): Хімія, фізика та технологія поверхні; 261-270 3154-8091 3154-8083 ru https://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/194/193 Авторське право (c) 2006 P.P. Gorbik, А.А. Dadykin, I.V. Dubrovin, М.N. Filonenko |
| spellingShingle | Gorbik, P. P. Dadykin, A. A. Dubrovin, I. V. Dubrovin, I. V. Filonenko, M. N. Low-field electron emission from quatum-size structures of zinc oxide |
| title | Low-field electron emission from quatum-size structures of zinc oxide |
| title_alt | Low-field electron emission from quatum-size structures of zinc oxide Низкополевая электронная эмиссия с квантоворазмерных структур оксида цинка |
| title_full | Low-field electron emission from quatum-size structures of zinc oxide |
| title_fullStr | Low-field electron emission from quatum-size structures of zinc oxide |
| title_full_unstemmed | Low-field electron emission from quatum-size structures of zinc oxide |
| title_short | Low-field electron emission from quatum-size structures of zinc oxide |
| title_sort | low-field electron emission from quatum-size structures of zinc oxide |
| url | https://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/194 |
| work_keys_str_mv | AT gorbikpp lowfieldelectronemissionfromquatumsizestructuresofzincoxide AT dadykinaa lowfieldelectronemissionfromquatumsizestructuresofzincoxide AT dubroviniv lowfieldelectronemissionfromquatumsizestructuresofzincoxide AT dubroviniv lowfieldelectronemissionfromquatumsizestructuresofzincoxide AT filonenkomn lowfieldelectronemissionfromquatumsizestructuresofzincoxide AT gorbikpp nizkopolevaâélektronnaâémissiâskvantovorazmernyhstrukturoksidacinka AT dadykinaa nizkopolevaâélektronnaâémissiâskvantovorazmernyhstrukturoksidacinka AT dubroviniv nizkopolevaâélektronnaâémissiâskvantovorazmernyhstrukturoksidacinka AT dubroviniv nizkopolevaâélektronnaâémissiâskvantovorazmernyhstrukturoksidacinka AT filonenkomn nizkopolevaâélektronnaâémissiâskvantovorazmernyhstrukturoksidacinka |